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반도체 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014048582
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이온 주입 또는 플라즈마 도핑 방법을 통해 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층의 노출된 표면 상에 표면개질층을 형성하여 누설전류 현상을 방지할 수 있는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 33/44 (2014.01) H01L 33/14 (2014.01)
CPC H01L 33/0095(2013.01) H01L 33/0095(2013.01) H01L 33/0095(2013.01)
출원번호/일자 1020120062401 (2012.06.12)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1350923-0000 (2014.01.07)
공개번호/일자 10-2013-0138896 (2013.12.20) 문서열기
공고번호/일자 (20140115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.12)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 전라남도 순천시 중앙로
2 박민주 대한민국 전라남도 순천시 중앙로
3 황성주 대한민국 전라남도 순천시 중앙로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안준형 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0464043-19
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0468164-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.03.06 수리 (Accepted) 9-1-2013-0011930-99
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0570875-79
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0904342-00
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0904262-45
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0891115-94
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
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번호 청구항
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n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층의 적층으로 이루어진 질화갈륨계 반도체 적층 구조를 형성하는 단계;상기 반도체 적층 구조의 p형 반도체층 및 상기 n형 반도체층과 각각 컨택하는 p형 전극 및 n형 전극을 형성하는 단계; 및상기 질화갈륨계 반도체 적층 구조의 노출된 표면 상에 저항증가층 및 저항감소층으로 이루어진 표면개질층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 저항증가층 및 저항감소층은 동시에 형성되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 저항증가층은 상기 활성층 및 상기 p형 반도체층의 노출된 표면 상에 형성하고, 상기 저항감소층은 상기 n형 반도체층의 노출된 표면 상에 형성하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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9 9
제 6 항에 있어서,상기 표면개질층은 상기 질화갈륨계 반도체 적층 구조에 이온 주입 또는 플라즈마 도핑 방법을 표면 처리하여 형성하는 반도체 발광 소자 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 표면개질층은 Si, C, Ge, Sn, Pb, O, S, Se, Te, N, P, As, Sb, Bi, Zn, Ca, Ar, Be, Ti, H, He, Al, In 및 B 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 이온으로 표면처리하여 형성하는 반도체 발광 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 포항공과대학 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업(LED/광) 180lm/W급 고효율 나노기반 LED 개발
2 지식경제부 순천대학교 지역혁신센터(RIC)사업 차세대 전략산업용 희유자원 실용화 센터 사업