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GaN 기판을 RCA 용액 또는 Piranha 용액으로 표면 처리하는 단계(S1); 및상기 표면 처리된 GaN 기판 상에 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)을 이용하여 실리콘 나노점 클러스터를 형성하는 단계(S2);를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 S1 단계의 RCA 용액은 10 내지 25% 부피비의 과산화수소(H2O2), 10 내지 25% 부피비의 암모니아수(NH4OH) 및 50 내지 80% 부피비의 물(H2O)로 합성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 S1 단계의 Piranha 용액은 65 내지 85% 부피비의 황산(H2SO4) 및 15 내지 35% 부피비의 과산화수소(H2O2)로 합성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 GaN 기판은 사파이어 기판 상에 버퍼층이 적층되고, 상기 버퍼층 상에 n-GaN, p-GaN 및 un-GaN 층으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질층이 적층되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 S1 단계의 RCA 용액 및 Piranha 용액의 온도는 각각 15 내지 90℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 RCA 용액 및 Piranha 용액의 처리 시간은 각각 1 내지 10분인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제조방법은 S1 단계 이전에 트리클로로에틸렌(Trichloroethylene), 아세톤(Acetone), 메탄올(Methanol) 및 탈이온수(Deionixed water)를 이용하여 상기 GaN 기판을 유기 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 S2 단계는 15℃ 내지 300℃의 온도 조건에서 반응기 내의 서셉터 상에 p-GaN 기판을 안착시키는 단계, 상기 반응기 내에 SiH4 가스를 주입하는 단계, 및 플라즈마-화학 기상 증착법을 이용하여 상기 기판상에 실리콘 나노점 클러스터를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 SiH4 가스의 유량은 5% SiH4 가스 50 내지 100 sccm인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터의 제조방법
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 제조방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터
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