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이온주입기

  • 기술번호 : KST2014048679
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 제조시 불순물 도핑 공정에 사용되는 이온주입기에 관한 것으로써, 이온빔 수송계 구성품을 전기장형 대신 자기장(Magnetic Field)형으로 하여 이온빔의 자체 전하에 의하여 발생된 전기장이 외부에서 이온운동을 제어하기 위하여 인가된 자기장과 상호작용이 없도록 하여 제어장의 왜곡을 피하므로서 수십∼수백㎃까지 대전류 이온빔을 균일 밀도로 수송할 수 있고, 강 집속형 가속관을 사용, 안정하게 대전류를 가속하는 것이다.
Int. CL H01L 21/265 (2006.01) H01J 37/30 (2006.01)
CPC H01J 37/3171(2013.01) H01J 37/3171(2013.01) H01J 37/3171(2013.01) H01J 37/3171(2013.01)
출원번호/일자 1019950004005 (1995.02.28)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-0143433-0000 (1998.04.09)
공개번호/일자 10-1996-0032599 (1996.09.17) 문서열기
공고번호/일자 (19980817) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.02.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최병호 대한민국 대전직할시유성구
2 김완 대한민국 대구직할시수성구
3 정기석 대한민국 대전직할시서구
4 홍순교 대한민국 경기도안양시동안구
5 송우섭 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김경식 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, *층 (서초동, 모인터빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구소 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.02.28 수리 (Accepted) 1-1-1995-0018150-12
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.02.28 수리 (Accepted) 1-1-1995-0018151-57
3 특허출원서
Patent Application		 1995.02.28 수리 (Accepted) 1-1-1995-0018149-65
4 등록사정서
Decision to grant		 1998.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0009131-26
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.28 수리 (Accepted) 4-1-1999-0022674-59
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0052121-71
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2000-0045759-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
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번호 청구항
1 1

이온원, 질량분리전자석, 가속관, 자기4극, 자장형 편향 주사계, 플라즈마 중화계, 회전표적계로 이온빔 수송계통 부품이 자장형이며 복합기능으로 구성되는 것을 특징으로 하는 이온주입기

2 2

제 1 항에 있어서, 질량분리전자석의 입·출구측의 자극의 각도를 연속으로 변화시키어 이온원으로 부터 방출된 이온빔을 원형 입구를 갖는 가속관에 정합시키는 수평 수직방향 동시에 집속특성을 변동할 수 있는 집속특성 가변형 질량분리 전자석으로 이온원과 가속관 사이를 정합시킨 것을 특징으로 하는 이온주입기

3 3

제 1 항에 있어서, 가속관을 강집속성 다단형으로 하고 가속전압 변동에 따른 공극의 길이를 단계적으로 조정하여 집속특성을 일정하게 유지하는 집속특성 고정형 가속관을 채용하는 것을 특징으로 하는 이온주입기

4 4

제 1 항에 있어서, 이온빔 편향 및 주사계가 단일 자기2극에 의하여 2가지 기능의 복합기능을 수행하는 편향 주사계로 구성되는 것을 특징으로 하는 이온주입기

5 5

제 1 항에 있어서, 웨이퍼 표적 전단에 PIG형 플라즈마 전하중화장치를 채택한 것을 특징으로 하는 이온주입기

6 6

제 1 항에 있어서, 낱장 웨이퍼 처리용 3회전축 회전표적계 및 양산처리용 표적계로 구성되는 것을 특징으로 하는 이온주입기

7 7

이온빔의 공간적 분포가 이온원으로 부터 막대형(리본형)의 빔을 방출하고 적당한 수송 및 가속을 거친후 다시 표적에 막대형으로 되고 이를 수직으로 주사하여 3축 자유도를 갖는 표적계를 구성하여 이온빔의 공간적 분포를 균일하게 하여 넓은 면적의 저밀도 균일 이온빔을 얻고, 표적에 분포를 균일하게 하여 넓은 면적의 저밀도 균일 이온빔을 얻고, 표적에 회전운동을 가하여 웨이퍼상에 균일 이온빔이 조사되도록 된 이온광학계로 구성되는 것을 특징으로 하는 이온주입기

8 8

이온원을 고체, 기체(활성기체 포함) 겸용으로 사용하여 B+, BF2+, P+, As+의 일반적인 3족, 5족 이온과 O+,N+등 절연층 형성 이온, P++, P+++, B++, As++의 2가 또는 3가를 생성 고에너지 이온빔, 비정질화용 Si+, Ge+, Sb+및 리드 접합형성용(Siliside 형성용) Ni+, Cr+, Mo+등 이온들을 얻을 수 있는 이온원 사용한 장치로 산소 이온주입기, 고에너지 이온주입기, 금속이온주입기의 여러장치의 기능을 겸용하게 하는 이온원을 채용하는 것을 특징으로 하는 이온주입기

9

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.