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염료감응 태양전지용 전극의 제조방법 및 이를 이용한 염료감응 태양전지의

  • 기술번호 : KST2014048590
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 염료감응 태양전지용 전극의 제조공정 중 반도체 전극의 염료흡착공정을 제거할 수 있어 공정시간을 대폭적으로 절감할 수 있고 연속공정을 통해 염료감응 태양전지를 저비용으로 대량생산할 수 있게 하는 염료감응 태양전지용 전극의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 염료감응 태양전지용 전극의 제조방법은, (a) 반도체 나노 분말의 표면에 염료를 부분 흡착시키는 단계; (b) 염료가 부분 흡착된 반도체 나노 분말을 기판에 도포하는 단계; 및 (c) 상기 도포된 반도체 나노 분말을 가압성형하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01G 9/2059(2013.01) H01G 9/2059(2013.01) H01G 9/2059(2013.01)
출원번호/일자 1020110022965 (2011.03.15)
출원인 순천대학교 산학협력단, (주) 파루
등록번호/일자 10-1357049-0000 (2014.01.23)
공개번호/일자 10-2012-0105260 (2012.09.25) 문서열기
공고번호/일자 (20140206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.15)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시
2 (주) 파루 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 표명호 대한민국 전라남도 순천시 삼산로 ***
2 김현호 대한민국 전라남도 순천시
3 황윤화 대한민국 전라남도 진도군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시
2 (주) 파루 전라남도 순천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0188691-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0021091-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0174235-56
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0430165-40
6 보정요구서
Request for Amendment
2012.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0071490-91
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0509356-94
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2012.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0463162-76
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0590143-54
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0688739-75
11 보정요구서
Request for Amendment
2012.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0111978-97
12 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2012.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0717181-79
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0782432-47
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0782431-02
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0128082-89
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-0009901-66
17 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0367734-97
18 보정요구서
Request for Amendment
2013.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0050313-26
19 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0466852-10
20 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2013.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0400940-16
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
22 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.06.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0568609-02
23 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0568608-56
24 등록결정서
Decision to grant
2013.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0731392-16
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
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번호 청구항
1 1
(a) 반도체 나노 분말의 표면에 염료를 부분 흡착시키는 단계;(b) 염료가 부분 흡착된 반도체 나노 분말을 분산매에 분산시켜 기판에 도포하고 건조하는 단계; 및 (c) 상기 도포된 반도체 나노 분말을 가압성형하는 단계;를 포함하는 염료감응 태양전지용 전극의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 염료의 흡착량은 3×10-11mol/㎠ ~ 10×10-11mol/㎠ 인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 전극의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는 염료를 포함하는 용매에 반도체 나노 분말을 침지시키는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 전극의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 닥터 블레이드, 스퀴즈(squeeze)법, 스핀 코팅법, 스크린 프린팅법 또는 스프레이 도장법 중 어느 한 방법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 전극의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 기판에 대해 TiCl4 처리를 수행한 후, 행해지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 전극의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계의 나노 분말의 가압성형은 5 ~ 100MPa의 압력으로 수행되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 전극의 제조방법
7 7
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 나노 분말은 TiO2, SnO2, ZnO, Nb2O5 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 전극의 제조방법
8 8
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 전극과, 기판상에 백금 나노입자가 부착된 상대전극을 소정간격을 두고 샌드위치 형으로 그 외주부가 밀봉되도록 결합시킨 후, 그 내부에 전해질을 주입하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.