| 요약 |
본 발명은 커패시터가 없는 SBE 디램 셀 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 (1) 다마신(Damascene) 공정을 이용하여 웨이퍼를 식각(etching)하는 단계, (2) 다결정실리콘(Poly Si)을 증착하여 하부 게이트를 형성하는 단계, (3) 화학기계연마(Chemical-Mechanical Polishing: CMP) 공정을 통하여 다결정실리콘을 평탄하게 하는 단계, (4) 이산화실리콘(SiO2)을 증착하여 이산화실리콘 장벽을 만들고 채널 형성을 위해 상기 이산화실리콘 장벽을 식각하는 단계, (5) 상기 이산화실리콘 장벽 사이에 결정화된 실리콘 채널 층을 증착하고 화학기계연마 공정을 통하여 식각하는 단계, (6) 규칙격자를 만들기 위해 상기 실리콘 채널 층을 식각하는 단계 및 (7) 분자선 에피택시(Molecular Beam Epitaxy: MBE)로 실리콘(Si) 층과 실리콘저마늄(SiGe) 층을 교대로 이종접합하여 반복적으로 성장시키는 단계를 포함하는 것을 그 구성상의 특징으로 한다. 본 발명에서 제안하고 있는 커패시터가 없는 SBE 디램 셀 트랜지스터 제조 방법에 따르면, 실리콘 채널 아래에 실리콘저마늄 층을 형성하여, 실리콘 층과 실리콘저마늄 층 사이의 밴드 오프셋을 이용하여 홀을 가둠으로써 전하 유지 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 이산화실리콘으로 물리적인 장벽을 생성하여, 홀의 저장 공간과 소스/드레인을 분리시켜 데이터 ‘1’의 쓰기 동작 동안 생성된 홀들이 빠져버리는 것과 홀을 저장하는 실리콘저마늄 층에서의 SRH 재결합이 발생하는 것 모두를 차단할 수 있다. 뿐만 아니라, 본 발명에 따르면, 분자선 에피택셜 성장을 통해 실리콘 층과 실리콘저마늄 층을 교대로 이종 접합하여 반복적으로 성장시킴으로써 격자의 불일치로 인한 결함을 줄일 수 있다.
|
