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침상 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법 및 이에 따라 제조되는침상전계방출형전자빔에미터

  • 기술번호 : KST2014047237
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 침상 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 침상 전계방출형 전자빔 에미터에 관한 것으로, 상세하게는 탄소나노튜브와 소결성 바인더 및 휘발성 용매를 혼합하여 탄소나노튜브 페이스트를 제조하는 단계(단계 1); 침상 음극 기판과 이격되도록 페이스트 지지 기판을 구비하는 단계(단계 2); 상기 단계 1에서 제조된 탄소나노튜브 페이스트를 상기 단계 2의 침상 음극 기판과 페이스트 지지 기판의 이격된 공간에 액상 방울로 떨어뜨려, 침상 음극 기판을 코팅하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3에서 탄소나노튜브 페이스트가 코팅된 침상 음극 기판을 건조하고 소결하는 단계(단계 4)를 포함하는 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 1/304 (2006.01)
CPC H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1020110021961 (2011.03.11)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1151353-0000 (2012.05.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.11)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조성오 대한민국 대전광역시 유성구
2 허성환 대한민국 대전광역시 유성구
3 유승화 대한민국 서울특별시 강남구
4 김현진 대한민국 경북 상주시
5 하준목 대한민국 경상남도 창녕군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0179303-43
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0173558-19
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0299223-15
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0299222-69
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0292747-55
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소나노튜브와 소결성 바인더 및 휘발성 용매를 혼합하여 탄소나노튜브 페이스트를 제조하는 단계(단계 1);침상 음극 기판과 이격되도록 페이스트 지지 기판을 구비하는 단계(단계 2); 상기 단계 1에서 제조된 탄소나노튜브 페이스트를 상기 단계 2의 침상 음극 기판과 페이스트 지지 기판의 이격된 공간에 액상 방울로 떨어뜨려, 침상 음극 기판을 코팅하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3에서 탄소나노튜브 페이스트가 코팅된 침상 음극 기판을 건조하고 소결하는 단계(단계 4)를 포함하는 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 탄소나노튜브는 구경이 1 내지 50 nm이고, 길이가 1 내지 50 μm인 것을 특징으로 하는 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 소결성 바인더는 에틸 메타아크릴레이트(Ethyl methacrylate), n-부틸 메타아크릴레이트(n-Butyl methacrylate) 또는 메틸/n-부틸 메타아크릴레이트 공중합체(Methyl/n-butyl Methacrylate copolymer)인 탄소기반 고분자 바인더로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 소결성 바인더는 마그네슘, 알루미늄, 인듐, 납, 주석 및 아연 분말로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 소결성 바인더는 금, 은, 구리, 망간, 니켈, 철 및 티타늄 분말로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 소결성 바인더는 알루미늄, 금, 구리, 철, 인듐, 니켈, 주석 및 티타늄 분말로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 탄소나노튜브 및 소결성 바인더는 휘발성 용매에 대하여 각각 0
8 8
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 탄소나노튜브와 소결성 바인더는 1 : 2 ~ 1 : 4인 몰비로 혼합되고, 탄소나노튜브와 소결성 바인더의 총 함량은 용매에 대하여 4 중량%인 것을 특징으로 하는 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 탄소나노튜브 페이스트의 점도는 0
10 10
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 침상 음극 기판은 직경이 0
11 11
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 침상 음극 기판의 재질은 텅스텐, 철, 니켈, 티타늄, 은, 구리, 및 코바(kovar)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 침상 음극 기판은 수평 또는 수직방향으로 설치되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 침상 음극 기판과 페이스트 지지 기판의 이격된 거리는 0
14 14
제3항에 있어서, 상기 단계 4의 소결은 50 내지 200 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
15 15
제4항에 있어서, 상기 단계 4의 소결은 200 내지 600 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
16 16
제5항에 있어서, 상기 단계 4의 소결은 600 내지 1200 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
17 17
제6항에 있어서, 상기 단계 4의 소결은 10-1 ~ 10-7 torr의 진공상태에서 200 내지 1200 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
18 18
제1항에 있어서, 상기 단계 4의 소결이 수행된 후 소결된 음극 기판 표면을 플라즈마 이온 에칭 또는 접착테이프를 통하여 정결(淨潔)시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
19 19
제1항의 제조방법으로 제조되어 표면에 탄소나노튜브 전계방출원이 코팅된 전계방출형 전자빔 에미터
20 20
제19항에 있어서, 전계방출형 전자빔 에미터는 소형 전자총 제조에 이용되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 전자빔 에미터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 고유강점기술육성 전계방출원을 이용한 암 치료용 초소형 X-선 의료기기 개발
2 지식경제부 한국과학기술원 산업원천기술육성 다방향 강내형 X-선 영상시스템용 초소형 X선 튜브 개발