맞춤기술찾기
이전대상기술
멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2014048502
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 본 발명은 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 멀티 칩 구조로 반도체 레이저 다이오드를 형성하고, 전압공급 컨트롤러 및 복수의 광 파이버를 구비한 광 파이버포커스를 형성함으로써, 광의 세기 및 광 효율을 향상시킬 수 있는 고출력의 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드를 제조하는 것에 관한 것이다. |
|---|---|
| Int. CL | H01S 5/40 (2006.01) |
| CPC | H01S 5/4037(2013.01) H01S 5/4037(2013.01) H01S 5/4037(2013.01) H01S 5/4037(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020120012266 (2012.02.07) |
| 출원인 | 순천대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1334205-0000 (2013.11.22) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0091043 (2013.08.16) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20131129) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.02.07) |
| 심사청구항수 | 19 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 순천대학교 산학협력단 | 대한민국 | 전라남도 순천시 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 곽준섭 | 대한민국 | 전라남도 순천시 중앙로 |
| 2 | 박민주 | 대한민국 | 전라남도 순천시 중앙로 |
| 3 | 황성주 | 대한민국 | 전라남도 순천시 중앙로 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 안준형 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 순천대학교 산학협력단 | 전라남도 순천시 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.02.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0098630-70 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.09.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.10.24 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0080781-43 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.05.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0341526-45 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5083728-15 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.07.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0629611-58 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.07.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0629603-93 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.10.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0739890-17 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5021788-47 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 삭제 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 서로 이격하면서 형성된 다수의 반도체 레이저 다이오드 영역들을 구비하고, 상기 다수의 반도체 레이저 다이오드 영역들을 절연시키기 위해 상기 반도체 레이저 다이오드 영역들 사이와 노출된 면에 형성된 절연층을 포함하고, 상기 반도체 레이저 다이오드 영역은 홀이 구비되며, N-반도체층, 활성층 및 P-반도체층의 적층으로 이루어진 적층 구조물과, 상기 홀 내에 매립 형태로 형성되어 상기 N-반도체층 부분과 컨택되는 N-전극 및 상기 N-전극과 수평방향으로 형성되어 상기 P-반도체층과 컨택되는 P-전극이 포함된 수평형 적층 구조물로 구성되는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 |
| 4 |
4 서로 이격하면서 형성된 다수의 반도체 레이저 다이오드 영역들을 구비하고, 상기 다수의 반도체 레이저 다이오드 영역들을 절연시키기 위해 상기 반도체 레이저 다이오드 영역들 사이와 노출된 면에 형성된 절연층을 포함하며, 상기 반도체 레이저 다이오드 영역은 P-전극, P-반도체층, 활성층, N-반도체층 및 N-전극이 순차적으로 적층된 수직형 적층 구조물로 구성되고, 상기 다수의 반도체 레이저 다이오드 영역과 본딩되는 상부에 다수의 서브마운트 기판용 P-전극이 형성된 서브마운트 기판을 더 포함하는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 |
| 5 |
5 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 다수의 반도체 레이저 다이오드 영역과 각각 커플링되는 복수의 광 파이버와 상기 복수의 광 파이버를 하나의 광 파이버로 모아주는 광 파이버포커스를 포함하는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서,상기 복수의 광 파이버는 상기 반도체 레이저 다이오드 영역의 활성층 부분과 각각 연결되는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 |
| 7 |
7 제 5 항에 있어서,상기 반도체 레이저 다이오드 영역의 발진면에서 광 파이버와 커플링이 이루어지고, 상기 발진면 이외의 부분에는 반사층이 형성된 것을 더 포함하는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 |
| 8 |
8 제 4 항에 있어서, 상기 N-전극들 사이에 개재되도록 상기 N-반도체층 상에 형성되어 양측에 형성된 N-전극과 와이어 본딩된 전압공급 컨트롤러를 더 포함하는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 |
| 9 |
9 제 3 항에 있어서, 상기 다수의 반도체 레이저 다이오드 영역과 본딩되는 상부에 다수의 서브마운트 기판용 P-전극과 N-전극이 수평방향으로 형성된 서브마운트 기판을 더 포함하는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 |
| 10 |
10 사파이어 기판 상부에 N-반도체층, 활성층, P-반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 사파이어 기판이 노출되도록 상기 P-반도체층, 활성층, N-반도체층을 식각하여 상기 N-반도체층, 활성층 및 P-반도체층의 적층으로 이루어진 다수의 적층 구조물들을 서로 이격하면서 형성하는 단계;상기 적층 구조물들 사이 및 식각된 적층 구조물 부분에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층을 식각하여 상기 P-반도체층 상부를 노출시키는 단계;상기 노출된 P-반도체층 상에 P-전극을 형성하는 단계;상부에 서브마운트 기판용 P-전극이 형성된 서브마운트 기판을 준비하고, 상기 서브마운트 기판과 상기 적층 구조물의 P-전극을 본딩하는 단계;상기 N-반도체층으로부터 상기 사파이어 기판을 이탈시키는 단계; 및상기 사파이어 기판이 이탈된 N-반도체층 부분에 N-전극을 형성하여, 상기 P-전극, P-반도체층, 활성층, N-반도체층 및 N-전극으로 구성된 수직형 적층 구조물의 반도체 레이저 다이오드 영역을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 서브마운트 기판은 본딩용 금속층을 더 포함하는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
| 12 |
12 제 11 항에 있어서, 상기 본딩용 금속층은 Cr, Ti, Pt, Au, Mo, Sn, Ag 및 In 중에서 적어도 2개 이상의 합금으로 이루어진 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
| 13 |
13 제 10 항에 있어서, 상기 N-전극 측면 부분에 전압공급 컨트롤러를 형성하는 단계; 및상기 전압공급 컨트롤러와 N-전극을 본딩하는 단계;를 더 포함하는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서, 상기 본딩은 와이어 본딩, 인쇄방법 및 패터닝 중 어느 하나의 방법으로 수행하는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
| 15 |
15 제 10 항에 있어서, 복수의 광 파이버와 상기 복수의 광 파이버를 하나의 광 파이버로 모아주는 광 파이버포커스를 준비하고, 상기 복수의 광 파이버를 상기 반도체 레이저 다이오드 영역의 활성층 부분과 각각 연결시키는 단계;를 더 포함하는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서,상기 복수의 광 파이버는 반도체 레이저 다이오드 영역의 발진면에서 커플링을 이루고, 상기 발진면 이외의 부분에는 반사층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
| 17 |
17 사파이어 기판 상부에 N-반도체층, 활성층, P-반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 P-반도체층, 활성층, N-반도체층을 식각하여 상기 N-반도체층 부분을 노출시키는 홀을 형성하고, 상기 N-반도체층, 활성층 및 P-반도체층의 적층으로 이루어진 다수의 적층 구조물을 서로 이격하면서 형성하는 단계;상기 적층 구조물들 사이 및 식각된 적층 구조물 부분에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층을 식각하여 상기 P-반도체층 상부와 상기 홀의 저면 부분을 노출시키는 단계;상기 노출된 P-반도체층 상에 P-전극을 형성함과 아울러 상기 노출된 홀의 저면 부분과 콘택되도록 상기 홀 내에 매립 형태의 N-전극을 상기 P-전극과 수평방향으로 형성하여 상기 N-반도체층, 활성층, P-반도체층의 적층 구조물과 P-전극 및 N-전극으로 구성된 수평형 적층 구조물의 반도체 레이저 다이오드 영역을 형성하는 단계;상부에 다수의 서브마운트 기판용 P-전극과 N-전극이 수평방향으로 서로 교차하면서 형성된 서브마운트 기판을 준비하고, 상기 서브마운트 기판과 상기 반도체 레이저 다이오드 영역의 P-전극 및 N-전극을 본딩하는 단계; 및상기 N-반도체층으로부터 상기 사파이어 기판을 이탈시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
| 18 |
18 제 17 항에 있어서, 상기 서브마운트 기판은 본딩용 금속층을 더 포함하는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
| 19 |
19 제 18 항에 있어서, 상기 본딩용 금속층은 Cr, Ti, Pt, Au, Mo, Sn, Ag 및 In 중에서 적어도 2개 이상의 합금으로 이루어진 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
| 20 |
20 제 17 항에 있어서, 복수의 광 파이버와 상기 복수의 광 파이버를 하나의 광 파이버로 모아주는 광 파이버포커스를 준비하고, 상기 복수의 광 파이버를 상기 반도체 레이저 다이오드 영역의 활성층 부분과 각각 연결시키는 단계;를 더 포함하는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
| 21 |
21 제 20 항에 있어서,상기 복수의 광 파이버는 반도체 레이저 다이오드 영역의 발진면에서 커플링을 이루고, 상기 발진면 이외의 부분에는 반사층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1334205-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20120207 출원 번호 : 1020120012266 공고 연월일 : 20131129 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20131028 청구범위의 항수 : 19 유별 : H01S 5/40 발명의 명칭 : 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20171123 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 393,000 원 | 2013년 11월 25일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2016년 10월 26일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.02.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0098630-70 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.09.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2012.10.24 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0080781-43 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2013.05.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0341526-45 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5083728-15 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.07.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0629611-58 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.07.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0629603-93 |
| 8 | 등록결정서 | 2013.10.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0739890-17 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5021788-47 |
| 기술번호 | KST2014048502 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 순천대학교 |
| 기술명 | 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 멀티 칩 구조로 반도체 레이저 다이오드를 형성하고, 전압공급 컨트롤러 및 복수의 광 파이버를 구비한 광 파이버포커스를 형성함으로써, 광의 세기 및 광 효율을 향상시킬 수 있는 고출력의 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드를 제조하는 것에 관한 것이다. |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | Laser Diode Fab and Packaging |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,M&A,기타, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1415131570 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10040379 |
| 연구과제명 | 모바일 융합기기용 5W급 풀칼라(R,G,B) 레이저 다이오드 및 모듈 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 201108~201405 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415127583 |
|---|---|
| 세부과제번호 | B0010622 |
| 연구과제명 | 차세대 전략산업용 희유자원 실용화 지역혁신센터 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술진흥원 |
| 연구주관기관명 | 순천대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200807~201802 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
특허성과
| [1020130008533] | 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자의 제조방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020120158177] | 투명전도성산화물 박막의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 투명전도성산화물 박막 | 새창보기 |
| [1020120090256] | 플렉시블 전자소자의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 플렉시블 전자소자 | 새창보기 |
| [1020120086747] | 실리콘 나노와이어의 제조방법 및 이를 통해 제조되는 실리콘 나노와이어 | 새창보기 |
| [1020120085957] | 변색 발광 용기(Color changeable luminescent container) | 새창보기 |
| [1020120085943] | LED 조명을 이용한 경고용 핫 플레이트 | 새창보기 |
| [1020120085943] | 핫 플레이트 및 이의 온도 경고 방법 | 새창보기 |
| [1020120085936] | 자외선 발광 다이오드 살균 디스펜서 | 새창보기 |
| [1020120085922] | LED 수질오염 측정장치 | 새창보기 |
| [1020120078219] | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020120075555] | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020120071885] | 횡단보도의 조명장치 및 조명방법 | 새창보기 |
| [1020120069754] | 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020120069699] | 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020120066682] | 치과용 임플란트에 사용되는 어버트먼트용 합금재료의 봉재 제조방법 | 새창보기 |
| [1020120062492] | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020120062401] | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020120062396] | 반도체 발광 소자, 반도체 발광 소자 패키지 및 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020120054779] | 리튬이차전지용 양극 활물질과 이를 포함하는 리튬이차전지 및 리튬이차전지용 양극 활물질의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020120024297] | 투명전도막 및 그의 형성방법 | 새창보기 |
| [1020120012266] | 멀티 칩 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020120007762] | 광전자소자용 팔라듐 금속층의 식각 방법 | 새창보기 |
| [1020110101569] | 적층결함이 제거된 III족 질화물 기판의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110034252] | 무극성 또는 반극성 Ⅲ족 질화물 기반 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020100062891] | 나노구조 형광체가 구비된 발광다이오드 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020100060693] | 치과 보철물용 합금 조성물 및 치과 보철물의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020100049821] | 투명전도막 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020100042321] | ＬＥＤ 모듈을 위한 어드레스 전극라인 및 제조방법 | 새창보기 |
| [1020090133830] | 발광다이오드 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020090133829] | 발광다이오드 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020090122953] | 고출력 발광 다이오드 모듈 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020090054901] | 백색 나노 발광다이오드 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
| 관련기술 정보가 없습니다 |
|---|
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|