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비정질 박막 트랜지스터의 기생 직렬 저항 성분 추출 방법

  • 기술번호 : KST2014048296
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 비정질 박막 트랜지스터의 기생 직렬 저항 성분 추출 방법은 비정질 박막 트랜지스터의 기생 직렬 저항 성분 추출 방법에 있어서, 상기 비정질 박막 트랜지스터의 게이트-소스 커패시턴스와 게이트-드레인 커패시턴스를 측정하는 단계; 상기 측정된 상기 게이트-소스 커패시턴스와 상기 게이트-드레인 커패시턴스에 기초하여 상기 기생 직렬 저항 성분 중 수직 저항 성분을 추출하는 단계; 상기 비정질 박막 트랜지스터의 드레인-소스 전류를 측정하는 단계; 상기 측정된 상기 드레인-소스 전류에 기초하여 직렬 전체 저항 값을 추출하는 단계; 및 상기 추출된 상기 직렬 전체 저항 값과 상기 수직 저항 성분에 기초하여 상기 기생 직렬 저항 성분 중 수평 저항 성분을 추출하는 단계를 포함함으로써, 커패시턴스-전압 특성과 전류-전압 특성을 이용하여 비정질 TFT의 기생 직렬 저항 성분을 추출할 수 있으며, 소스와 드레인 오버랩 영역에서의 컨택 저항과 벌크 저항을 분리하여 추출할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/14(2013.01) H01L 22/14(2013.01) H01L 22/14(2013.01)
출원번호/일자 1020110077904 (2011.08.04)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1126981-0000 (2012.03.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120326) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배학열 대한민국 서울특별시 강북구
2 허인석 대한민국 경기도 광명시 철산로 **,
3 김동명 대한민국 서울특별시 강남구
4 김대환 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강태훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, ***호 (역삼동, 황산빌딩)(인아이피특허법률사무소)
2 나선균 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, ***호 (역삼동, 황산빌딩)(인아이피특허법률사무소)
3 방영석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, ***호 (역삼동, 황산빌딩)(인아이피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0604677-51
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0734178-40
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2011.09.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2011.09.26 수리 (Accepted) 9-1-2011-0078282-34
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0564367-21
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0942680-27
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0942617-61
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0942656-31
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0006849-28
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0041477-66
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0041483-30
12 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0122687-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비정질 박막 트랜지스터의 기생 직렬 저항 성분 추출 방법에 있어서,상기 비정질 박막 트랜지스터의 게이트와 소스 간 커패시턴스와 상기 게이트와 드레인 간 커패시턴스를 측정하는 단계;상기 측정된 상기 게이트와 상기 소스 간 커패시턴스와 상기 게이트와 상기 드레인 간 커패시턴스에 기초하여 상기 기생 직렬 저항 성분 중 수직 저항 성분을 추출하는 단계; 상기 비정질 박막 트랜지스터의 상기 드레인과 상기 소스 간 전류를 측정하는 단계;상기 측정된 상기 드레인과 상기 소스 간 전류에 기초하여 직렬 전체 저항 값을 추출하는 단계; 및 상기 추출된 상기 직렬 전체 저항 값과 상기 수직 저항 성분에 기초하여 상기 기생 직렬 저항 성분 중 수평 저항 성분을 추출하는 단계 를 포함하는 비정질 박막 트랜지스터의 기생 직렬 저항 성분 추출 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기생 직렬 저항 성분은채널 폭, 채널 길이, 활성층에 해당하는 비정질 박막의 두께, 게이트 전극과 소스 전극 또는 상기 게이트 전극과 드레인 전극 간의 오버랩되는 오버랩 길이를 포함하는 상기 비정질 박막 트랜지스터의 구조적인 파라미터들과 상기 게이트와 상기 소스 간 전압을 고려하여 추출되는 것을 특징으로 하는 비정질 박막 트랜지스터의 기생 직렬 저항 성분 추출 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 수직 저항 성분을 추출하는 단계는비정질 박막의 두께에 따라 측정된 상기 게이트와 상기 소스 간 커패시턴스와 상기 게이트와 상기 드레인 간 커패시턴스를 이용하여 수직 저항 성분 추출 모델을 생성하고,상기 생성된 상기 수직 저항 성분 추출 모델을 이용하여 상기 수직 저항 성분을 추출하는 것을 특징으로 하는 비정질 박막 트랜지스터의 기생 직렬 저항 성분 추출 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 수직 저항 성분을 추출하는 단계는상기 드레인과 상기 소스 각각의 수직 저항 성분을 추출하고, 상기 드레인과 상기 소스 각각의 상기 수직 저항 성분으로부터 상기 드레인과 상기 소스 각각의 컨택 저항 성분과 벌크 저항 성분을 추출하는 것을 특징으로 하는 비정질 박막 트랜지스터의 기생 직렬 저항 성분 추출 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 커패시턴스를 측정하는 단계는주파수에 따라 상기 게이트와 상기 소스 간 커패시턴스와 상기 게이트와 상기 드레인 간 커패시턴스를 측정하고,상기 수직 저항 성분을 추출하는 단계는상기 게이트와 상기 소스 간 커패시턴스와 상기 게이트와 상기 드레인 간 커패시턴스를 상기 주파수의 증가에 따라 수렴되는 상기 수직 저항 성분으로 추출하는 것을 특징으로 하는 비정질 박막 트랜지스터의 기생 직렬 저항 성분 추출 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 수평 저항 성분을 추출하는 단계는상기 수평 저항 성분으로부터 전달 저항 성분과 채널 저항 성분을 추출하는 것을 특징으로 하는 비정질 박막 트랜지스터의 기생 직렬 저항 성분 추출 방법
7 7
게이트와 소스 간 커패시턴스와 상기 게이트와 드레인 간 커패시턴스를 측정하는 단계;상기 드레인과 상기 소스 간 전류를 측정하는 단계; 및상기 측정된 상기 게이트와 소스 간 커패시턴스와 상기 게이트와 상기 드레인 간 커패시턴스 및 상기 드레인과 상기 소스 간 전류에 기초하여 기생 직렬 저항 성분을 추출하는 단계를 포함하는 비정질 박막 트랜지스터의 기생 직렬 저항 성분 추출 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 기생 직렬 저항 성분은채널 폭, 채널 길이, 활성층에 해당하는 비정질 박막의 두께, 게이트 전극과 소스 전극 또는 상기 게이트 전극과 드레인 전극 간의 오버랩되는 오버랩 길이를 포함하는 상기 비정질 박막 트랜지스터의 구조적인 파라미터들과 상기 게이트와 상기 소스 간 전압을 고려하여 추출되는 것을 특징으로 하는 비정질 박막 트랜지스터의 기생 직렬 저항 성분 추출 방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록되어 있는 것을 특징으로 하는 컴퓨터에서 판독 가능한 기록 매체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 국민대학교 기초연구사업-중견연구자지원사업 (도약연구) 투명 유연 산화물 반도체 소자 모델 및 적층형 회로 개발(3차년도/총5차년도)