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투명전도성산화막(TCO)의 표면처리 방법에 있어서:투명전도성산화막(TCO)이 형성된 기판을 RF 플라즈마 챔버에 인입하는 제1단계와;수소(H2) 및 산소(O2)의 혼합가스에 의해 형성된 플라즈마를 이용하여 상기 투명전도성산화막(TCO)의 표면처리를 수행하는 제2단계를 구비하되,상기 제2단계는, 상기 RF 플라즈마 챔버 압력이 1 mTorr ~ 1 Torr인 상태에서 수행되고, 상기 수소(H2) 및 산소(O2)의 혼합가스는 부피비율로 상기 수소(H2)가 90~10 % 범위이고 상기 산소(O2)가 10~90 % 범위임을 특징으로 하는 투명전도성산화막(TCO)의 표면처리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 투명전도성산화막(TCO)은 인듐주석산화물(ITO) 또는 인듐 옥사이드 기반의 투명전도성산화막(TCO)임을 특징으로 하는 투명전도성산화막(TCO)의 표면처리 방법
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청구항 2에 있어서,상기 제2단계에서 상기 수소(H2) 및 산소(O2)의 혼합가스에는, 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 및 질소(N) 로 이루어진 비활성 가스 군에서 선택된 적어도 하나의 비활성가스가 더 포함됨을 특징으로 하는 투명전도성산화막(TCO)의 표면처리 방법
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청구항 2에 있어서,상기 플라즈마는 유도결합(inductively coupled) 플라즈마 방식, 용량성 결합(capacitive coupled) 플라즈마 방식, 전자공명(electron cyclotron resonance) 플라즈마 방식, 및 유도결합 방식과 용량성 결합 방식을 서로 결합시킨 방식 중에서 선택된 어느 하나의 방식으로 형성됨을 특징으로 하는 투명전도성산화막(TCO)의 표면처리 방법
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청구항 2에 있어서,상기 플라즈마는 유도결합 방식과 용량성 결합 방식을 서로 결합시킨 방식에 의해 형성됨을 특징으로 하는 투명전도성산화막(TCO)의 표면처리 방법
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청구항 2에 있어서,상기 플라즈마는 유도결합(inductively coupled) 플라즈마 방식에 의해, 상기 RF 플라즈마 챔버 내의 안테나코일에 10 ~ 20 MHz의 주파수를 갖는 1~3000W의 RF 전력을 인가하고, 상기 RF 플라즈마 챔버 내의 서셉터에는 10 ~ 20 MHz의 주파수를 갖는 0~500W(0을 포함하지 않음)의 RF 전력을 인가하는 방식으로 형성됨을 특징으로 하는 투명전도성산화막(TCO)의 표면처리 방법
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청구항 2에 있어서,상기 인듐주석산화물(ITO)은 내부에 금속나노입자 또는 금속산화물 나노입자들이 삽입됨을 특징으로 하는 투명전도성산화막(TCO)의 표면처리 방법
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청구항 9에 있어서,상기 금속 나노입자는 은(Ag)임을 특징으로 하는 투명전도성산화막(TCO)의 표면처리 방법
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청구항 2에 있어서,상기 투명전도성산화막(TCO)은 아르곤가스(Ar) 분위기에서 증착된 인듐주석산화물(ITO)을 재질로 함을 특징으로 하는 투명전도성산화막(TCO)의 표면처리 방법
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청구항 2에 있어서,상기 투명전도성산화막(TCO)은 아르곤(Ar)과 산소(O2)의 혼합가스 분위기에서 증착된 인듐주석산화물(ITO)을 재질로 함을 특징으로 하는 투명전도성산화막(TCO)의 표면처리 방법
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