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단일벽 탄소 나노튜브를 포함하는 고분자 발광 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014047650
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 교류 전계에 의한 고분자 발광 소자에 관한 기술로서, 더욱 구체적으로는 본 발명은 고분자 발광 소자에 단일벽 탄소나노튜브(SWNT, Single Wall Carbon Nanotube)을 혼합하여 제조한 박막을 발광층으로 사용하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01) H05B 33/10 (2006.01) H05B 33/14 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/0034(2013.01) H01L 51/0034(2013.01) H01L 51/0034(2013.01) H01L 51/0034(2013.01) H01L 51/0034(2013.01)
출원번호/일자 1020110073488 (2011.07.25)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1299337-0000 (2013.08.16)
공개번호/일자 10-2013-0012346 (2013.02.04) 문서열기
공고번호/일자 (20130826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.25)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철민 대한민국 서울특별시 마포구
2 성진우 대한민국 서울특별시 관악구
3 최연식 대한민국 서울특별시 서초구
4 조성환 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0571788-57
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0051139-82
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0178986-43
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0359884-94
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0359885-39
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0343037-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 형성된 하부전극; 상기 하부전극 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 형성된 유기 발광 고분자, SWNT(single wall carbon nanotube) 및 블록공중합체를 포함하는 나노복합체 박막; 및 상기 나노복합체 박막 상에 형성된 상부전극을 포함하여 이루어지며,상기 유기 발광 고분자는 F8BT(poly[(9,9-di-n-octylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-(benzo[2,1,3]thiadiazol-4,8-diyl)]), MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]) 및 PFO(poly(9,9-di-n-octylfluorenyl-2,7-diyl)) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 SWNT를 포함하는 고분자 발광 소자
2 2
제1항에서, 상기 기판은 유리기판 또는 투명성 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 SWNT를 포함하는 고분자 발광 소자
3 3
제1항에서, 상기 하부전극은 투명성 전극인 것을 특징으로 하는 SWNT를 포함하는 고분자 발광 소자
4 4
제3항에서, 상기 하부전극이 ITO(Indium Tin Oxide) 전극인 것을 특징으로 하는 SWNT를 포함하는 고분자 발광 소자
5 5
제1항에서, 상기 절연층으로 SiO2 또는 PVP(poly(4-vinylphenol))인 것을 특징으로 하는 SWNT를 포함하는 고분자 발광 소자
6 6
삭제
7 7
제1항에서, 상기 나노복합체 박막에서 유기 발광 고분자 중량 기준 SWNT는 5 내지 4 wt% 포함하는 것을 특징으로 하는 SWNT를 포함하는 고분자 발광 소자
8 8
제1항에서, 상기 블록공중합체는 공액(conjugation) 블록공중합체인 것을 특징으로 하는 SWNT를 포함하는 고분자 발광 소자
9 9
제8항에서, 상기 공액 블록공중합체가 PS-b-PPP(poly(styrene-block-paraphenylene)) 또는 PS-b-P4VP(poly(styrene-block-4-vinyl pyridine))인 것을 특징으로 하는 SWNT를 포함하는 고분자 발광 소자
10 10
기판 위에 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극 위에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 위에 유기 발광 고분자, SWNT, 블록공중합체 및 용매를 포함하는 혼합용액을 이용하여 나노복합체 박막을 형성하는 단계; 및상부전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며,상기 유기 발광 고분자는 F8BT(poly[(9,9-di-n-octylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-(benzo[2,1,3]thiadiazol-4,8-diyl)]), MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]) 및 PFO(poly(9,9-di-n-octylfluorenyl-2,7-diyl)) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 SWNT를 포함하는 고분자 발광 소자의 제조방법
11 11
제10항에서, 상기 혼합용액을 절연층 위에 스핀코팅하여 나노복합체 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 SWNT를 포함하는 고분자 발광 소자의 제조방법
12 12
제10항에서, 상기 기판은 유리기판 또는 투명성 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 SWNT를 포함하는 고분자 발광 소자의 제조방법
13 13
제10항에서, 상기 하부전극은 투명성 전극인 것을 특징으로 하는 SWNT를 포함하는 고분자 발광 소자의 제조방법
14 14
제13항에서, 상기 하부전극이 ITO(Indium Tin Oxide) 전극인 것을 특징으로 하는 SWNT를 포함하는 고분자 발광 소자의 제조방법
15 15
제10항에서, 상기 절연층으로 SiO2 또는 PVP(poly(4-vinylphenol))인 것을 특징으로 하는 SWNT를 포함하는 고분자 발광 소자의 제조방법
16 16
삭제
17 17
제10항에서, 상기 나노복합체 박막 형성단계의 혼합용액에서 유기 발광 고분자 중량 대비 SWNT는 0
18 18
제10항에서, 상기 블록공중합체는 공액(conjuation) 블록공중합체인 것을 특징으로 하는 SWNT를 포함하는 고분자 발광 소자의 제조방법
19 19
제18항에서, 상기 공액 블록공중합체가 PS-b-PPP(poly(styrene-b-paraphenylene)) 또는 PS-b-P4VP(poly(styrene-block-4-vinyl pyridine))인 것을 특징으로 하는 SWNT를 포함하는 고분자 발광 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.