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기판 상부에 제1투명전도층을 형성하는 제1단계; 및상기 제1투명전도층 상부에 제2투명전도층을 형성하는 제2단계;를 포함하며,상기 제1 투명전도층 및 제2 투명전도층의 적층구조로 이루어진 투명전도막이고; 상기 제1단계 및 제2단계 중 선택되는 어느 한 단계는, DC 파워와 RF 파워를 함께 인가하는 DC＋RF 스퍼터링 증착과 동시에 인시튜(in-situ)로 전자빔(electron beam)을 조사하는 전자빔 도움 증착(electron beam-assisted deposition) 공정으로 수행되고; 상기 제1단계 및 제2단계 중에서 선택되지 않은 나머지 단계는 DC 파워와 RF 파워를 함께 인가하는 DC＋RF 스퍼터링 증착 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 투명전도막 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전자빔 조사는 별도의 가스 주입 없이 전자빔만을 조사하거나, 산소 분위기하에서 조사하는 투명전도막 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 유리, 강화유리, 석영, 파이렉스, 실리콘, 폴리머 중 어느 하나로 이루어진 투명전도막 형성 방법
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제 3 항에 있어서,상기 폴리머는 PET(polyethylence terephthalate), PEN(pilyethylene naphthalate), PES(polyethersulfone), PI(polyimide)), PC(polycarbonate), PTFE 중 어느 하나인 투명전도막 형성 방법
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 제1투명전도층과 제2투명전도층은 ITO, IZO, SnO2, ATO, FTO, 산화인듐, 산화아연, GZO, IGZO, 산화카드뮴, 인 도핑-산화 주석, 산화루데늄, 알루미늄 도핑-산화아연 중 어느 하나이거나 이들의 조합으로 이루어진 투명전도막 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명전도막은 10∼100㎚의 두께로 형성하는 투명전도막 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명전도막은 상온∼200℃의 온도에서 형성하는 투명전도막 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판과 상기 투명전도막 사이에 오산화니오븀(Nb2O5), 이산화타이타늄(TiO2), 이산화규소(SiO2) 및 플루오르화마그네슘(MgF2) 물질 중에서 어느 하나이거나 이들의 적층으로 이루어진 버퍼막을 더 형성하는 투명전도막 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 버퍼막은 RF 스퍼터링, DC 스퍼터링, 전자빔 증착 및 열 증착 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 형성하는 투명전도막 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 버퍼막은 1∼1000㎚의 두께로 형성하는 투명전도막 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1단계 및 제2단계는 동일한 챔버 내에서 순차적으로 이루어지거나, 연속적으로 이어지는 챔버 내에서 기판을 이동하면서 이루어지는 투명전도막 형성 방법
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