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실리콘 나노와이어의 제조방법 및 이를 통해 제조되는 실리콘 나노와이어

  • 기술번호 : KST2014048594
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 실리콘 나노와이어의 제조방법은, (a) 기판 위에 인듐 기반의 투명전도성산화물 박막을 형성하는 단계, (b) 투명전도성산화물 박막을 플라즈마 처리하여 투명전도성산화물 박막의 표면에 인듐 액적을 형성하는 단계, (c) 인듐 액적이 형성된 투명전도성산화물 박막을 반응기 내에 넣고 실리콘 가스를 반응기 내에 주입하여, 투명전도성산화물 박막 표면에 인듐 액적을 촉매제로 하여 실리콘 가스에 함유된 실리콘을 증착시킴으로써 투명전도성산화물 박막 표면에 실리콘 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함한다. 본 발명은 종래와 같이 다른 금속 촉매제를 첨가하지 않고 투명전도성산화물 박막 위에 실리콘 나노와이어를 성장시킬 수 있어 실용적이고 경제적이다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C23C 16/42 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020120086747 (2012.08.08)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1329172-0000 (2013.11.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.08)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이지면 대한민국 전라남도 순천시 왕지*
2 양수환 대한민국 전라남도 보성군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동희 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, *층 (송파동, 옥명빌딩)(플랜국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0634141-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
3 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0677558-31
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 위에 인듐 기반의 투명전도성산화물 박막을 형성하는 단계;(b) 상기 투명전도성산화물 박막을 수소 플라즈마 처리하여 상기 투명전도성산화물 박막의 표면에 인듐 액적을 형성하는 단계; 및(c) 상기 인듐 액적이 형성된 투명전도성산화물 박막을 반응기 내에 넣고 실리콘 가스를 상기 반응기 내에 주입하여, 상기 투명전도성산화물 박막 표면에 상기 인듐 액적을 촉매제로 하여 상기 실리콘 가스에 함유된 실리콘을 증착시킴으로써 상기 투명전도성산화물 박막 표면에 실리콘 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계에서 상기 투명전도성산화물 박막을 유도결합 수소플라즈마(inductively coupled hydrogen plasma) 처리하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 형성방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 (b) 단계의 유도결합 수소플라즈마 공정 중 공급 고주파전력의 크기는 300W ~ 500W인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 형성방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 (b) 단계의 유도결합 수소플라즈마 공정 중 공정 시간은 1분 ~ 3분인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 형성방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계에서 상기 투명전도성산화물 박막의 표면에 형성되는 인듐 액적의 크기는 50nm ~ 200nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 형성방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계에서 상기 실리콘 가스는 SiH4인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 형성방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)을 이용하여 상기 투명전도성산화물 박막 표면에 실리콘을 증착하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 형성방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 (c) 단계에서 상기 실리콘 가스는 SiH4이고, 상기 실리콘 가스에 He, N2, H2, O2, Ar 중에서 선택된 한 종류 이상의 가스가 캐리어 가스로 혼합되어 상기 반응기에 주입되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 형성방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 (c) 단계에서 상기 인듐 액적이 형성된 상기 투명전도성산화물 박막에 인가되는 고주파전력의 크기는 15W ~ 90W인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 형성방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 (c) 단계의 플라즈마 화학기상증착 공정 중 공정 시간은 1분 ~ 10분인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 형성방법
11 11
제 7 항에 있어서,상기 (c) 단계의 플라즈마 화학기상증착 공정 중 증착 온도는 300℃ ~ 600℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 형성방법
12 12
제 1 항에 있어서,상기 투명전도성산화물 박막을 구성하는 투명전도성산화물은 ITO, InZnO(IZO), InGaZnO(IGZO), InZnSnO(IZTO), In2O3 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어의 형성방법
13 13
제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 의한 형성방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 순천대학교 지역혁신센터사업 차세대소재퓨전 그린테크놀로지 지역혁신센터사업
2 지식경제부 순천대학교 지역혁신센터(RIC) 사업 차세대 전략산업용 희유자원 실용화 센터