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박막 트랜지스터 기반 바이오 센서 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014047665
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 원하는 바이오 물질을 감지하기 위한 박막 트랜지스터(TFT) 기반 바이오 센서 제조 방법이 제공되는데, 상기 방법은 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 상에 칼코지나이드 채널층을 형성하는 단계와; 상기 칼코지나이드 채널층 상에 원자층 증착법에 의해 부동태층을 형성하는 단계와; 포토레지스트를 이용하여, 소스/드레인 영역을 형성하고, 상기 소스/드레인 영역 상의 상기 부동태층을 제거하는 단계와; 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 부동태층은 상기 칼코지나이드 채널층을 외부의 환경으로부터 보호함과 아울러, 상기 채널층의 바이오 물질 센싱 감도를 향상시키는 고유전체 물질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G01N 27/414 (2006.01) G01N 33/483 (2006.01)
CPC G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01)
출원번호/일자 1020110047264 (2011.05.19)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1300564-0000 (2013.08.21)
공개번호/일자 10-2012-0129166 (2012.11.28) 문서열기
공고번호/일자 (20130827) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.19)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손현철 대한민국 서울특별시 강남구
2 오훈정 대한민국 경기도 고양시 덕양구
3 김종기 대한민국 서울특별시 은평구
4 이강준 대한민국 경기도 고양시 일산서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0373292-24
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.07.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.04 수리 (Accepted) 9-1-2012-0070016-65
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0622658-97
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-1044692-14
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0049981-87
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0140451-69
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0224378-71
10 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2013.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0030140-66
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0342244-07
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0342238-22
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
15 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0571124-88
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원하는 바이오 물질을 감지하기 위한 칼코지나이드 박막 트랜지스터(TFT) 기반 바이오 센서 제조 방법으로서,기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 상에 칼코지나이드 채널층을 형성하는 단계와;상기 칼코지나이드 채널층 상에 원자층 증착법에 의해 부동태층을 형성하는 단계와;포토레지스트를 이용하여, 소스/드레인 영역을 형성하고, 상기 소스/드레인 영역 상의 상기 부동태층을 제거하는 단계와;소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 부동태층은 상기 칼코지나이드 채널층을 외부의 환경으로부터 보호함과 아울러, 상기 채널층의 자연산화막에 의한 계면열화특성을 억제하여바이오 물질 센싱 감도를 향상시키는 고유전체 물질로 형성되고, 상기 부동태층은 SiOx, SiNx, AlN, BNx, PNx, HfO2, TiOx, TaOx, LaOx, YOx, GdOx, SeOx 및 TeOx 산화물 또는 질화물 또는 이들을 조합한 물질로 이루어지고, 상기 바이오 물질의 종류에 따라 선택되는 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 박막 트랜지스터 기반 바이오 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 부동태층은 5 nm 미만의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 박막 트랜지스터 기반 바이오 센서 제조 방법
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삭제
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 부동태층은 300℃ 이하의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기반 바이오 센서 제조 방법
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청구항 4에 있어서, 상기 칼코지나이드 채널층은 금속 셀레나이드, 설파이드, 텔루라이드, 옥사이드 및 이들의 조합으로부터 선택된 화합물을 포함하고, 상기 금속은 Cu, Zn, Cd, Ag, Ga, In, Sn, Hg, Ti, Pb 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기반 바이오 센서 제조 방법
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7 7
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8 8
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9 9
삭제
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패밀리정보가 없습니다
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