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탄소나노튜브층을 포함하는 태양전지
- 기술번호 : KST2014047800
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 탄소나노튜브층을 포함하는 태양전지를 제공한다. p형 반도체층과 n형 반도체층을 포함하는 p-n 접합 반도체층의 광입사면인 전면 상에 면내 전도성을 갖는 탄소나노튜브층이 위치한다. 이에 따르면, 탄소나노튜브층의 도입에 의해 소자에 가해지는 전기장의 세기를 증가시켜 광전변환효율을 향상시킬 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/06 (2006.01.01) H01L 31/04 (2014.01.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020110032564 (2011.04.08) |
| 출원인 | 한양대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1218452-0000 (2012.12.27) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0039436 (2011.04.18) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20130121) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020090038062 | 2009.04.30
|
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | 10-2010-0039911 (2010.04.29) |
| 관련 출원번호 | 1020100039911 |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.04.08) |
| 심사청구항수 | 4 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이휘건 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 2 | 이정우 | 대한민국 | 서울특별시 마포구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한양대학교 산학협력단 | 서울특별시 성동구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application |
2011.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0257023-72 |
| 2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.06.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0327849-13 |
| 3 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.08.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0627958-04 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.08.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0650837-17 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.08.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0650827-61 |
| 6 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.12.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0783719-60 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 p형 실리콘층과 n형 실리콘층을 포함하는 p-n 접합 실리콘층;상기 p-n 접합 실리콘층의 광입사면인 전면 상에 위치하고 면내 전도성을 갖는 탄소나노튜브층; 및상기 p-n 접합 실리콘층의 후면 상에 위치하는 후면 전극을 포함하는 실리콘 태양전지 |
| 2 |
2 제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브층 상에 위치하는 전면 전극을 더 포함하는 실리콘 태양전지 |
| 3 |
3 p형 실리콘층과 n형 실리콘층을 포함하는 p-n 접합 실리콘층을 제공하는 단계;상기 p-n 접합 실리콘층의 광입사면인 전면 상에 면내 전도성을 갖는 탄소나노튜브층을 형성하는 단계; 및상기 p-n 접합 실리콘층의 후면 상에 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 태양전지 제조방법 |
| 4 |
4 제3항에 있어서,상기 탄소나노튜브층은 스프레이(spray)법 또는 스크린 프린팅(screen printing)법을 이용하여 형성하는 실리콘 태양전지 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN102414840 | CN | 중국 | FAMILY |
| 2 | EP02432027 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 3 | JP05326041 | JP | 일본 | FAMILY |
| 4 | JP24525699 | JP | 일본 | FAMILY |
| 5 | KR101039156 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 6 | KR101218417 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 7 | US20120042952 | US | 미국 | FAMILY |
| 8 | WO2010126314 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
| 9 | WO2010126314 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN102414840 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | EP2432027 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 3 | EP2432027 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 4 | JP2012525699 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 5 | JP5326041 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 6 | KR101039156 | KR | 대한민국 | DOCDBFAMILY |
| 7 | KR101218417 | KR | 대한민국 | DOCDBFAMILY |
| 8 | KR20100119516 | KR | 대한민국 | DOCDBFAMILY |
| 9 | KR20110039435 | KR | 대한민국 | DOCDBFAMILY |
| 10 | US2012042952 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 11 | WO2010126314 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 12 | WO2010126314 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육과학기술부 | 한양대학교 산학협력단 | 기초연구사업(일반연구자지원사업) | 3차원 배열 나노튜브를 이용한 신개념 기체센서 연구 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1218452-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20110408 출원 번호 : 1020110032564 공고 연월일 : 20130121 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121224 청구범위의 항수 : 4 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 탄소나노튜브층을 포함하는 태양전지 존속기간(예정)만료일 : 20181228 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 100,500 원 | 2012년 12월 27일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 89,600 원 | 2015년 10월 12일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 89,600 원 | 2016년 10월 04일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 89,600 원 | 2017년 09월 26일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
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- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [분할출원]특허출원서 | 2011.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0257023-72 |
| 2 | 의견제출통지서 | 2012.06.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0327849-13 |
| 3 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.08.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0627958-04 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.08.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0650837-17 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.08.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0650827-61 |
| 6 | 등록결정서 | 2012.12.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0783719-60 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 기술번호 | KST2014047800 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한양대학교 |
| 기술명 | 탄소나노튜브층을 포함하는 태양전지 |
| 기술개요 |
탄소나노튜브층을 포함하는 태양전지를 제공한다. p형 반도체층과 n형 반도체층을 포함하는 p-n 접합 반도체층의 광입사면인 전면 상에 면내 전도성을 갖는 탄소나노튜브층이 위치한다. 이에 따르면, 탄소나노튜브층의 도입에 의해 소자에 가해지는 전기장의 세기를 증가시켜 광전변환효율을 향상시킬 수 있다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 태양 전지 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345156267 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0088524 |
| 연구과제명 | 유·무기 나노복합체의 광전특성 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200909~201208 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345124571 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0072914 |
| 연구과제명 | 3차원 배열 나노튜브를 이용한 신개념 기체센서 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200905~201204 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
| [1020110032564] | 탄소나노튜브층을 포함하는 태양전지 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020110032555] | 탄소나노튜브층을 포함하는 실리콘 태양전지 | 새창보기 |
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