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투명전도막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014048603
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명전도막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 투명전도막(TCO)은, 베이스 기판 상에 형성되는 일정 두께의 산화물층의 내부에 금속나노입자들 또는 금속산화물 나노입자들이 배열된 구조를 가지되, 상기 금속나노입자들 또는 금속산화물 나노입자들은, 불균일한 사이즈 배열구조, 균일한 사이즈 배열구조, 불균일한 밀도 배열구조, 균일한 밀도 배열구조, 불규칙적으로 산재된 배열구조, 단일층 배열구조, 및 다층 배열구조 중에서 선택된 적어도 하나의 배열구조를 가진다. 본 발명에 따르면, 빛의 투과도를 유지하면서 전기 전도도를 향상시킬 수 있는 투명전도막의 제조가 가능하다.
Int. CL H01B 1/02 (2006.01) H01B 1/08 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 1/02(2013.01) H01B 1/02(2013.01) H01B 1/02(2013.01) H01B 1/02(2013.01)
출원번호/일자 1020100049821 (2010.05.27)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1163647-0000 (2012.07.02)
공개번호/일자 10-2011-0130261 (2011.12.05) 문서열기
공고번호/일자 (20120709) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.27)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이지면 대한민국 광주광역시 광산구
2 김준영 대한민국 전라남도 순천시
3 진용출 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동희 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, *층 (송파동, 옥명빌딩)(플랜국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0341494-11
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0457205-86
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0075633-42
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0644888-51
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0980780-75
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0980779-28
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0299956-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명전도막(TCO)에 있어서:베이스 기판 상에 형성되는 일정 두께의 산화물층의 내부에 금속나노입자들 또는 금속산화물 나노입자들이 배열된 구조를 가지되, 상기 금속나노입자들 또는 금속산화물 나노입자들은, 불균일한 사이즈 배열구조, 균일한 사이즈 배열구조, 불균일한 밀도 배열구조, 균일한 밀도 배열구조, 불규칙적으로 산재된 배열구조, 단일층 배열구조, 및 다층 배열구조 중에서 선택된 적어도 하나의 배열구조를 가지며, 상기 산화물층은 ITO, IGZO, IZO, IZTO, 및 ZnO 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 재질을 가지거나, ITO, IGZO, IZO, IZTO, 및 ZnO 중에서 선택된 적어도 어느 하나에 Al, Ga, Sn, Mg, 및 Cd 중에서 선택된 적어도 하나의 불순물을 포함하는 재질을 가짐을 특징으로 하는 투명전도막
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서,상기 산화물층은 인듐(indium)을 포함하거나 인듐을 포함하지 않는 인듐-프리 산화물층임을 특징으로 하는 투명전도막
4 4
청구항 3에 있어서,상기 금속 나노입자 또는 상기 금속 산화물 나노입자는, Ni, Ag, Au, Pt, 및 Al 중에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어짐을 특징으로 하는 투명전도막
5 5
청구항 1에 있어서,상기 금속나노입자들 또는 금속산화물 나노입자들은 상기 베이스 기판과 상기 산화물층의 경계면에 단일층 배열구조를 가짐을 특징으로 투명전도막
6 6
청구항 5에 있어서,상기 금속나노입자들 또는 금속산화물 나노입자들은 층별로 사이즈를 달리하는 나노입자들이 배열된 다층 배열구조를 가짐을 특징으로 하는 투명전도막
7 7
투명전도막의 제조방법에 있어서:베이스 기판과, 세라믹(TCO물질)타켓인 제1타켓 및 금속타켓인 제2타켓이 장착된 코-스퍼터링(co-sputter) 장비를 준비하는 제1단계와;상기 베이스 기판의 온도제어, 상기 코-스퍼터링(co-sputter) 장비에 유입되는 가스의 유량 및 종류 제어, 공정시간제어, 상기 코-스퍼터링(co-sputter) 장비의 타켓에 인가하는 파워(power)의 세기제어, 상기 코-스퍼터링(co-sputter) 장비의 플라즈마의 온-오프 제어(modulation 제어) 및 셔터(shutter)의 온-오프 제어 중에서 선택된 적어도 하나의 제어방법을 통해, 상기 제2타켓으로부터 분리되는 금속나노입자들 또는 금속산화물 나노입자들의 사이즈 및 밀도를 제어하고, 상기 코-스퍼터링(co-sputter) 장비의 플라즈마의 온-오프 제어(modulation 제어) 및 셔터(shutter)의 온-오프 제어 중에서 선택된 적어도 하나의 제어방법을 통하여, 상기 금속나노입자들 또는 금속산화물 나노입자들의 증착과 상기 세라믹(TCO물질)의 증착을 동시 또는 교대로 수행함에 의해, 상기 금속나노입자들 또는 금속산화물 나노입자들이 내부에 배열된 일정 두께의 산화물층을 상기 베이스 기판 상에 형성하는 제2단계를 구비하되,상기 금속나노입자들 또는 금속산화물 나노입자들은, 상기 산화물층의 내부에, 불균일한 사이즈 배열구조, 균일한 사이즈 배열구조, 불균일한 밀도 배열구조, 균일한 밀도 배열구조, 불규칙적으로 산재된 배열구조, 단일층 배열구조, 및 다층 배열구조 중에서 선택된 적어도 하나의 배열구조를 가짐을 특징으로 하는 투명전도막의 제조방법
8 8
삭제
9 9
청구항 7에 있어서,상기 제1타켓은 상기 산화물층의 증착을 위한 타켓이고, 상기 제2타켓은 상기 금속나노입자 또는 금속산화물 나노입자의 증착을 위한 타켓임을 특징으로 하는 투명전도막의 제조방법
10 10
청구항 7에 있어서,상기 산화물층은 ITO, IGZO, IZO, IZTO, 및 ZnO 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 재질을 가지거나, ITO, IGZO, IZO, IZTO, 및 ZnO 중에서 선택된 적어도 어느 하나에 Al, Ga, Sn, Mg, 및 Cd 중에서 선택된 적어도 하나의 불순물을 포함하는 재질을 가짐을 특징으로 하는 투명전도막의 제조방법
11 11
청구항 7에 있어서,상기 산화물층은 인듐(indium)을 포함하거나 인듐을 포함하지 않는 인듐-프리 산화물층임을 특징으로 하는 투명전도막의 제조방법
12 12
청구항 7에 있어서,상기 금속 나노입자 또는 상기 금속 산화물 나노입자는, Ni, Ag, Au, Pt, 및 Al 중에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어짐을 특징으로 하는 투명전도막의 제조방법
13 13
청구항 7에 있어서, 상기 금속나노입자들 또는 금속산화물 나노입자들은 상기 베이스 기판과 상기 산화물층의 경계면에 단일층 배열구조를 가짐을 특징으로 투명전도막의 제조방법
14 14
청구항 7에 있어서,상기 금속나노입자들 또는 금속산화물 나노입자들은 층별로 사이즈를 달리하는 나노입자들이 배열된 다층 배열구조를 가짐을 특징으로 하는 투명전도막의 제조방법
15 15
청구항 7에 있어서,상기 금속나노입자는 상기 코-스퍼터링 (Co - sputter) 장비의 챔버내에 공정가스로 산소가스가 유입되지 않는 경우에 생성되며, 상기 금속산화물 나노입자는 상기 공정가스로 산소가스가 유입되는 경우에 생성됨을 특징으로 하는 투명전도막의 제조방법
16 16
청구항 7에 있어서,상기 제2단계 이후에 저항과 투과율의 개선을 위한 열처리를 수행하는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 투명전도막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.