| 1 |
1
RF 전원;상기 RF 전원에 연결된 제1 전극; 및기판을 장착하고 상기 제1 전극과 대향하여 이격되어 배치된 제2 전극을 포함하고,상기 제1 전극은 홀들을 포함하는 할로우 케소드 영역을 포함하고,상기 할로우 케소드 영역은 복수의 서브 할로우 케소드 영역들로 분리되고,상기 서브 할로우 케소드 영역들은 서로 다른 홀의 형태를 가지고,상기 서브 할로우 케소드 영역의 홀들은 트렌치를 통하여 서로 연결되고,상기 트렌치는 상기 제2 전극을 바라보는 상기 제1 전극의 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생 장치
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 서브 할로우 케소드 영역들은 분리 또는 결합 가능한 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생 장치
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서,상기 RF 전원의 펄스의 듀티비(duty ratio)에 따라, 상기 서브 할로우 케소드 영역들의 플라즈마 밀도 분포의 제어가 가능한 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생 장치
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 제1 전극과 결합하여 가스 분배 공간을 제공하는 가스 분배부를 더 포함하고,상기 홀들은 상기 제1 전극을 관통하고,상기 가스 분배부에 제공된 공정 가스는 상기 홀들을 통하여 상기 제2 전극에 제공되는 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생장치
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 홀들은 할로우 케소드 방전을 유발하는 제1 홀과 상기 제1 홀과 연결되고 공정 가스를 공급하는 제2 홀을 포함하고,상기 제2 홀의 지름은 상기 제1 홀의 지름보다 작은 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생 장치
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 제1 전극과 결합하여 가스 분배 공간을 제공하는 가스 분배부를 더 포함하고,상기 홀들은 상기 제1 전극의 표면에만 배치되고,상기 제1 전극을 관통하는 가스 공급 홀들을 더 포함하고,상기 가스 공급 홀들은 할로우 케소드 방전을 유발하지 않고,상기 가스 분배부에 제공된 공정 가스는 상기 가스 공급 홀들을 통하여 상기 제2 전극에 제공되는 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생장치
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 트렌치는 상기 홀들을 중심으로 십자형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생장치
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 홀들의 직경은 쉬스 길이의 3 내지 5 배인 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생 장치
|
| 9 |
9
RF 전원;상기 RF 전원에 연결된 제1 전극; 및기판을 장착하고 상기 제1 전극과 대향하여 이격되어 배치된 제2 전극을 포함하고,상기 제1 전극은 홀들을 포함하는 할로우 케소드 영역을 포함하고,상기 할로우 케소드 영역은 복수의 서브 할로우 케소드 영역들로 분리되고,상기 홀들의 직경은 쉬스 길이의 3 내지 5 배이고,상기 서브 할로우 케소드 영역의 홀들은 트렌치를 통하여 서로 연결되고,상기 트렌치는 상기 제2 전극을 바라보는 상기 제1 전극의 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생 장치
|
| 10 |
10
삭제
|
