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내재전극에 메탈 콜로이드가 채워진 발광다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014048256
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 가로질러 버퍼층과 n-층에 걸쳐 하나 이상의 내재전극을 위한 공간을 형성하고 그 내부에 메탈 콜로이드를 채워넣어 n-층 전류확산 특성을 개선하고 발광다이오드의 광추출 효율을 향상시키는 내재전극에 메탈 콜로이드가 채워진 발광다이오드 및 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/382(2013.01) H01L 33/382(2013.01) H01L 33/382(2013.01)
출원번호/일자 1020110091199 (2011.09.08)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1233234-0000 (2013.02.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.08)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍창희 대한민국 서울특별시 영등포구
2 강지혜 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 박영재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 동원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, ****호 (서초동, 현대전원오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0703307-28
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2011.11.02 무효 (Invalidation) 1-1-2011-0862490-05
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0862423-56
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0866301-88
5 보정요구서
Request for Amendment
2011.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0105190-06
6 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2011.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0117890-73
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.06.18 수리 (Accepted) 9-1-2012-0046761-43
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0555482-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0930492-59
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0930491-14
13 등록결정서
Decision to grant
2013.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0069785-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판상에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층에 형성된 n-층;상기 n-층상에 형성된 n-전극;상기 기판을 가로질러 버퍼층과 n-층에 걸쳐 형성되고 메탈로 채워진 내재전극;상기 내재전극의 일단 또는 양단에 형성되는 하나 이상의 메탈아일랜드;상기 하나 이상의 메탈아일랜드와 상기 n-전극을 연결하는 확장전극;을 포함하는 발광다이오드
2 2
제1항에 있어서,상기 메탈이 콜로이드의 형태로 채워진 것을 특징으로 하는 발광다이오드
3 3
제1항에 있어서,상기 내재전극에 채워진 메탈은, n-형 반도체와 오믹컨텍을 하는 물질로서 Ag, Al, Au, B, Be, Bi, C, Cr, Cu, Fe, In, Ir, Mg, Mo, Ni, Pb, Si, Sn, Ti, W, Zn중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
4 4
제1항에 있어서,상기 내재전극의 단면이 삼각형인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
5 5
제1항에 있어서,상기 내재전극의 단면이 사각형인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
6 6
기판을 준비하는 단계;상기 기판상에 실리콘옥사이드층을 형성하는 단계;상기 실리콘옥사이드층을 식각하여 기판을 가로지르는 내재전극용 패턴과 상기 내재전극에 연결된 하나 이상의 메탈아일랜드용 패턴을 형성하는 단계;상기 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층에 n-층, 활성층, p-층을 형성하는 단계;상기 내재전극용 패턴과 메탈아일랜드용 패턴을 이루는 실리콘옥사이드를 식각하는 단계;상기 n-층과 p-층 위에 각각의 확장 전극을 포함하는 n-전극과 p-전극을 형성하는 단계;상기 메탈아일랜드용 옥사이드 패턴이 식각되어 형성된 홀(구멍)을 노출되는 PR 패턴을 형성하는 단계;상기 메탈아일랜드용 패턴과 내재전극용 패턴이 식각된 공간으로 메탈 콜로이드를 채우는 단계; 및상기 PR 패턴을 제거하고, 열처리하는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 메탈 콜로이드를 채우는 단계에서, 초음파를 사용하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 메탈 콜로이드를 채우는 단계에서, 스핀코팅을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.