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(a) 팔라듐을 증착하여 기판 위에 팔라듐 금속층을 마련하는 단계;(b) 상기 팔라듐 금속층 위에 PR(photo resist) 패턴을 형성하는 단계;(c) 상기 팔라듐 금속층을 수소 플라즈마 전처리하여 상기 팔라듐 금속층 내부에 수소를 침투시키는 단계; 및(d) 수소 플라즈마 전처리된 상기 팔라듐 금속층을 건식 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자소자용 팔라듐 금속층의 식각 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는 DC(direct current) 플라즈마 처리, RF(radio frequency) 플라즈마 처리, microwave 플라즈마 처리, 유도결합 플라즈마(ICP) 처리, 전자공명 플라즈마(ECR) 처리 중에서 선택된 방법으로 상기 팔라듐 금속층의 결정 격자 내에 수소 플라즈마를 이용하여 수소를 침투시키는 것을 특징으로 하는 광전자소자용 팔라듐 금속층의 식각 방법
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제 2 항에 있어서,상기 (c) 단계는 상온 ~ 1000℃의 온도 조건과 1mTorr ~ 100Torr의 압력 조건 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전자소자용 팔라듐 금속층의 식각 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는 상기 팔라듐 금속층이 형성된 상기 기판을 열처리로 내에 장입한 후 상기 열처리로 내에 수소 가스를 공급하면서 열을 가하여 상기 팔라듐 금속층의 결정 격자 내에 수소를 침투시키는 것을 특징으로 하는 광전자소자용 팔라듐 금속층의 식각 방법
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제 4 항에 있어서,상기 (c) 단계는 100℃ ~ 1000℃의 온도 조건과 1mTorr ~ 상압의 압력 조건 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전자소자용 팔라듐 금속층의 식각 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (d) 단계는 반응성 이온 식각(RIE), 유도결합 플라즈마(ICP) 식각, 화학적 이온 빔 식각(CAIBE), 반응성 이온 빔 식각(RIBE), 전자공명 플라즈마(ECR) 식각 중에서 선택된 방법으로 상기 팔라듐 금속층을 식각하는 것을 특징으로 하는 광전자소자용 팔라듐 금속층의 식각 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (d) 단계에서 Cl2, CF4, CHF3, SF6 중에서 선택된 단일 가스 또는 이들 중에서 선택된 두 개 이상이 혼합된 혼합가스를 이용하여 상기 팔라듐 금속층을 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 광전자소자용 팔라듐 금속층의 식각 방법
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(a) 팔라듐을 증착하여 기판 위에 팔라듐 금속층을 마련하는 단계;(b) 상기 팔라듐 금속층 위에 PR(photo resist) 패턴을 형성하는 단계; 및(c) 상기 팔라듐 금속층이 형성된 상기 기판을 반응 챔버에 장입한 후 상기 반응 챔버 내에 식각 활성 가스와 수소 가스를 동시에 공급하면서 상기 팔라듐 금속층을 건식 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자소자용 팔라듐 금속층의 식각 방법
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제 8 항에 있어서,상기 (c) 단계는 반응성 이온 식각(RIE), 유도결합 플라즈마(ICP) 식각, 화학적 이온 빔 식각(CAIBE), 반응성 이온 빔 식각(RIBE), 전자공명 플라즈마(ECR) 식각 중에서 선택된 방법으로 상기 팔라듐 금속층을 식각하는 것을 특징으로 하는 광전자소자용 팔라듐 금속층의 식각 방법
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제 8 항에 있어서,상기 (c) 단계에서 상기 수소 가스로 순수 수소 또는 Ar, N2, Ne, He, Xe, O2 중에서 선택된 가스로 희석된 수소 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 광전자소자용 팔라듐 금속층의 수소 전처리 방법
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