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발광 다이오드 제작을 위한 시뮬레이션 시스템 및시뮬레이션 방법

  • 기술번호 : KST2014048350
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 다이오드 제작을 위한 시뮬레이션 시스템 및 시뮬레이션 방법을 제공한다. 이 방법은 발광 다이오드의 물리적 구조를 위치의 함수로 표현하는 구조 데이터를 준비하는 단계; 발광 다이오드의 저항 특성을 위치의 함수로 표현하는 저항 데이터를 준비하는 단계; 및 구조 데이터 및 저항 데이터를 이용하여, 발광 다이오드의 광학적 특성을 위치의 함수로 표현하는 광학적 분포 데이터를 추출하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/42 (2010.01.01) H01L 33/06 (2010.01.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020060110444 (2006.11.09)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0765902-0000 (2007.10.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060108576   |   2006.11.03
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.09)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심종인 대한민국 서울 강남구
2 황성민 대한민국 경남 진주시
3 정현돈 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 에타맥스 경기도 수원시 권선구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2006-0820595-54
2 보정요구서
Request for Amendment
2006.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0144776-36
3 우선심사신청서
Request for Accelerated Examination
2006.11.28 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2006-0880875-28
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2006-0893339-72
5 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document
2006.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0152446-17
6 서류반려안내서
Notification for Return of Document
2007.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0009340-01
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.08.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0051353-84
9 등록결정서
Decision to grant
2007.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0513981-33
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광 다이오드의 물리적 구조를 위치의 함수로 표현하는 구조 데이터를 준비하는 단계;상기 발광 다이오드의 저항 특성을 위치의 함수로 표현하는 저항 데이터를 준비하는 단계; 및상기 구조 데이터 및 상기 저항 데이터를 이용하여, 상기 발광 다이오드의 광학적 특성을 위치의 함수로 표현하는 광학적 분포 데이터를 추출하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제작을 위한 시뮬레이션 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 발광 다이오드는 차례로 적층된 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층, 투명 전극 및 상부 전극, 그리고 상기 하부 반도체층의 소정 영역에 접속하는 하부 전극을 포함하고, 상기 하부 및 상부 반도체층들, 상기 활성층, 상기 투명 전극, 그리고 상기 하부 및 상부 전극들 각각은 복수개의 하위 영역들을 포함하되, 상기 구조 데이터는 상기 하부 및 상부 반도체층들, 상기 활성층, 상기 투명 전극, 그리고 상기 하부 및 상부 전극들 각각의 하위 영역들의 공간적 배치를 위치의 함수로 표현하도록 준비되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제작을 위한 시뮬레이션 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 저항 데이터는 상기 하부 및 상부 반도체층들, 상기 투명 전극, 그리고 상기 하부 및 상부 전극들 각각의 하위 영역들의 저항값들; 서로 접촉하는 상기 하부 반도체층과 상기 하부 전극의 하위 영역들 사이의 접촉 저항값들; 및서로 접촉하는 상기 상부 반도체층과 상기 투명 전극의 하위 영역들 사이의 접촉 저항값들을 표현하도록 준비되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제작을 위한 시뮬레이션 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 저항 데이터는 상기 하부 전극, 상기 상부 전극 및 상기 투명 전극의 각 하위 영역들의 면저항값들을 표현하도록 준비되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제작을 위한 시뮬레이션 방법
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 광학적 분포 데이터를 추출하는 단계는 상기 구조 데이터 및 상기 저항 데이터를 이용하여, 위치의 함수로 상기 활성층의 하위 영역들에 인가되는 전압을 표현하는 전압 분포 데이터를 구하는 단계;상기 얻어진 전압 분포 데이터를 이용하여, 위치의 함수로 상기 활성층의 하위 영역들 각각을 흐르는 전류를 표현하는 전류 분포 데이터를 구하는 단계; 및상기 얻어진 전류 분포 데이터를 이용하여, 위치의 함수로 상기 활성층의 하위 영역들 각각에서 방출되는 광의 세기를 표현하는 광 분포 데이터를 구하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제작을 위한 시뮬레이션 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 전류 분포 데이터를 구하는 단계는 상기 전압 분포 데이터를 이용하여, 상기 활성층의 하위 영역들 각각의 양단에 인가되는 전압 차이를 계산하는 단계; 및상기 전압 차이에 발생되는 상기 활성층의 하위 영역들 각각을 흐르는 다이오드 전류를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제작을 위한 시뮬레이션 방법
7 7
제 2 항에 있어서, 상기 하부 전극은 금속성 물질들 중의 한가지를 포함하고, 상기 하부 반도체층은 n-GaN층을 포함하고, 상기 활성층은 다양자웰층을 포함하고, 상기 상부 반도체층은 p-GaN층을 포함하고, 상기 투명 전극은 Ni/Au 또는 ITO층을 포함하고, 상기 상부 전극은 금속성 물질들 중의 한가지를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제작을 위한 시뮬레이션 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 광학적 분포 데이터를 추출하는 단계는 상기 발광 다이오드의 구조적 특성 및 공정적 특성을 특징짓는 특성 파라미터(characteristic parameter)를 이용하는 것을 특징으로 하되, 상기 특성 파라미터는 상기 구조 데이터에 상응하는 발광 다이오드의 구조적 특성 및 공정적 특성을 평가하기 위해 제작된 시험 발광 다이오드의 전류-전압 특성을 분석하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제작을 위한 시뮬레이션 방법
9 9
제 5 항의 발광 다이오드 제작을 위한 시뮬레이션 방법을 수행하는 시뮬레이션 시스템
10 10
제 9항에 있어서, 상기 전압 분포 데이터, 상기 전류 분포 데이터 및 상기 광학적 분포 데이터를 저장하는 저장 매체를 더 포함하는 시뮬레이션 시스템
11 11
제 9항에 있어서, 상기 전압 분포 데이터, 상기 전류 분포 데이터 및 상기 광학적 분포 데이터 중의 적어도 하나를 시각적으로 표시하는 사용자 인터페이스를 더 포함하는 시뮬레이션 시스템
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.