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반도체 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014048498
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 1차 스퍼터링 방법으로 형성된 제1투명산화물 전극층 및 상기 1차 스퍼터링 방법과 상이한 2차 스퍼터링 방법으로 형성된 제2투명산화물 전극층을 형성하여 소자의 전기적 특성 및 광학적 특성을 높일 수 있는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 33/42 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자 1020120078219 (2012.07.18)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1319563-0000 (2013.10.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131023) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 전라남도 순천시 중앙로
2 박민주 대한민국 전라남도 순천시 중앙로
3 손광정 대한민국 전남 순천시 중앙로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안준형 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0573929-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0023723-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0350382-78
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0629630-15
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0629624-41
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0679155-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
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번호 청구항
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기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 적층으로 이루어진 질화갈륨계 반도체 적층 구조를 형성하는 단계;정극성(＋)인 DC 파워와 RF 파워를 동시에 인가하는 DC(＋)＋RF 스퍼터링 방법으로 상기 질화갈륨계 반도체 적층 구조의 p형 반도체층 상부에 제1두께를 갖는 제1투명산화물 전극층을 형성하는 단계; 및RF 파워를 인가하는 RF 스퍼터링 방법으로 상기 제1투명산화물 전극층 상부에 제2두께를 갖는 제2투명산화물 전극층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제1투명산화물 전극층은 질화갈륨계 상기 p형 반도체층과 오믹 컨택을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 제1투명산화물 전극층 및 제2투명산화물 전극층의 적층 구조로 구성된 투명산화물 전극층은 1×10-4Ω·㎠ 이하의 비접촉 저항을 가지는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 제1투명산화물 전극층은 10㎚ 내지 20㎚ 두께로 형성하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 DC(＋)＋RF 스퍼터링 방법으로 제1투명산화물 전극층을 형성하는 단계 및 상기 RF 스퍼터링 방법으로 제2투명산화물 전극층을 형성하는 단계 중 적어도 어느 하나의 단계에서는 전자-빔 조사가 동시에 이루어지는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 제2투명산화물 전극층을 형성하는 단계 후, 상기 제1투명산화물 전극층 및 제2투명산화물 전극층에 대해 후속 열처리 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제 22 항에 있어서,상기 후속 열처리 공정은 N2 분위기에서 100 내지 800℃ 온도로 진행하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 제1투명산화물 전극층과 제2투명산화물 전극층은 동일한 성분을 포함하는 재료로 형성하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제 24 항에 있어서,상기 제1투명산화물 전극층 및 제2투명산화물 전극층은 SnO2의 함량이 0
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제 24 항에 있어서,상기 제1투명산화물 전극층 및 제2투명산화물 전극층은 ITO, IZO, CIO, ZnO, SnO2, ATO, FTO, GZO, IGZO, CdO, 인 도핑(In doped)-SnO2, RuO, 알루미늄 도핑(Al doped)-ZnO, SiO2, TiO2 중 어느 하나이거나 이들의 조합으로 이루어진 물질로 형성하는 반도체 발광의 소자 방법
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1 KR1020140043541 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2014014178 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 교육과학기술부 순천대학교 산학협력단 한-중 과학기술협력센터사업 나노막대-양자점 에너지 전이 여기를 이용한 고효율 백색 LED조명 연구
2 지식경제부 순천대학교 지역혁신센터(RIC)사업 차세대 전략산업용 희유자원 실용화 센터 사업