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기판에 형성된 전극 상에 촉매층을 형성하고;상기 촉매층 상에 산화물 나노선을 형성하고; 및,상기 산화물 나노선이 형성된 상기 기판을 금속염 전구체-함유 용액에 침지시킨 후 상기 금속염 전구체-함유 용액에 감마선을 조사함으로써, 상기 산화물 나노선 상에 금속 나노입자를 형성하는 것: 을 포함하며,상기 감마선의 조사선량(D), 상기 감마선의 조사 시간(t), 또는 상기 금속염 전구체-함유 용액의 금속염 전구체 농도(C)를 조절함으로써 상기 산화물 나노선 상에 형성되는 상기 금속 나노입자의 크기 또는 형성 밀도가 제어되는 것인, 화학 나노센서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 감마선의 조사선량(D), 상기 감마선의 조사 시간(t), 또는 상기 금속염 전구체-함유 용액의 금속염 전구체 농도(C)를 조절함으로써 하기 식 1 로 나타나는 상기 금속 나노입자의 표면적(Snp)과 상기 산화물 나노선의 표면적(Snw)의 비(Sf)가 제어되는 것인, 화학 나노센서의 제조방법:[식 1]Sf = (4πr2/2)×ρ;식 중, r 은 금속 나노입자의 반지름을 나타내고, ρ 는 산화물 나노선 상에 형성된 금속 나노입자의 형성 밀도를 나타냄
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제 2 항에 있어서,상기 금속 나노입자의 표면적(Snp)과 상기 산화물 나노선의 표면적(Snw)의 비(Sf)가 증가함에 따라 감지하는 반응 가스에 대한 감도가 향상되는 것인, 화학 나노센서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속염 전구체는, Pd, Au, Pt, Ag, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 화학 나노센서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 산화물 나노선은, Sn, Zn, Ni, Cu, Co, W, Mg, Cu, In, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 화학 나노센서의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 금속염 전구체-함유 용액의 금속염 전구체 농도(C)가 감소함에 따라 상기 금속 나노입자의 표면적(Snp)과 상기 산화물 나노선의 표면적(Snw)의 비(Sf)가 증가하는 것인, 화학 나노센서의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 감마선의 조사선량(D)이 증가함에 따라 상기 금속 나노입자의 표면적(Snp)과 상기 산화물 나노선의 표면적(Snw)의 비(Sf)가 증가하는 것인, 화학 나노센서의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 감마선의 조사 시간(t)이 감소함에 따라 상기 금속 나노입자의 표면적(Snp)과 상기 산화물 나노선의 표면적(Snw)의 비(Sf)가 증가하는 것인, 화학 나노센서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 산화물 나노선은, 상기 촉매층 상에서 VLS(Vapor-Liquid-Solid) 성장법으로 성장하는 것인, 화학 나노센서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 촉매층은 Au, Pt, Ni, Ag, Fe, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 화학 나노센서의 제조방법
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