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반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법
- 기술번호 : KST2014048500
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 이온 주입 공정을 통해 질화물 반도체층의 표면에 선택적으로 보호층을 형성하여 우수한 열 방출 특성을 가지는 보호층을 얻을 수 있는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다. |
|---|---|
| Int. CL | H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/028 (2006.01) |
| CPC | H01S 5/0281(2013.01) H01S 5/0281(2013.01) H01S 5/0281(2013.01) H01S 5/0281(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020120075555 (2012.07.11) |
| 출원인 | 순천대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1337486-0000 (2013.11.29) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20131206) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.07.11) |
| 심사청구항수 | 7 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 순천대학교 산학협력단 | 대한민국 | 전라남도 순천시 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 곽준섭 | 대한민국 | 전라남도 순천시 중앙로 |
| 2 | 황성주 | 대한민국 | 전라남도 순천시 중앙로 |
| 3 | 박민주 | 대한민국 | 전라남도 순천시 중앙로 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 안준형 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 순천대학교 산학협력단 | 전라남도 순천시 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.07.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0554460-89 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.02.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.03.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0017742-41 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5083728-15 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.08.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0586848-65 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.10.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0942105-76 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.10.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0942110-05 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.11.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0798817-11 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5021788-47 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 삭제 |
| 2 |
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| 3 |
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| 4 |
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| 5 |
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| 6 |
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| 9 |
9 기판 상부에 n형 반도체층을 포함하는 제1질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1질화물 반도체층 상부에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상부에 p형 질화물 반도체층을 포함하는 제2질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제2질화물 반도체층과 활성층 및 제1질화물 반도체층을 식각하여 상기 n형 반도체층의 상면을 노출시키는 단계;상기 노출된 제1질화물 반도체층의 n형 반도체층 및 상기 제2질화물 반도체층의 p형 질화물 반도체층 상부에 각각 제1전극 및 제2전극을 형성하는 단계;상기 p형 질화물 반도체층의 중앙 부분이 그 주변 부분보다 돌출된 리지 구조를 갖도록 상기 제2전극 및 상기 p형 질화물 반도체층을 식각하는 단계; 및상기 제1전극, 제2전극, 리지 구조의 p형 질화물 반도체층을 포함하는 제2질화물 반도체층, 및 상기 제1질화물 반도체층에 대해 이온 주입을 수행하여 보호층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 보호층은 이온 주입 시에 상기 제1전극 및 제2전극의 표면을 제외한 제1질화물 반도체층 및 상기 제2질화물 반도체층의 노출된 표면에만 선택적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조 방법 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서,상기 제1질화물 반도체층을 형성하는 단계는,상기 기판 상부에 n형 반도체층을 형성하는 단계;상기 n형 반도체층 상부에 n형 클래드층을 형성하는 단계; 및상기 n형 클래드층 상부에 n형 웨이브가이드층을 순차적으로 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 레이저 다이오드 제조 방법 |
| 11 |
11 제 9 항에 있어서,상기 제2질화물 반도체층을 형성하는 단계는,상기 활성층 상부에 p형 웨이브가이드층을 형성하는 단계;상기 p형 웨이브가이드층 상부에 p형 클래드층을 형성하는 단계; 및상기 p형 클래드층 상부에 p형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 레이저 다이오드 제조 방법 |
| 12 |
12 제 9 항에 있어서,상기 제2전극은 상기 리지 구조의 돌출된 p형 질화물 반도체층 상부에 형성하는 반도체 레이저 다이오드 제조 방법 |
| 13 |
13 삭제 |
| 14 |
14 제 9 항에 있어서,상기 보호층은 유전체층으로 이루어진 반도체 레이저 다이오드 제조 방법 |
| 15 |
15 제 9 항에 있어서,상기 보호층은 N2, H2 및 O2 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 이온으로 표면처리 하여 형성하는 반도체 레이저 다이오드 제조 방법 |
| 16 |
16 제 9 항에 있어서,상기 보호층을 형성하는 단계 후, 상기 제1전극 및 제2전극에 각각 전류를 인가하는 제1컨택 전극 및 제2컨택 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 레이저 다이오드 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 광주 광기술원(KOPTI) | 산업원천기술개발 사업 | 모바일 융합기기용 5W급 풀칼라 (R.G.B.) 레이저 다이오드 및 모듈 개발 |
| 2 | 지식경제부 | 순천대학교 | 지역혁신센터(RIC)사업 | 차세대 전략산업용 희유자원 실용화 센터 사업 |
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1337486-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20120711 출원 번호 : 1020120075555 공고 연월일 : 20131206 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20131120 청구범위의 항수 : 7 유별 : H01S 5/028 발명의 명칭 : 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 159,000 원 | 2013년 12월 02일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 135,800 원 | 2016년 10월 26일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 139,870 원 | 2017년 12월 20일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 97,000 원 | 2018년 10월 30일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 183,000 원 | 2019년 11월 28일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.07.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0554460-89 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.02.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2013.03.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0017742-41 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5083728-15 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2013.08.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0586848-65 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.10.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0942105-76 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.10.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0942110-05 |
| 8 | 등록결정서 | 2013.11.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0798817-11 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5021788-47 |
| 기술번호 | KST2014048500 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 순천대학교 |
| 기술명 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 이온 주입 공정을 통해 질화물 반도체층의 표면에 선택적으로 보호층을 형성하여 우수한 열 방출 특성을 가지는 보호층을 얻을 수 있는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다. |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 본 발명은 레이저 다이오드 개발로 인한 산업분야에서 응용 가능 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,M&A,기타, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1415122068 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10040379 |
| 연구과제명 | 모바일 융합기기용 5W급 풀칼라(R,G,B) 레이저 다이오드 및 모듈 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 한국광기술원 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 201108~201402 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415127583 |
|---|---|
| 세부과제번호 | B0010622 |
| 연구과제명 | 차세대 전략산업용 희유자원 실용화 지역혁신센터 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술진흥원 |
| 연구주관기관명 | 순천대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200807~201802 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1415127583 |
|---|---|
| 세부과제번호 | B0010622 |
| 연구과제명 | 차세대 전략산업용 희유자원 실용화 지역혁신센터 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술진흥원 |
| 연구주관기관명 | 순천대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200807~201802 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1415131570 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10040379 |
| 연구과제명 | 모바일 융합기기용 5W급 풀칼라(R,G,B) 레이저 다이오드 및 모듈 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 201108~201405 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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| 심판사항 정보가 없습니다 |
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