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고체 기판; 하기 화학식 1의 수산화 벤젠-아민계 화합물이 상기 고체 기판 상부에 코팅된 코팅층; 및 상기 코팅층에 중합된 생분해성 고분자를 포함하는 표면이 개질된 고체 기판:
[화학식 1]
(여기서, X는 H 또는 OH이며; Y1은 H, -(CH2)n-OH, 또는 -(CH2)n-OCONH-Y2이되, 두 개의 치환기 Y1이 동시에 H는 아니고, 상기 Y2는 말단에 OH를 가지는 분자량 1000이하의 저분자량 분자(small molecule) 또는 폴리에틸렌글리콜과 폴록사머(poloxamer)를 포함하는 고분자(polymer)이고; n은 0 및 양의 정수이다
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제 1항에 있어서, 상기 고체 기판의 재료는 고분자계 물질, 귀금속류 물질, 금속류 물질, 산화금속류 물질, 세라믹계 물질, 비금속류 물질 및 3-5, 2-6족 화합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판
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제 2항에 있어서, 상기 고분자계 물질은 폴리테트라플루오르에틸렌 (polytetrafluoroethylene), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리우레탄(polyurethane), 니트로셀룰로스(nitrocellulose), 초산 셀룰로스(cellulose acetate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리염화비닐(polyvinyl chloride) 폴리에틸렌 텔레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 및 폴리에테르 에테르 케톤(polyetheretherketone)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판
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제 2항에 있어서, 상기 귀금속류 물질은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)를 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판
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제 2항에 있어서, 상기 금속류 물질은 강철(steel) 또는 티타늄(Ti)인 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판
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제 2항에 있어서, 상기 산화금속류 물질은 산화규소(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 및 산화니오븀(Nb2O5)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판
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7
제 2항에 있어서, 상기 세라믹계 물질은 수산화인회석(hydroxyapatite), 유리(glass), 및 석영(quartz)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판
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8
제 2항에 있어서, 상기 비금속류 물질은 실리콘 또는 실리콘 고무인 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판
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제 2항에 있어서, 상기 3-5, 2-6족 화합물은 NiTi, GaAs, CdSe, PbSe, 및 ZnSe를 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판
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10
제 1항에 있어서, 상기 수산화 벤젠-아민계 화합물은 노에피네프린 또는 메틸노에피네프린인 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판
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11
제 1항에 있어서, 상기 생분해성 고분자는 폴리카프로락톤 또는 폴리카프로락탐인 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판
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12
하기 화학식 1의 구조를 갖는 수산화 벤젠-아민계 화합물을 염기성 용매에 용해시키는 단계(단계 1);
상기 용해된 수산화 벤젠-아민계 화합물을 고체 기판 표면에 코팅하는 단계(단계 2);
상기 코팅된 고체 기판 표면을 세척하는 단계(단계 3); 및
상기 세척된 고체 기판 표면상에 촉매를 이용하여 생분해성 고분자를 중합시키는 단계(단계 4)를 포함하는 고체 기판 표면개질 방법:
[화학식 1]
(여기서, X는 H 또는 OH이며; Y1은 H, -(CH2)n-OH, 또는 -(CH2)n-OCONH-Y2이되, 두 개의 치환기 Y1이 동시에 H는 아니고, 상기 Y2는 말단에 OH를 가지는 분자량 1000이하의 저분자량 분자(small molecule) 또는 폴리에틸렌글리콜과 폴록사머(poloxamer)를 포함하는 고분자(polymer)이고; n은 0 및 양의 정수이다
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13
제 12항에 있어서, 상기 단계 1의 수산화 벤젠-아민계 화합물은 노에피네프린 또는 메틸노에피네프린인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법
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제 12항에 있어서, 상기 단계 1의 염기성 용매의 pH는 7 내지 12인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법
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제 12항에 있어서, 상기 단계 2의 고체 기판의 재료는 고분자계 물질, 귀금속류 물질, 금속류 물질, 산화금속류 물질, 세라믹계 물질, 비금속류 물질 및 3-5, 2-6족 화합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법
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16
제 15항에 있어서, 상기 고분자계 물질은 폴리테트라플루오르에틸렌 (polytetrafluoroethylene), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리우레탄(polyurethane), 니트로셀룰로스(nitrocellulose), 초산 셀룰로스(cellulose acetate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리염화비닐(polyvinyl chloride) 폴리에틸렌 텔레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 및 폴리에테르 에테르 케톤(polyetheretherketone)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법
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제 15항에 있어서, 상기 귀금속류 물질은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)를 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법
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제 15항에 있어서, 상기 금속류 물질은 강철(steel) 또는 티타늄(Ti)인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법
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제 15항에 있어서, 상기 산화금속류 물질은 산화규소(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 및 산화니오븀(Nb2O5)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법
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20
제 15항에 있어서, 상기 세라믹계 물질은 수산화인회석(hydroxyapatite), 유리(glass), 및 석영(quartz)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법
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제 15항에 있어서, 상기 비금속류 물질은 실리콘 또는 실리콘 고무인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법
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제 15항에 있어서, 상기 3-5, 2-6족 화합물은 NiTi, GaAs, CdSe, PbSe, 및 ZnSe를 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법
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제 12항에 있어서, 상기 단계 2는 수산화 벤젠-아민계 화합물이 용해된 염기성 용액에 고체 기판을 10 분 내지 24 시간동안 담금으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법
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제 12항에 있어서, 상기 단계 3은 물, 메탄올 및 에탄올을 포함하는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 용매를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법
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제 12항에 있어서, 상기 단계 4의 촉매는 주석 화합물, 알루미늄 화합물, 티타늄 화합물, 및 수은화합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법
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제 12항에 있어서, 상기 단계 4에서 고분자를 중합시키기 위하여 사용되는 단량체는 락톤계 또는 락탐계 단량체인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법
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27
제 26항에 있어서, 상기 락톤계 단량체는 카프로락톤(caprolactone) 또는 락타이드(lactide)인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법
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