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투명전도막 및 그의 형성방법

  • 기술번호 : KST2014048602
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명전도막 및 그의 형성방법에 관한 것으로, 인시튜로 전자빔이 조사되는 전자빔 도움 증착 공정을 포함한 증착 공정으로 투명전도막을 형성함으로써, 200℃ 이하의 저온 공정에서 투명전도막의 형성이 가능하고, 얇은 두께의 박막을 갖는 투명전도막을 얻을 수 있다. 따라서, 대면적 스크린 터치패널의 적용에 부응하는 고 투과율과 전도도를 갖는 투명전도막 및 그 형성방법을 제공하게 된다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020120024297 (2012.03.09)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1252127-0000 (2013.04.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.09)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 전라남도 순천시 중앙로
2 홍찬화 대한민국 전라남도 순천시 중앙로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안준형 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0192066-12
2 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0210207-57
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명전도막에 있어서,상기 투명전도막은 제1투명전도막과 제2투명전도막의 적층구조로 형성되고, 상기 제1투명전도막과 제2투명전도막 중에서 선택되는 어느 하나의 투명전도막은 증착 공정과 동시에 인시튜(in-situ)로 전자빔(electron beam)이 조사되는 전자빔 도움 증착(electron beam-assisted deposition) 공정에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 투명전도막
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제1투명전도막과 제2투명전도막 중에서 선택되지 않은 어느 하나의 투명전도막은 증착 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 투명전도막
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 증착 공정은 RF/DC 스퍼터링, 이온빔 스퍼터링, 화학기상증착(CVD), 저압 화학기상증착(LPCVD), 플라즈마 화학기상증착(PECVD), 전자빔 증착(Electron-beam Evaporation) 및 이온 플레이팅(ion plating) 방법 중에서 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도막
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제1투명전도막과 제2투명전도막은 ITO, IZO, SnO2, ATO, FTO, 산화인듐, 산화아연, GZO, IGZO, 산화카드뮴, 인 도핑-산화 주석, 산화루데늄, 알루미늄 도핑-산화아연 중 어느 하나이거나 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 투명전도막
5 5
제 1 항에 있어서,상기 적층구조는 10㎚∼100㎚의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 투명전도막
6 6
제 1 항에 있어서,상기 제1투명전도막과 제2투명전도막은 상온∼200℃의 온도에서 형성된 것을 특징으로 하는 투명전도막
7 7
제 1 항에 있어서,오산화니오븀(Nb2O5), 이산화타이타늄(TiO2), 이산화규소(SiO2) 및 플루오르화마그네슘(MgF2) 물질 중에서 어느 하나이거나 이들의 적층으로 형성되는 버퍼막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도막
8 8
제 7 항에 있어서,상기 버퍼막은 1㎚∼1000㎚의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 투명전도막
9 9
제 7 항에 있어서,상기 버퍼막은 RF/DC 스퍼터링, 전자빔 증착(Electron-beam Evaporation) 및 열 증착(thermal deposition) 중에서 어느 하나의 방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 투명전도막
10 10
투명전도막 형성방법에 있어서,기판 상에 제1투명전도막을 형성하는 제1단계; 및상기 제1투명전도막 상에 제2투명전도막을 형성하는 제2단계;를 포함하며,상기 제1단계 및 제2단계 중 선택되는 어느 하나의 단계에서는, 증착 공정과 동시에 인시튜로 전자빔이 조사되는 전자빔 도움 증착(electron beam-assisted deposition) 공정을 수행하여 투명전도막을 형성하는 것을 특징으로 하는 투명전도막 형성방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 제1투명전도막과 제2투명전도막 중에서 선택되지 않은 어느 하나의 단계에서는 증착 공정을 수행하여 투명전도막을 형성하는 것을 특징으로 하는 투명전도막 형성방법
12 12
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 증착 공정은 RF/DC 스퍼터링, 이온빔 스퍼터링, 화학기상증착(CVD), 저압 화학기상증착(LPCVD), 플라즈마 화학기상증착(PECVD), 전자빔 증착(Electron-beam Evaporation) 및 이온 플레이팅(ion plating) 방법 중에서 어느 하나로 수행하는 것을 특징으로 하는 투명전도막을 형성방법
13 13
제 10 항에 있어서,상기 기판은 유리, 석영, 파이렉스, 실리콘, 폴리머 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명전도막 형성방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 폴리머는 PET(polyethylence terephthalate), PEN(pilyethylene naphthalate), PES(polyethersulfone), PI(polyimide)), PC(polycarbonate), PTFE 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명전도막 형성방법
15 15
제 10 항에 있어서,상기 전자빔 조사는 별도의 가스 주입 없이 전자빔만을 조사하거나, 산소 분위기하에서 조사하는 것을 특징으로 하는 투명전도막 형성방법
16 16
제 10 항에 있어서,상기 투명전도막은 상온∼200℃의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 투명전도막 형성방법
17 17
제 10 항에 있어서,상기 인시튜 전자빔 도움 증착 공정은 동일한 챔버 내에서 순차적으로 이루어지거나, 연속적으로 이어지는 챔버 내에서 기판을 이동시키며 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명전도막 형성방법
18 18
제 10 항에 있어서,상기 제1투명전도막과 제2투명전도막은 ITO, IZO, SnO2, ATO, FTO, 산화인듐, 산화아연, GZO, IGZO, 산화카드뮴, 인 도핑-산화 주석, 산화루데늄, 알루미늄 도핑-산화아연 중 어느 하나이거나 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 투명전도막 형성방법
19 19
제 10 항에 있어서,상기 투명전도막은 10㎚∼100㎚의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 투명전도막 형성방법
20 20
제 10 항에 있어서,상기 기판과 투명전도막 사이 또는 상기 기판의 하면에 오산화니오븀(Nb2O5), 이산화타이타늄(TiO2), 이산화규소(SiO2) 및 플루오르화마그네슘(MgF2) 물질 중에서 어느 하나이거나 이들의 적층으로 이루어진 버퍼막을 1㎚∼1000㎚의 두께로 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도막 형성방법
21 21
제 20 항에 있어서,상기 버퍼막은 RF/DC 스퍼터링, 전자빔 증착(Electron-beam Evaporation) 및 열 증착(thermal deposition) 중에서 어느 하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명전도막 형성방법
22 22
제 10 항에 있어서,상기 제2투명전도막을 형성하는 단계; 후 상기 제2투명전도막이 형성된 기판 상에 후 공정으로 전자빔 조사 공정을 수행하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도막 형성방법
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