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기판과; 상기 기판 상부에 형성된 멤브레인막과; 상기 멤브레인막 상부에 형성된 가열 전극 패턴과; 상기 가열 전극 패턴을 감싸며 상기 멤브레인막 상부에 형성된 절연막과; 상기 절연막 상부에 형성된 접착제층과; 상기 접착제층 상부에 형성된 감지 전극 패턴과; 상기 감지 전극 패턴을 감싸며 상기 접착제층 상부에 형성된 감지막으로 구성되며, 상기 기판 하부 일부가 제거되어, 상기 멤브레인막 영역의 일부가 노출되어 있으며, 상기 기판은, 제거되지 않은 기판 영역과 일부가 제거된 기판 영역으로 구성되며, 상기 노출된 멤브레인막 영역은, 상기 일부가 제거된 기판 영역으로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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기판과; 상기 기판 상부에 형성된 멤브레인막과; 상기 멤브레인막 상부에 형성된 가열 전극 패턴과; 상기 가열 전극 패턴을 감싸며 상기 멤브레인막 상부에 형성된 절연막과; 상기 절연막 상부에 형성된 접착제층과; 상기 접착제층 상부에 형성된 감지 전극 패턴과; 상기 감지 전극 패턴을 감싸며 상기 접착제층 상부에 형성된 감지막으로 구성되며, 상기 기판 하부 일부가 제거되어, 상기 멤브레인막 영역의 일부가 노출되어 있으며,상기 기판 하부 일부가 제거되어, 상기 멤브레인막 영역의 일부가 노출되어 있는 것은,상기 기판 하부면에는 멤브레인막이 노출되는 복수개의 관통홀들이 형성되어 있고, 상기 복수개 관통홀들 사이에는 지지대가 형성되어 있는 것으로 구현되는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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기판 상부에 멤브레인막을 형성하는 단계와;상기 멤브레인막 상부에 가열 전극 패턴을 형성하는 단계와;상기 가열 전극 패턴을 감싸며, 상기 멤브레인막 상부에 절연막을 형성하는 단계와;상기 절연막 상부에 접착제층을 형성하는 단계와;상기 접착제층 상부에 감지 전극 패턴을 형성하는 단계와;상기 감지 전극 패턴을 감싸며, 상기 접착제층 상부에 감지막을 형성하는 단계와;상기 기판 하부를 선택적으로 식각하여, 상기 멤브레인막 영역의 일부를 하부로부터 부상시키는 단계로 구성된 가스 센서의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 기판 하부를 선택적으로 식각하여, 상기 멤브레인막 영역의 일부를 하부로부터 부상시키는 단계는,상기 기판 하부에 마스크층을 형성하는 단계와;상기 마스크층을 패터닝하는 단계와;상기 패터닝된 마스크층에 노출된 기판 하부의 일부를 식각하는 단계와;상기 식각된 기판 영역 내에 있는 마스크층을 제거하는 단계와;상기 마스크층에 노출된 기판 하부를 상기 기판 하부면의 수직선상으로 균일하게 식각하여, 상기 멤브레인막을 노출시키는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판이고, 상기 멤브레인막은,상기 실리콘 기판 상부에 실리콘 산화막과 실리콘 질화막이 순차적으로 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 균일하게 식각하기 위한 공정은,반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching, RIE) 기술을 이용하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 기판 하부를 선택적으로 식각하여, 상기 멤브레인막 영역의 일부를 하부로부터 부상시키는 단계는,상기 기판 하부면에 상기 멤브레인막이 노출되는 복수개의 관통홀들을 형성하고, 상기 복수개 관통홀들 사이에 상기 제거되지 않은 기판의 두께보다 작은 두께를 갖는 기판 영역으로 상기 멤브레인막의 지지대를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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