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고-전자 이동도 트랜지스터 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014048511
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 AlGaN/GaN 이종 접합 고-전자 이동도 트랜지스터(HEMT)소자 제작시, 게이트 전극 하단부에 p형 산화물층을 삽입하여 2DEG층을 공핍시킬 수 있는 노멀리 오프 특성의 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01)
출원번호/일자 1020120069699 (2012.06.28)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1306591-0000 (2013.09.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130911) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.28)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 전라남도 순천시 중앙로
2 오승규 대한민국 전라남도 순천시 중앙로
3 송치균 대한민국 전라남도 순천시 중앙로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안준형 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0516518-58
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0037676-94
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0375847-26
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0644232-54
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0644233-00
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0588342-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 하부 반도체층과 상부 반도체층; 상기 상부 반도체층 상에 형성된 p형 산화층;상기 p형 산화층 상에 형성된 게이트 전극; 및상기 게이트 전극 양측에 형성된 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하며, 상기 p형 산화층 하부에는 i형 산화층 또는 i형 질화갈륨계 반도체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고-전자 이동도 트랜지스터 소자
2 2
기판;상기 기판 상에 순차적으로 적층된 하부 반도체층과 상부 반도체층; 상기 상부 반도체층 상에 형성된 p형 산화층;상기 p형 산화층 상에 형성된 게이트 전극; 및상기 게이트 전극 양측에 형성된 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하며, 상기 p형 산화층 하부에는 i형 산화물층 또는 i형 질화갈륨계 반도체층 중에서 선택된 하나의 층과 p형 산화층의 적층 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고-전자 이동도 트랜지스터 소자
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 하부 반도체층은 i형 질화갈륨계 반도체층으로 형성되고, 상기 상부 반도체층은 알루미늄을 포함하는 i형 질화갈륨계 반도체층으로 형성된 고-전자 이동도 트랜지스터 소자
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 p형 산화층은 Zn, Mg, Ni, Cu, Ca, Cd, Sr, Ni 및 Si 중에서 선택된 어느 하나의 물질을 포함하는 산화물로 이루어진 고-전자 이동도 트랜지스터 소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 p형 산화층은 Mg, N, B, As, Al, P 및 K 중에서 선택된 어느 하나의 불순물이 도핑된 고-전자 이동도 트랜지스터 소자
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 p형 산화층은 상기 게이트 전극의 하부 영역에만 형성된 고-전자 이동도 트랜지스터 소자
9 9
기판 상에 순차적으로 하부 반도체층과 상부 반도체층을 형성하는 단계;상기 상부 반도체층 상에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 상부 반도체층의 게이트 전극 형성 영역 상에 p형 산화층과 게이트전극의 적층 구조를 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 p형 산화층 하부에 i형 산화층 또는 i형 질화갈륨층계 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 제조 방법
10 10
기판 상에 순차적으로 하부 반도체층과 상부 반도체층을 형성하는 단계;상기 상부 반도체층 상에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 상부 반도체층의 게이트 전극 형성 영역 상에 p형 산화층과 게이트전극의 적층 구조를 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 p형 산화층 하부에 i형 산화물층 또는 i형 질화갈륨계 반도체층 중에서 선택된 하나의 층과 p형 산화층의 적층 구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 제조 방법
11 11
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 p형 산화층은 상기 게이트 전극의 하부 영역에만 형성하는 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 제조 방법
12 12
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 하부 반도체층은 i형 질화갈륨계 반도체층으로 형성하고, 상기 상부 반도체층은 알루미늄을 포함하는 i형 질화갈륨계 반도체층으로 형성하는 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 제조 방법
13 13
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 p형 산화층은 Zn, Mg, Ni, Cu, Ca, Cd, Sr, Ni 및 Si 중에서 선택된 어느 하나의 물질을 포함하는 산화물로 형성하는 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 제조 방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 p형 산화층은 Mg, N, B, As, Al, P 및 K 중에서 선택된 어느 하나의 불순물이 도핑된 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 제조 방법
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 p형 산화층과 게이트 전극의 적층 구조를 형성하는 단계는,상기 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 상기 상부 반도체층 상에 p형 산화층 형성 물질을 증착하는 단계;상기 p형 산화층 형성 물질 상에 게이트 전극 형성 영역을 가리는 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 마스크 패턴에 의해 노출된 상기 p형 산화층 물질을 식각하여 상기 상부 반도체층의 게이트 전극 형성 영역 상에 p형 산화층을 형성하는 단계; 및상기 p형 산화층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 제조 방법
18 18
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 p형 산화층과 게이트 전극의 적층 구조를 형성하는 단계는, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 상기 상부 반도체층 상에 p 형 산화층 형성 물질을 증착하는 단계;상기 p형 산화층 형성 물질 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 게이트 전극을 마스크로 사용하여 상기 p형 산화층 형성 물질을 식각해서 상기 상부 반도체층 상에 p형 산화층을 형성하는 단계;를 포함하는 고-전자 이동도 트랜지스터 소자 제조 방법
19 19
삭제
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1 교육과학기술부 순천대학교 지역대학우수과학자지원사 활성입자 빔을 이용한 AlGaN/GaN 기반의 고효율 저손실 전력반도체소자 기술개발
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