맞춤기술찾기

이전대상기술

마이크로 패턴을 갖는 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014048191
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 마이크로 패턴을 갖는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. GaN층 상의 패턴 형성을 위한 마스크를 사용하지 않고 Y패턴형상의 홈을 갖는 발광소자를 제작할 수 있다. GaN층에 Y자 패턴을 형성하기 위해 Wet etched Patterned Sapphire Substrate(WPSS)를 사용하여 저온성장을 한 후 고온성장을 진행하는 방법에 의해 형성된 구조를 통해 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020110008570 (2011.01.28)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1227373-0000 (2013.01.23)
공개번호/일자 10-2012-0087405 (2012.08.07) 문서열기
공고번호/일자 (20130130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.28)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍창희 대한민국 서울특별시 영등포구
2 유재형 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 동원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, ****호 (서초동, 현대전원오피스텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0069677-01
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0344332-75
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0633908-17
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0634057-46
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
6 등록결정서
Decision to grant
2012.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0766316-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 형성된 기판패턴;상기 기판 위에 형성된 반도체층;상기 반도체층상에 형성되며, 상기 기판패턴과 같은 위치를 갖는 반도체층 패턴;과상기 반도체층 패턴에 채워진 나노실리카;상기 반도체층 패턴 위에 성장된 활성층을 포함하는 반도체층을 포함하는 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판패턴이 깊이방향으로 오목하게 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 반도체층 패턴이 깊이방향으로 오목하게 형성되며, 패턴의 최저점과 반도체층의 표면이 이루는 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 발광소자
4 4
제1항에 있어서,상기 기판상에 형성된 반도체층이 저온에서 성장된 층과 고온에서 성장된 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
5 5
삭제
6 6
기판 상에 옥사이드패턴을 형성하는 단계;옥사이드패턴을 마스크로 하여 기판을 에칭하여 경사면을 가지는 홈 형태의 기판패턴을 형성하는 단계;상기 기판패턴이 형성된 기판에 반도체층을 성장시켜, 상기 기판패턴과 같은 위치에 반도체층 패턴을 형성시키는 단계;상기 반도체층 패턴에 나노실리카를 넣는 단계;와활성층을 포함하는 반도체층을 2차 성장시키는 단계를 포함하는 발광소자의 제작방법
7 7
제6항에 있어서,상기 반도체층 패턴을 형성시키는 단계가저온에서 저온반도체층을 성장시키는 단계; 고온에서 고온반도체층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제작방법
8 8
제6항에 있어서,상기 2차 성장시키는 단계가 MQW를 성장시키는 단계;와p-GaN을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제작방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.