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기판 위에 나노 구조체를 형성하는 단계,상기 나노 구조체 위에 보호층을 형성하는 단계,상기 보호층 위에 금속 박막을 형성하는 단계,상기 금속 박막 위에 탄소원료를 공급하는 단계,열처리하여 상기 금속 박막 내에 상기 탄소원료를 확산시키는 단계, 그리고상기 확산된 탄소원료로부터 상기 나노 구조체의 말단에 그라펜을 형성하는 단계를 포함하는 그라펜 투명 전극의 제조 방법
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제1항에서,상기 보호층을 형성하는 단계 후에상기 보호층을 선택적으로 제거하여 상기 나노 구조체의 말단을 노출시키는 단계를 더 포함하는 그라펜 투명 전극의 제조 방법
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제2항에서,상기 보호층을 선택적으로 제거하는 단계는 플라즈마 에칭 및 UV 에칭 중 적어도 하나의 방법으로 수행하는 그라펜 투명 전극의 제조 방법
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제1항에서,상기 보호층을 형성하는 단계는 유기 물질을 용액 공정으로 형성하는 그라펜 투명 전극의 제조 방법
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제1항에서,상기 금속 박막을 형성하는 단계는 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Zn, Sr
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제1항에서,상기 금속 박막을 형성하는 단계는 1nm 내지 10㎛ 두께로 형성하는 그라펜 투명 전극의 제조 방법
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제1항에서,상기 탄소원료를 공급하는 단계는 액상, 고상, 기상 또는 이들의 조합 형태로 공급하는 그라펜 투명 전극의 제조 방법
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제7항에서,상기 탄소원료를 공급하는 단계는 액상, 고상 또는 이들의 조합 형태로 공급하고,상기 열처리하는 단계는 상온 내지 1000℃에서 수행하는 그라펜 투명 전극의 제조 방법
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제8항에서,상기 열처리하는 단계는 상온 내지 600℃에서 수행하는 그라펜 투명 전극의 제조 방법
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제8항에서,상기 열처리하는 단계는 상온 내지 300℃에서 수행하는 그라펜 투명 전극의 제조 방법
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제8항에서,상기 열처리하는 단계는 0
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제7항에서,상기 탄소원료를 공급하는 단계는 기상 형태로 공급되며,상기 열처리하는 단계는 500 내지 1000℃에서 수행하는 그라펜 투명 전극의 제조 방법
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제12항에서,상기 열처리하는 단계는 0
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제1항에서,상기 그라펜을 형성하는 단계 후에 상기 보호층 및 상기 금속 박막을 제거하는 단계를 더 포함하는 그라펜 투명 전극의 제조 방법
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제1항에서,상기 기판 및 상기 나노 구조체는 p-n 접합 구조를 이루는 그라펜 투명 전극의 제조 방법
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제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 그라펜 투명 전극
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제16항에 따른 그라펜 투명 전극을 포함하는 광전 소자
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제16항에 따른 그라펜 투명 전극을 포함하는 전자 소자
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제17항 또는 제18항에서,상기 광전 소자 또는 상기 전자 소자는 액정 표시 장치, 유기 발광 장치, 전자 종이 표시 소자, 광전 소자 및 태양 전지를 포함하는 전자 소자
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