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산화물 박막 및 박막 트랜지스터 제조 기술

  • 기술번호 : KST2014047499
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는 산화물 박막 제조방법 및 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 제조방법은 기판 위에 산화물 박막을 형성하는 단계, 그리고 상기 산화물 박막의 산소 정공의 농도를 증가시키는 단계를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 제조방법을 통해 제조된 산화물 박막을 박막 트랜지스터의 채널층으로 사용할 수 있다. 이 경우 전기전도도가 우수한 박막 트랜지스터를 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020110051718 (2011.05.30)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1262325-0000 (2013.05.02)
공개번호/일자 10-2012-0134161 (2012.12.12) 문서열기
공고번호/일자 (20130509) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.25)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울특별시 송파구
2 윤두현 대한민국 서울특별시 서초구
3 김시준 대한민국 서울특별시 노원구
4 정주혜 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0406200-19
2 청구범위 제출유예 안내서
Notification for Deferment of Submission of Claims		 2011.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0048795-36
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0566538-32
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0571360-20
5 보정요구서
Request for Amendment		 2011.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0069304-80
6 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2011.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0593063-80
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0503258-88
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0073780-33
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0605474-49
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1027591-68
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-1027592-14
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
15 등록결정서
Decision to grant		 2013.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0281501-18
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
기판 위에 산화물 박막을 형성하는 단계; 그리고상기 산화물 박막의 산소 정공의 농도를 증가시키는 단계를 포함하며,상기 산소 정공의 농도를 증가시키는 단계는 상기 기판을 -150℃ 내지 -200℃로 냉각시키는 단계를 포함하고, 상기 산소 정공의 농도를 증가시키는 단계는 냉각시킨 상기 기판을 100℃ 내지 200℃로 가열하는 열처리 단계를 더 포함하는산화물 박막 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서,상기 기판을 냉각시키는 단계는 액체질소, 액체헬륨, 액체산소 또는 액체수소를 냉매로 사용하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
4 4
제1 항 또는 제3 항에 있어서,상기 기판을 냉각시키는 단계는 상기 기판이 상기 냉매와 열적 평형을 형성할 때까지 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
5 5
제4 항에 있어서,상기 열적 평형을 형성하는 시간은 1분 내지 5분인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
6 6
삭제
7 7
제1 항에 있어서,상기 열처리 단계 이후에 상기 냉각시키는 단계를 반복하여 목표로 하는 산소 정공 농도를 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
8 8
제1 항에 있어서,상기 산화물 박막은 InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, AlInZnO, GaZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, HfInZnO, SnO2, In2O3SnO2, MgZnO, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2 및 NiO 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 상기 물질들의 화합물을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
9 9
채널막을 포함하는 반도체 소자 제조방법에 있어서,기판 위에 채널막을 형성하는 단계; 상기 기판을 액체질소를 사용하여 -150℃ 내지 -200℃로 냉각시키는 단계; 그리고냉각시킨 상기 기판을 100℃ 내지 200℃로 가열하는 열처리 단계를 포함하는 반도체 소자 제조방법
10 10
제9 항에 있어서,상기 채널막은 산화물 박막을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
11 11
기판 위에 산화물 박막을 형성하는 단계; 그리고상기 산화물 박막의 에너지 밴드갭을 감소시키는 단계를 포함하고,상기 산화물 박막의 에너지 밴드갭을 감소시키는 단계는 상기 기판을 -150℃ 내지 -200℃로 냉각시키는 단계를 포함하고,상기 산화물 박막의 에너지 밴드갭을 감소시키는 단계는 냉각시킨 상기 기판을 100℃ 내지 200℃로 가열하는 열처리 단계를 더 포함하는 산화물 박막 제조방법
12 12
삭제
13 13
기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 기판 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 기판 위에 채널층을 형성하는 단계; 그리고상기 기판 위에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 채널층을 형성하는 단계는 상기 기판 위에 산화물 박막을 형성하고, 상기 산화물 박막의 산소 정공 농도를 증가시키는 단계를 포함하고,상기 산소 정공의 농도를 증가시키는 단계는 상기 기판을 -150℃ 내지 -200℃로 냉각시키는 단계를 포함하고, 상기 산소 정공의 농도를 증가시키는 단계는 냉각시킨 상기 기판을 100℃ 내지 200℃로 가열하는 열처리 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 제조방법
14 14
삭제
15 15
제13 항에 있어서,상기 기판을 냉각시키는 단계는 액체질소, 액체헬륨, 액체산소 또는 액체수소를 냉매로 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
16 16
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(도약연구사업) 차세대 디스플레이를 위한 SBS (Solution Based Si) 박막 및 ASB (All Solution Based) TFT기술개발