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고-전자 이동도 트랜지스터 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014048510
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 AlGaN/GaN 이종 접합 고-전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 소자 제작시, 식각 데미지 현상 없이 게이트 전극 하단부에 자기-정렬된 형태의 캡핑층을 삽입하여 2DEG층을 공핍시킬 수 있는 노멀리 오프 특성의 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/335 (2006.01) H01L 29/775 (2006.01)
CPC H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01)
출원번호/일자 1020120069754 (2012.06.28)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1334164-0000 (2013.11.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.28)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 전라남도 순천시 중앙로
2 오승규 대한민국 전라남도 순천시 중앙로
3 송치균 대한민국 전라남도 순천시 중앙로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안준형 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0516744-60
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0036697-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0375848-72
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0644234-45
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0644235-91
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0588345-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 순차적으로 적층된 하부 반도체층과 상부 반도체층; 상기 상부 반도체층 상부에 형성된 캡핑층;상기 캡핑층 상부에 형성된 게이트 전극; 및상기 게이트 전극 양측에 형성된 소오스 전극과 드레인 전극;을 포함하며,상기 캡핑층은 상기 게이트 전극을 식각 마스크로 이용하여 자기-정렬된 형태로 형성되고, 상기 상부 반도체층의 표면에는 전자빔 조사 방법으로 형성된 표면 손상 회복 영역이 구비된 고-전자 이동도 트랜지스터 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판과 상기 하부 반도체층 사이에 버퍼층이 더 포함된 고-전자 이동도 트랜지스터 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 하부 반도체층은 i형 질화갈륨계 반도체층으로 형성되고, 상기 상부 반도체층은 알루미늄을 포함하는 i형 질화갈륨계 반도체층으로 형성된 고-전자 이동도 트랜지스터 소자
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 캡핑층은 상기 게이트 전극의 하부 영역에만 형성된 고-전자 이동도 트랜지스터 소자
7 7
제 1 항 내지 제 3 항, 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 캡핑층은 p형 반도체층으로 형성된 고-전자 이동도 트랜지스터 소자
8 8
제 7 항에 있어서,상기 p형 반도체층은 p형 질화갈륨계 반도체층으로 형성된 고-전자 이동도 트랜지스터 소자
9 9
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 Ni, Pt, W, Pd, Cr, Cu, Au 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질 또는 이를 포함하는 혼합물로 이루어진 고-전자 이동도 트랜지스터 소자
10 10
기판 상에 순차적으로 하부 반도체층과 상부 반도체층을 형성하는 단계;상기 상부 반도체층 상에 캡핑층 형성 물질을 증착하는 단계;상기 캡핑층 형성 물질 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 식각 마스크로 이용해서 상기 캡핑층 형성 물질을 식각하여 상기 상부 반도체층 상에 자기-정렬된 캡핑층을 형성하는 단계; 및상기 자기-정렬된 캡핑층 양측의 상부 반도체층 상부에 소오스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 소오스 전극 및 드레인 전극이 형성된 전체 구조물에 전자빔을 조사하는 단계;를 포함하는 것을 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 기판과 상기 하부 반도체층 사이에 버퍼층을 더 형성하는 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 제조 방법
12 12
제 10 항에 있어서,상기 하부 반도체층은 i형 질화갈륨계 반도체층으로 형성하고, 상기 상부 반도체층은 알루미늄을 포함하는 i형 질화갈륨계 반도체층으로 형성하는 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 제조 방법
13 13
제 10 항에 있어서,상기 캡핑층은 상기 게이트 전극의 하부 영역에만 형성하는 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 제조 방법
14 14
제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 캡핑층은 p형 반도체층으로 형성하는 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 p형 반도체층은 p형 질화갈륨계 반도체층으로 형성하는 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 제조 방법
16 16
제 10 항에 있어서,상기 게이트 전극은 Ni, Pt, W, Pd, Cr, Cu, Au 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질, 또는 이를 포함하는 혼합물로 형성하는 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 제조 방법
17 17
삭제
18 18
제 10 항에 있어서,상기 전자빔 조사는 50 내지 250Ｗ의 RF 파워와 50 내지 1500Ⅴ의 DC 파워를 인가하여 수행하는 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 순천대학교 지역대학우수과학자지원사업 활성입자 빔을 이용한 AlGaN/GaN 기반의 고효율 저손실 전력반도체소자 기술개발
2 지식경제부 순천대학교 지역혁신센터(RIC)사업 차세대 전략산업용 희유자원 실용화 센터 사업