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기판을 지지하는 지지부 및 상기 기판에 증착 물질을 제공하는 타겟부를 포함하고, 플라즈마 공간을 가지는 챔버;상기 플라즈마 공간 내에 위치하여 플라즈마와 접촉하는 탐침(probe);상기 타켓부에 DC 파워와 RF 파워를 동시에 인가하여 상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 DC 전원부와 RF 전원부를 포함하는 전원 공급원; 및상기 전원 공급원과 연결되며, 상기 탐침으로 상기 챔버 내에 발생하는 플라즈마 변수를 실시간으로 추출하고, 추출된 플라즈마 변수에 따라서 전원 공급원을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 동시에 인가되는 DC 파워는 정극성(＋)인 박막 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 전원 공급원은,상기 DC 파워 및 RF 파워를 조절하는 파워 조절부 및 매칭 조절부를 더 포함하는 박막 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제어부는, 상기 탐침으로부터 입력되는 신호로부터 플라즈마 변수를 실시간으로 측정하는 플라즈마 측정부와 상기 플라즈마 측정부에서 측정된 플라즈마 변수에 따라서 상기 전원 공급원을 제어하는 전원 공급원 제어부를 포함하는 박막 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제어부는,음전하의 밀도 또는 개수를 측정하는 박막 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제어부는,셀프-바이어스 전압(Self-bias Voltage), RF 최고 전압(RF peak-to-peak Voltage), 플라즈마 포텐셜(Plasma potential) 및 음전하 플럭스(Negative carrier flux) 중 어느 하나의 플라즈마 변수를 측정하는 박막 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제어부는,상기 셀프-바이어스 전압(Self-bias Voltage)이 0Ⅴ 이상이거나, RF 최고 전압(RF peak-to-peak Voltage)이 200Ⅴ 이하이거나, 플라즈마 포텐셜(Plasma potential)이 50Ⅴ 이상이거나, 음전하 플럭스(Negative carrier flux)가 가 105／㎠s 이하가 되도록 상기 전원 공급원을 제어하는 박막 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 p형 질화물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조물이고, 상기 증착 물질은 투명산화물 전극 물질인 박막 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 지지부에 DC 파워 또는 RF 파워를 제공하는 전원 공급원 더 포함하는 박막 증착 장치
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기판을 지지하는 지지부 및 상기 기판에 증착 물질을 제공하는 타겟부를 포함하고, 플라즈마 처리가 행해지는 플라즈마 공간을 가지는 챔버 내에 플라즈마와 접촉하는 탐침을 위치시키는 단계;기준 플라즈마 변수를 설정하는 단계;상기 타켓부에 DC 전원부와 RF 전원부를 포함하는 전원 공급원으로부터 DC 파워와 RF 파워를 동시에 인가하여 상기 챔버 내에 플라즈마를 생성시키는 단계; 상기 플라즈마 생성시 상기 전원 공급원과 연결되는 제어부에서 상기 탐침으로부터 입력되는 신호로부터 플라즈마 변수를 실시간으로 측정하는 단계; 상기 측정된 플라즈마 변수와 상기 기준 플라즈마 변수를 비교하는 단계; 및상기 측정된 플라즈마 변수와 상기 기준 플라즈마 변수의 차이가 허용 범위 내로 들어오도록 상기 제어부에서 상기 전원 공급원을 제어하는 단계;를 포함하는 박막 증착 방법
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제 10 항에 있어서,상기 플라즈마 변수는,음전하의 밀도 또는 개수인 박막 증착 방법
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제 10 항에 있어서,상기 플라즈마 변수는,셀프-바이어스 전압(Self-bias Voltage), RF 최고 전압(RF peak-to-peak Voltage), 플라즈마 포텐셜(Plasma potential) 및 음전하 플럭스(Negative carrier flux) 중 어느 하나인 박막 증착 방법
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제 10 항에 있어서,상기 플라즈마 변수는,상기 셀프-바이어스 전압(Self-bias Voltage)이 0Ⅴ 이상이거나, RF 최고 전압(RF peak-to-peak Voltage)이 200Ⅴ 이하이거나, 플라즈마 포텐셜(Plasma potential)이 50Ⅴ 이상이거나, 음전하 플럭스(Negative carrier flux)가 105／㎠s 이하인 범위 내에서 선택되는 박막 증착 방법
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제 10 항에 있어서,상기 동시에 인가되는 DC 파워는 정극성(＋)인 박막 증착 방법
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제 10 항에 있어서,상기 전원 공급원은,상기 DC 파워 및 RF 파워를 조절하는 파워 조절부 및 매칭 조절부를 더 포함하는 박막 증착 방법
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제 10 항에 있어서,상기 제어부는, 상기 탐침으로부터 입력되는 신호로부터 플라즈마 변수를 실시간으로 측정하는 플라즈마 측정부와 상기 플라즈마 측정부에서 측정된 플라즈마 변수와 상기 기준 플라즈마 변수를 비교하여 상기 측정된 플라즈마 변수와 상기 기준 플라즈마 변수의 차이가 허용 범위 내에 들어오도록 상기 전원 공급원을 제어하는 전원 공급원 제어부를 포함하는 박막 증착 방법
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제 10 항에 있어서,상기 기판은 p형 질화물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조물이고, 상기 증착 물질은 투명산화물 전극 물질인 박막 증착 방법
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제 10 항에 있어서,상기 지지부에 DC 파워 또는 RF 파워를 제공하는 전원 공급원을 더 포함하는 박막 증착 방법
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n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 적층으로 이루어진 LED용 질화갈륨계 반도체 적층 구조물을 형성하는 단계; 및상기 질화갈륨계 반도체 적층 구조물의 p형 질화물 반도체층 상부에 DC 파워와 RF 파워를 동시에 인가하는 DC＋RF 스퍼터링 방법으로 투명산화물 전극층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 DC 파워와 RF 파워를 동시에 인가하는 DC＋RF 스퍼터링 방법은, 상기 반도체 적층 구조물을 지지하는 지지부 및 상기 p형 질화물 반도체층 상부에 형성되는 투명산화물 전극층용 증착 물질을 제공하는 타겟부를 포함하는 챔버 내에 탐침을 위치시키는 단계;기준 플라즈마 변수를 설정하는 단계;상기 타켓부에 DC 전원부와 RF 전원부를 포함하는 전원 공급원으로부터 DC 파워와 RF 파워를 동시에 인가하여 상기 챔버 내에 플라즈마를 생성시키는 단계; 상기 플라즈마 생성시 상기 전원 공급원과 연결되는 제어부에서 상기 탐침으로부터 입력된 신호로부터 플라즈마 변수를 실시간으로 측정하는 단계; 상기 측정된 플라즈마 변수와 상기 기준 플라즈마 변수를 비교하는 단계; 및상기 측정된 플라즈마 변수와 상기 기준 플라즈마 변수의 차이가 허용 범위 내에 들어오지 않는 경우 상기 측정된 플라즈마 변수와 상기 기준 플라즈마 변수의 차이가 허용 범위 내에 들어오도록 상기 제어부에서 상기 전원 공급원을 제어하는 단계;를 포함하는 박막 증착 방법
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제 19 항에 있어서,상기 플라즈마 변수는,음전하의 밀도 또는 개수인 박막 증착 방법
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제 19 항에 있어서,상기 플라즈마 변수는,셀프-바이어스 전압(Self-bias Voltage), RF 최고 전압(RF peak-to-peak Voltage), 플라즈마 포텐셜(Plasma potential) 및 음전하 플럭스(Negative carrier flux) 중 어느 하나인 박막 증착 방법
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제 19 항에 있어서,상기 플라즈마 변수는,상기 셀프-바이어스 전압(Self-bias Voltage)이 0Ⅴ 이상이거나, RF 최고 전압(RF peak-to-peak Voltage)이 200Ⅴ 이하이거나, 플라즈마 포텐셜(Plasma potential)이 50Ⅴ 이상이거나, 음전하 플럭스(Negative carrier flux)가 105／㎠s 이하인 범위 내에서 선택되는 박막 증착 방법
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제 19 항에 있어서,상기 동시에 인가되는 DC 파워는 정극성(＋)인 박막 증착 방법
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제 19 항에 있어서,상기 DC 파워와 RF 파워를 동시에 인가하는 DC＋RF 스퍼터링 방법으로 투명산화물 전극층을 형성하는 단계 전에 프리-스퍼터링(pre-sputtering) 공정을 더 수행하면서 기준 플라즈마 변수를 설정하는 단계, 상기 프리-스퍼터링을 위한 플라즈마를 생성시키는 단계, 상기 프리-스퍼터링을 위한 플라즈마의 플라즈마 변수를 측정하는 단계, 상기 측정된 플라즈마와 변수와 상기 기준 플라즈마 변수를 비교하는 단계, 및 상기 측정된 플라즈마 변수와 상기 기준 플라즈마 변수가 차이가 허용 범위 내에 들어오도록 상기 제어부에서 상기 전원 공급원을 제어하는 단계를 수행하는 박막 증착 방법
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