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원자층 증착법을 이용한 질화막의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014048445
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고체상의 잔류 부산물이 형성되지 않도록 하고 저온에서의 원자층 증착을 가능하게 하는 질화막 형성 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 원자층 증착법을 이용한 질화막 형성 방법은, 질화물을 형성할 원자 및 염소 원자를 함유하는 원료 소스와 반응하여 고체상의 반응 부산물을 형성시키지 않도록 하는 제 1 반응제를 상기 원료 소스와 반응시키는 제 1 단계; 및 질소 원자를 함유하는 제 2 반응제를 반응시켜 제 1 질화막을 형성하는 제 2 단계를 포함한다. 상기 제 1 질화막이 HfN막인 경우 상기 제 1 반응제로는 B2H6 또는 붕소 래디칼을 사용할 수 있으며, 상기 제 2 반응제로는 NH3 또는 질소 래디칼을 사용할 수 있다. 원자층 증착, 질화막, GaN, HfN
Int. CL C23C 16/455 (2006.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01)
CPC C23C 16/45536(2013.01) C23C 16/45536(2013.01)
출원번호/일자 1020040069924 (2004.09.02)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0594626-0000 (2006.06.21)
공개번호/일자 10-2006-0021096 (2006.03.07) 문서열기
공고번호/일자 (20060707) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.09.02)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오재응 대한민국 경기 안산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 아이브이웍스 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2004-0398186-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0081244-84
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0008031-48
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0157176-63
6 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2006.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0175917-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2006-5034055-27
8 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2006.03.23 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2006-0202611-79
9 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document		 2006.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0044415-57
10 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2006.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0236094-04
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0236103-27
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0275364-85
13 의견서
Written Opinion		 2006.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0275365-20
14 서류반려안내서
Notification for Return of Document		 2006.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0062567-00
15 등록결정서
Decision to grant		 2006.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0306445-48
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
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질화물을 형성할 원자 및 염소 원자를 함유하는 원료 소스를 기판에 주입하고 퍼지 또는 펌핑 또는 퍼지 및 펌핑을 하는 단계; 상기 원료 소스와 반응하여 고체상의 반응 부산물을 형성시키지 않도록 하는 제 1 반응제를 상기 기판에 주입하고 퍼지 또는 펌핑 또는 퍼지 및 펌핑을 하는 단계; 및 질소 원자를 함유하는 제 2 반응제를 주입하고 퍼지 또는 펌핑 또는 퍼지 및 펌핑을 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용한 질화막의 형성 방법
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제15항에 있어서, 상기 원료 소스를 기판에 주입하고 퍼지 또는 펌핑 또는 퍼지 및 펌핑을 하는 단계와 상기 제 1 반응제를 주입하고 퍼지 또는 펌핑 또는 퍼지 및 펌핑을 하는 단계와 상기 제 2 반응제를 주입하고 퍼지 또는 펌핑 또는 퍼지 및 펌핑을 하는 단계를 순차적으로 반복하여 수행함으로써 원하는 두께의 질화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화막의 형성 방법
17 17
제15항에 있어서, 상기 기판에 주입되는 상기 제 1 반응제는 플라즈마의 인가 또는 자외선의 조사에 의해 활성화되거나 래디칼로 된 반응제를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화막의 형성 방법
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제15항에 있어서, 상기 기판에 주입되는 상기 제 2 반응제는 플라즈마의 인가 또는 자외선의 조사에 의해 활성화되거나 래디칼로 된 반응제를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화막의 형성 방법
19 19
제15항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판이고, 상기 원료 소스를 상기 실리콘 기판에 주입하기 전에, 상기 실리콘 기판 표면 상에 상기 제 2 반응제가 최초로 흡착되도록 상기 제 2 반응제를 상기 실리콘 기판 주입하고 퍼지 또는 펌핑 또는 퍼지 및 펌핑을 하는 단계를 더 포함하는 것을 질화막의 형성방법
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제15항에 있어서, 상기 질화막은 AlN, GaN, TiN, TaN, ZrN, HfN, WN, BN, SiN 중 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물로 된 금속 질화막 또는 비금속 질화막인 것을 특징으로 하는 질화막의 형성 방법
21 20
제15항에 있어서, 상기 질화막은 AlN, GaN, TiN, TaN, ZrN, HfN, WN, BN, SiN 중 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물로 된 금속 질화막 또는 비금속 질화막인 것을 특징으로 하는 질화막의 형성 방법
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