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반도체 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014048581
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로 오픈부를 구비한 투명전극을 이용해서 다수의 나노 구조체가 구비된 p형 반도체층을 형성하여 소자의 광 추출효율을 높일 수 있는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.또한, 본 발명은 마이크로 오픈부를 구비한 투명전극을 이용해서 다수의 나노 구조체가 구비된 p형 반도체층 및 n형 반도체층을 형성하여 소자의 광 추출효율을 높일 수 있는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020120062492 (2012.06.12)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1373152-0000 (2014.03.05)
공개번호/일자 10-2013-0138941 (2013.12.20) 문서열기
공고번호/일자 (20140313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.12)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 전라남도 순천시 중앙로
2 박민주 대한민국 전라남도 순천시 중앙로
3 손광정 대한민국 전라남도 순천시 중앙로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안준형 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0464659-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.02.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0009906-00
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0586238-24
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0924671-74
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0924673-65
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0141925-58
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 적층된 질화갈륨계 반도체 적층 구조;상기 p형 반도체층 상에 형성되고, 서로 분리된 복수의 마이크로 오픈부들을 갖는 투명전극; 및상기 투명전극 및 상기 n형 반도체층 상에 각각 접속하는 p형 전극 및 n형 전극;을 포함하며,상기 p형 반도체층은 제1영역과 상기 제1영역 사이에 다수의 나노 구조체를 구비한 서로 분리된 복수의 제2영역들을 포함하고,상기 복수의 마이크로 오픈부 영역과 상기 복수의 제2영역들은 서로 대응되는 반도체 발광 소자
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 복수의 마이크로 오픈부들은 서로 일정한 간격을 유지한 형태로 형성된 반도체 발광 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 복수의 마이크로 오픈부들은 원형, 삼각형, 사각형, 사다리꼴형 및 마름모꼴형 중 어느 하나의 형상으로 이루어진 반도체 발광 소자
5 5
제 1 항에 있어서,상기 복수의 마이크로 오픈부들의 면적은 상기 투명전극 전체 면적의 10∼50％로 구성된 반도체 발광 소자
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 n형 반도체층은 노출된 표면에 다수의 나노 구조체가 형성된 반도체 발광 소자
8 8
제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 다수의 나노 구조체는 포토닉 크리스탈 구조인 반도체 발광 소자
9 9
n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 적층으로 이루어진 질화갈륨계 반도체 적층 구조를 형성하는 단계;상기 질화갈륨계 반도체 적층 구조의 p형 반도체층 상에 투명전극을 형성하는 단계;상기 투명전극과 p형 반도체층 및 상기 활성층을 식각하여 상기 n형 반도체층의 일부를 노출시키는 단계;상기 투명전극 상에 마이크로 패터닝 마스크를 형성하는 단계;상기 마이크로 패터닝 마스크를 이용하여 상기 p형 반도체층 상면을 노출시키는 서로 분리된 복수의 마이크로 오픈부를 형성하는 단계;상기 복수의 마이크로 오픈부 영역내의 상기 노출된 p형 반도체층 상에 나노 패터닝 마스크를 형성하는 단계; 및상기 나노 패터닝 마스크를 이용하여 상기 복수의 마이크로 오픈부 영역내의 상기 노출된 p형 반도체층에 다수의 나노 구조체를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 복수의 마이크로 오픈부들은 서로 일정한 간격을 유지한 형태로 형성하는 반도체 발광 소자 제조 방법
11 11
제 9 항에 있어서,상기 복수의 마이크로 오픈부들은 원형, 삼각형, 사각형, 사다리꼴형 및 마름모꼴형 중 어느 하나의 형상으로 이루어진 반도체 발광 소자 제조 방법
12 12
제 9 항에 있어서,상기 복수의 마이크로 오픈부들의 면적은 상기 투명전극 전체 면적의 10∼50％로 구성된 반도체 발광 소자 제조 방법
13 13
제 9 항에 있어서,상기 노출된 n형 반도체층 상면에 나노 패터닝 마스크를 형성하는 단계; 및상기 나노 패터닝 마스크를 이용하여 상기 n형 반도체층의 상부 표면에 다수의 나노 구조체를 형성하는 단계;를 더 포함하는 반도체 발광 소자 제조 방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 n형 반도체층에 형성된 다수의 나노 구조체는 상기 p형 반도체층에 형성된 다수의 나노 구조체와 동시에 형성하는 반도체 발광 소자 제조 방법
15 15
제 9 항 또는 제 13 항에 있어서,상기 다수의 나노 구조체는 포토닉 크리스탈 구조로 형성하는 반도체 발광 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 포항공과대학 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업(LED/광) 180lm/W급 고효율 나노기반 LED 개발
2 지식경제부 순천대학교 지역혁신센터(RIC)사업 차세대 전략산업용 희유자원 실용화 센터 사업