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기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층;상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성되며 p형 도핑된 중간층; 및상기 중간층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층;을 포함하는 질화갈륨계 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 중간층의 도핑 농도는 상기 p형 질화물 반도체층의 도핑 농도보다 낮은 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드
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3
제1항에 있어서,상기 중간층은 GaN 또는 InGaN인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드
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제3항에 있어서,상기 중간층이 InGaN인 경우, InGaN에서 In은 5% 미만인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드
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5
제1항에 있어서,상기 중간층의 두께는 10 ~ 100 nm인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 중간층의 홀(Hole) 농도는 5×1017 cm-3 미만인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드
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7
제1항에 있어서,상기 중간층은 Mg 또는 Zn으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드
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8
제7항에 있어서,상기 중간층의 도핑 농도는 5×1018 cm-3 미만인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드
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9
제1항에 있어서,상기 활성층은 다중양자우물층인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드
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10
기판 상에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 n형 질화물 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 p형 도핑된 중간층을 형성하는 단계; 및상기 중간층 상에 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하는 질화갈륨계 발광 다이오드의 제조 방법
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11
제10항에 있어서,상기 중간층의 도핑 농도는 상기 p형 질화물 반도체층의 도핑 농도보다 낮은 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 중간층을 형성하는 단계에서,상기 중간층은 10 ~ 100 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드의 제조 방법
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13
제10항에 있어서, 상기 중간층을 형성하는 단계에서,상기 중간층의 홀 농도는 5×1017 cm-3 미만인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드의 제조 방법
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14
제10항에 있어서, 상기 중간층을 형성하는 단계에서,상기 중간층은 Mg 또는 Zn으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드의 제조 방법
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15
제14항에 있어서,상기 중간층의 도핑 농도는 5×1018 cm-3 미만인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드의 제조 방법
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