맞춤기술찾기

이전대상기술

유기 다이오드

  • 기술번호 : KST2014047293
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 다이오드에 관한 것이다. 보다 상세하게는 전하이동도가 높은 n형 유기 반도체와 p형 금속 산화물 반도체를 이용하여 저전압에서 동작 가능하며 높은 순방향 전류와 낮은 역방향 전류 특성을 갖도록 한 유기 다이오드에 관한 것이다. 본 발명은 기판 상부에 형성되며 풀러린(Fullerene)을 포함하는 전자 수송층, 상기 기판과 상기 전자 수송층 사이에 형성되며 상기 전자 수송층과 정류 접합이 이루어지는 제1 전극층, 및 상기 전자 수송층 상부에 형성되며 상기 전자 수송층과 오믹(Ohmic) 접합이 이루어지는 제2 전극층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 전하의 이동 방향이 기판에 대하여 수직 방향인 MIM 구조를 가지면서도 종래의 유기 다이오드와 비교시에 높은 순방향 전류와 매우 낮은 역방향 전류를 갖는 것이 가능한 효과를 갖는다.
Int. CL H01L 51/54 (2006.01)
CPC H01L 51/0587(2013.01) H01L 51/0587(2013.01)
출원번호/일자 1020100016768 (2010.02.24)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1087702-0000 (2011.11.22)
공개번호/일자 10-2011-0097113 (2011.08.31) 문서열기
공고번호/일자 (20111130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.24)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 유승협 대한민국 대전광역시 유성구
2 임동모 대한민국 전라남도 진도군
3 문한얼 대한민국 부산광역시 금정구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0121702-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0036701-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0265203-73
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0548929-69
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0548928-13
7 등록결정서
Decision to grant
2011.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0663377-22
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 형성되며 풀러린(Fullerene)을 포함하는 전자 수송층;상기 기판과 상기 전자 수송층 사이에 형성되며 상기 전자 수송층과 정류 접합이 이루어지는 제1 전극층; 및상기 전자 수송층 상부에 형성되며 상기 전자 수송층과 오믹(Ohmic) 접합이 이루어지는 제2 전극층을 포함하고,상기 제1 전극층은 상기 기판 상부에 형성되는 제1 전극판, 상기 제1 전극판 상부에 형성되는 금속 산화물층, 및 상기 금속 산화물층 상부에 형성되는 자기조립 단층(Self -Assembled Monolayer:SAM)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 다이오드
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 금속 산화물층은 텅스텐 산화물, 몰리브덴 산화물, 바나디움 산화물, 또는 니켈 산화물 중 어느 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 다이오드
5 5
제 1항에 있어서,상기 자기조립 단층은 HDMS(HexaMethylDiSilazane) 또는 ODS(OctaDecyltrimethoxySilane)인 것을 특징으로 하는 유기 다이오드
6 6
제 1항에 있어서,상기 제2 전극층은 상기 전자 수송층 상부에 형성되는 버퍼층 및 상기 버퍼층 상부에 형성되는 제2 전극판을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 다이오드
7 7
제 6항에 있어서,상기 제2 전극판은 칼슘, 마그네슘, 은, 또는 알루미늄 중 어느 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 다이오드
8 8
제 6항에 있어서,상기 버퍼층은 bathocuproine(BCP), bathophenanthroline(BPhen),8-hydroxyquinolatolithium (Liq), LiF, CsF, BaF2, CS2CO3, TiOx, ZnO 중 어느 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.