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마이크로 기전 스위치(micro-mechanical switch)의 스위칭 소자에 있어서,한쌍의 접점소자(41, 42); 및탄소나노튜브 어레이(CNT array, Carbon Nano Tube array)를 접촉 재료로 하여 상기 접점소자(41, 42)간의 접촉부 각각에 합성되는 CNT접촉층(50);을 포함하는 정렬된 탄소나노튜브 어레이를 접촉 재료로 사용하는 마이크로 기전 스위치의 스위칭 소자
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제1항에 있어서,상기 접점소자(41, 42)는,상호 접촉되거나 이격되는 수평방향 상대이동에 의해 온/오프 스위칭을 구현하는 것을 특징으로 하는 정렬된 탄소나노튜브 어레이를 접촉 재료로 사용하는 마이크로 기전 스위치의 스위칭 소자
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제1항에 있어서,온/오프 스위칭 구동 시, 상기 CNT접촉층(50)간의 접촉에 의해 상기 접점소자(41, 42)에 연결된 전극간의 통전이 이루어지는 것을 특징으로 하는 정렬된 탄소나노튜브 어레이를 접촉 재료로 사용하는 마이크로 기전 스위치의 스위칭 소자
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제1항에 있어서,상기 CNT접촉층(50)은,상기 탄소나노튜브 어레이(CNT array, Carbon Nano Tube array)의 단부가 접촉면 전반에 걸쳐 연속된 경계면을 이루는 것을 특징으로 하는 마이크로 기전 스위치의 스위칭 소자
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제4항에 있어서,상기 CNT접촉층(50)은,상기 CNT접촉층(50) 중 일측의 접촉면에 볼록한 요철부가 형성되면, 상기 요철부와 접촉되는 타측의 접촉면상에는 상기 접촉부와 대응되는 형상의 오목부가 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 기전 스위치의 스위칭 소자
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마이크로 기전 스위치에 구비되는 스위칭 소자의 제조방법에 있어서,상호 이격되게 배치되는 한쌍의 접점소자(41, 42)를 형성하는 접점소자형성단계; 및상기 접점소자(41, 42)간의 접촉부 각각에 탄소나노튜브 어레이(CNT array, Carbon Nano Tube array)를 합성하되, 상기 탄소나노튜브의 길이방향 증식에 의해 상기 접점소자(41, 42) 각각에 합성된 탄소나노튜브간의 상호 접촉이 이루어지도록 형성하는 CNT합성단계;를 포함하는 마이크로 기전 스위치의 스위칭 소자 제조방법
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제6항에 있어서,상기 CNT합성단계는,화학기상증착법(CVD, Chemical Vapor Deposition)에 의해 상기 접점소자(41, 42)간의 접촉부 각각에 상기 탄소나노튜브 어레이(CNT array, Carbon Nano Tube array)를 동시 형성하여 상기 접점소자(41, 42)간의 간극 중간 지점에서 탄소나노튜브 어레이간 접촉이 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 기전 스위치의 스위칭 소자 제조방법
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제7항에 있어서,상기 CNT합성단계는,상호 대향되는 방향으로 성장 중인 탄소나노튜브 어레이(CNT array, Carbon Nano Tube array)간 접촉에 의해 연속된 경계면을 가지는 균일한 두께로 CNT접촉층(50)을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 기전 스위치의 스위칭 소자 제조방법
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제6항에 있어서,상기 CNT합성단계는,화학기상증착법(CVD, Chemical Vapor Deposition)에 의해 탄소나노튜브(CNT, Carbon Nano Tube)를 합성하되, 상기 접점소자(41, 42)간 초기간격을 초과하여 상기 접점소자(41, 42)를 밀어내도록 성장시켜, 상기 접점소자(41, 42)간의 접촉방향으로 작용하는 가압력에 해당되는 접촉압력으로 상기 탄소나노튜브 어레이가 상호 접촉된 초기 상태를 구현하는 것을 특징으로 하는 마이크로 기전 스위치의 스위칭 소자 제조방법
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마이크로 기전 스위치(micro-mechanical switch)에 있어서,소스(source) 전극(10);상기 소스 전극(10) 양측에 형성되는 드레인(drain) 전극(20);상기 드레인 전극(20)을 사이에 두고 상기 소스 전극(10) 반대측에 형성되는 게이트(gate) 전극(30);상기 소스 전극(10)에 연결형성되는 제1접점소자(41);기계적 스프링(22)에 의해 상기 드레인 전극(20)에 이동가능하게 연결되는 셔틀(shuttle)(21);상기 제1접점소자(41)와 접촉되는 상기 셔틀(21)의 일단부에 형성되는 제2접점소자(42);탄소나노튜브 어레이(CNT array, Carbon Nano Tube array)를 접촉 재료로 하여 상기 제1, 2접점소자(41, 42)간의 접촉부 각각에 합성되는 CNT접촉층(50);상기 셔틀(21)의 타단부에 연결형성되는 콤드라이브의 구동자 전극(61); 및상기 게이트 전극(30)에 연결형성되며, 상기 게이트 전극(30)에 인가된 전압에 의해 상기 구동자 전극(61) 및 셔틀(21)을 이동시켜 상기 CNT접촉층(50)을 상호 이격시키는 콤드라이브의 고정자 전극(62);을 포함하는 정렬된 탄소나노튜브 어레이를 접촉 재료로 사용하는 마이크로 기전 스위치
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제10항에 있어서,상기 CNT접촉층(50)은,상기 제1접점소자(41)의 단부에 합성되는 제1CNT접촉층(51); 및상기 제1CNT접촉층(51)과 접촉되거나 분리되는 수평방향 변위를 가지는 상기 제2접점소자(42)의 단부에 합성되어 상기 제1CNT접촉층(51)과 함께 상기 탄소나노튜브 어레이-탄소나노튜브 어레이 접촉을 구현하는 제2CNT접촉층(52);을 포함하는 정렬된 탄소나노튜브 어레이를 접촉 재료로 사용하는 마이크로 기전 스위치
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제10항에 있어서,상기 CNT접촉층(50)은,상기 제1, 2접점소자(41, 42)간의 접촉부 각각에 동일한 두께로 형성되어 상기 제1, 2접점소자(41, 42)간의 간극 중간 지점에서 상호 접촉이 이루어지는 것을 특징으로 하는 정렬된 탄소나노튜브 어레이를 접촉 재료로 사용하는 마이크로 기전 스위치
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제10항에 있어서,상기 CNT접촉층(50)은,상기 게이트 전극(30)에 전압이 인가되기 이전에, 상기 스프링(22)에 의해 상호 탄성가압된 상태로 접촉된 초기 상태를 가지는 것을 특징으로 하는 정렬된 탄소나노튜브 어레이를 접촉 재료로 사용하는 마이크로 기전 스위치
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마이크로 기전 스위치의 제조방법에 있어서,웨이퍼상에 소스(source) 전극(10), 드레인(drain) 전극(20), 게이트(gate) 전극(30)과, 상기 소스 전극(10)과 드레인 전극(20)에 각각에 연결된 제1, 2접점소자(41, 42)를 가지는 마이크로 구조물을 제작하는 구조물형성단계; 및상기 마이크로 구조물의 제1, 2접점소자(41, 42)간 접촉부 각각에 탄소나노튜브 어레이를 합성하되, 상기 제1, 2접점소자(41, 42)간 초기간격을 초과하도록 성장시켜, 상기 제1, 2접점소자(41, 42)의 간격변화에 따른 가압력에 해당되는 접촉압력으로 상기 탄소나노튜브 어레이가 상호 접촉된 초기 상태를 구현하는 CNT합성단계;를 포함하는 마이크로 기전 스위치의 제조방법
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