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산화물 박막 트랜지스터 제조 기술

  • 기술번호 : KST2014047395
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 제조방법은 기판 위에 제1전구체 용액을 도포하는 단계, 그리고 상기 기판 위에 제2전구체 용액을 도포하는 단계를 포함하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 제1전구체 용액으로부터 산화물 반도체 박막을, 상기 제2전구체 용액으로부터 산화물 절연체 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02628(2013.01)
출원번호/일자 1020110057252 (2011.06.14)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0138012 (2012.12.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.14)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울특별시 송파구
2 김시준 대한민국 서울특별시 노원구
3 김두나 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 김동림 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0446446-59
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0503283-19
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.08.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0066687-20
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0546357-98
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0921327-23
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0191971-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 제1전구체 용액을 도포하는 단계; 그리고상기 기판 위에 제2전구체 용액을 도포하는 단계; 를 포함하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 제1전구체 용액으로부터 산화물 반도체 박막을, 상기 제2전구체 용액으로부터 산화물 절연체 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1전구체 용액 및 상기 제2전구체 용액은 서로 다른 극성을 갖는 용매를 사용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
3 3
제2 항에 있어서,상기 서로 다른 극성을 갖는 용매는 극성 용매 및 무극성 용매를 포함하고, 상기 극성 용매는 아세트산, 암모니아, 물, 메탄올, 에탄올, 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 폼아마이드(formamide) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하며, 상기 무극성 용매는 아세톤, 벤젠, 클로로포름, 디메틸술폭시드(dimethylsulfoxide), 디옥산, 디메틸포름아미드(dimethylformamide), 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
4 4
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1전구체 용액은 ZrInZnO, HfInZnO, HfO2, TiO2, MgZnO 및 TiSrO3 중에서 적어도 어느 하나의 물질을 전구체 물질로 사용하고,상기 제2전구체 용액은 InGaZnO, ZnO, InZnO, AlInZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, GaInZnO, SnO2, WO3, Ta2O5, In2O3SnO2, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2 및 Nb2O5 중에서 적어도 어느 하나의 물질을 전구체 물질로 사용하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 열처리는 용액 안정제 또는 유기물을 제거하여 산화물 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
6 6
제1 항에 있어서,상기 제1전구체 용액을 도포한 기판을 열처리하는 제1 전-열처리(pre-baking) 단계; 그리고상기 제2전구체 용액을 도포한 기판을 열처리하는 제2 전-열처리 단계; 를 더 포함하고, 상기 제1전구체 용액과 상기 제2전구체 용액은 같은 극성의 용매를 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
7 7
제6 항에 있어서,상기 용매는 극성 용매 및 무극성 용매를 포함하고,상기 극성 용매는 아세트산, 암모니아, 물, 메탄올, 에탄올, 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 폼아마이드(formamide) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하며, 상기 무극성 용매는 아세톤, 벤젠, 클로로포름, 디메틸술폭시드(dimethylsulfoxide), 디옥산, 디메틸포름아미드(dimethylformamide), 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
8 8
제6 항 또는 제7 항에 있어서,상기 제1 전 열처리 단계 및 상기 제2 전 열처리 단계는 150℃ 내지 300℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
9 9
기판 위에 극성을 갖는 전구체 용액을 도포하는 단계;상기 기판 위에 무극성을 갖는 전구체 용액을 도포하는 단계; 그리고상기 기판을 열처리하는 단계;를 포함하는 산화물 박막 제조방법
10 10
제9 항에 있어서,상기 극성을 갖는 전구체 용액은 극성 용매를 사용하여 제조되며,상기 극성 용매는 아세트산, 암모니아, 물, 메탄올, 에탄올, 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 폼아마이드(formamide) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
11 11
제9 항에 있어서,상기 무극성을 갖는 전구체 용액은 무극성 용매를 사용하여 제조되며,상기 무극성 용매는 아세톤, 벤젠, 클로로포름, 디메틸술폭시드(dimethylsulfoxide), 디옥산, 디메틸포름아미드(dimethylformamide), 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
12 12
제9 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 극성을 갖는 전구체 용액은 InGaZnO, ZnO, InZnO, AlInZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, GaInZnO, SnO2, WO3, Ta2O5, In2O3SnO2, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2 및 Nb2O5 중에서 적어도 어느 하나의 물질을 전구체 물질로 사용하고,상기 무극성을 갖는 전구체 용액은 ZrInZnO, HfInZnO, HfO2, TiO2, MgZnO 및 TiSrO3 중에서 적어도 어느 하나의 물질을 전구체 물질로 사용하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
13 13
제9 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 무극성을 갖는 전구체 용액은 InGaZnO, ZnO, InZnO, AlInZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, GaInZnO, SnO2, WO3, Ta2O5, In2O3SnO2, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2 및 Nb2O5 중에서 적어도 어느 하나의 물질을 전구체 물질로 사용하고,상기 극성을 갖는 전구체 용액은 ZrInZnO, HfInZnO, HfO2, TiO2, MgZnO 및 TiSrO3 중에서 적어도 어느 하나의 물질을 전구체 물질로 사용하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
14 14
기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 기판 위에 제1전구체 용액을 도포하는 단계;상기 기판 위에 제2전구체 용액을 도포하는 단계; 상기 기판을 열처리하는 단계; 그리고상기 기판 위에 소오스-드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제1전구체 용액으로부터 산화물 절연체 박막을, 상기 제2전구체 용액으로부터 산화물 반도체 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
15 15
제14 항에 있어서,상기 제1전구체 용액 및 상기 제2전구체 용액은 서로 다른 극성을 갖는 용매를 사용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
16 16
제15 항에 있어서,상기 서로 다른 극성을 갖는 용매는 극성 용매 및 무극성 용매를 포함하고, 상기 극성 용매는 아세트산, 암모니아, 물, 메탄올, 에탄올, 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 폼아마이드(formamide) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하며, 상기 무극성 용매는 아세톤, 벤젠, 클로로포름, 디메틸술폭시드(dimethylsulfoxide), 디옥산, 디메틸포름아미드(dimethylformamide), 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
17 17
제14 항 내지 제16 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1전구체 용액은 ZrInZnO, HfInZnO, HfO2, TiO2, MgZnO 및 TiSrO3 중에서 적어도 어느 하나의 물질을 전구체 물질로 사용하고,상기 제2전구체 용액은 InGaZnO, ZnO, InZnO, AlInZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, GaInZnO, SnO2, WO3, Ta2O5, In2O3SnO2, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2 및 Nb2O5 중에서 적어도 어느 하나의 물질을 전구체 물질로 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
18 18
제14 항에 있어서,상기 제1전구체 용액을 도포한 기판을 열처리하는 제1 전 열처리(pre-baking) 단계; 그리고상기 제2전구체 용액을 도포한 기판을 열처리하는 제2 전 열처리 단계; 를 더 포함하고, 상기 제1전구체 용액과 상기 제2전구체 용액은 같은 극성의 용매를 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
19 19
제18 항에 있어서,상기 제1 전 열처리 단계 및 상기 제2 전 열처리 단계는 150℃ 내지 300℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
20 20
제14 항에 있어서,상기 산화물 반도체 박막은 채널층을, 상기 산화물 절연체 박막은 게이트 절연층을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
21 21
제14항 내지 제20항 중 어느 한 항의 방법을 사용하여 제조된 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(도약연구사업) 차세대 디스플레이를 위한 SBS (Solution Based Si) 박막 및 ASB (All Solution Based) TFT기술개발