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발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014049341
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따르면 효율이 향상된 발광 다이오드의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 발광 다이오드가 제공된다. 본 발명에 따른 방법은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 제1 도전형의 하부 반도체 층, 활성층 및 제2 도전형의 상부 반도체 층을 포함하는 복수의 층을 적층하는 단계; 상기 상부 반도체 층 위에 나노미터 크기의 구조를 형성하는 단계; 및 상기 나노미터 크기의 구조를 마스크로 이용하여 상기 적층된 복수의 층의 적어도 일부를 식각하는 단계를 포함한다.발광 다이오드, 양극 산화, 다공성 알루미나, 나노미터 크기 구조
Int. CL H01L 33/20 (2014.01)
CPC H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자 1020090115158 (2009.11.26)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1136521-0000 (2012.04.06)
공개번호/일자 10-2011-0058388 (2011.06.01) 문서열기
공고번호/일자 (20120417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120025427;
심사청구여부/일자 Y (2009.11.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우덕하 대한민국 서울특별시 서대문구
2 김선호 대한민국 서울특별시 종로구
3 이석 대한민국 서울특별시 서초구
4 변영태 대한민국 경기도 구리시
5 전영민 대한민국 서울특별시 강남구
6 김재헌 대한민국 부산광역시 동구
7 정미 대한민국 서울특별시 동작구
8 김신근 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0728432-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0262710-95
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0462928-29
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0551853-69
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0551854-15
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0081135-30
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0201319-70
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.03.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0201318-24
10 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2012.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0201342-10
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0202118-14
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
발광 다이오드 제조 방법으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 제1 도전형의 하부 반도체 층, 활성층 및 제2 도전형의 상부 반도체 층을 포함하는 복수의 층을 적층하는 단계; 상기 상부 반도체층 위에 알루미늄 층을 증착하는 단계; 상기 알루미늄 층에 양극 산화 공정을 가하여 나노미터 크기의 홀을 갖는 다공성 알루미나 층을 형성하는 단계; 및 상기 다공성 알루미나 층을 마스크로 이용하여, 상기 상부 반도체 층의 일부를 식각하여 식각부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
2 2
발광 다이오드 제조 방법으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 제1 도전형의 하부 반도체 층, 활성층 및 제2 도전형의 상부 반도체 층을 포함하는 복수의 층을 적층하는 단계; 상기 상부 반도체 층 위에 알루미늄 층을 증착하는 단계; 상기 알루미늄 층에 양극 산화 공정을 가하여 나노미터 크기의 홀을 갖는 다공성 알루미나 층을 형성하는 단계; 및 상기 다공성 알루미나 층을 마스크로 이용하여, 상기 상부 반도체 층, 상기 활성층 및 상기 하부 반도체 층의 일부를 식각하여 식각부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 식각부에 절연 물질을 채우는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
4 4
발광 다이오드 제조 방법으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 제1 도전형의 하부 반도체 층, 활성층 및 제2 도전형의 상부 반도체 층을 포함하는 복수의 층을 적층하는 단계; 상기 상부 반도체 층 위에 알루미늄 층을 증착하는 단계; 상기 알루미늄 층에 양극 산화 공정을 가하여 나노미터 크기의 홀을 갖는 다공성 알루미나 층을 형성하는 단계; 상기 다공성 알루미나 층에 형성된 상기 나노미터 크기의 홀에 금속을 증착하는 단계; 상기 다공성 알루미나 층을 제거하여, 상기 상부 반도체 층 위에 나노미터 크기의 금속 디스크를 형성하는 단계; 및 상기 나노미터 크기의 금속 디스크를 마스크로 이용하여, 상기 상부 반도체 층의 일부를 식각하여 식각부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
5 5
발광 다이오드 제조 방법으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 제1 도전형의 하부 반도체 층, 활성층 및 제2 도전형의 상부 반도체 층을 포함하는 복수의 층을 적층하는 단계; 상기 상부 반도체 층 위에 알루미늄 층을 증착하는 단계; 상기 알루미늄 층에 양극 산화 공정을 가하여 나노미터 크기의 홀을 갖는 다공성 알루미나 층을 형성하는 단계; 상기 다공성 알루미나 층에 형성된 상기 나노미터 크기의 홀에 금속을 증착하는 단계; 상기 다공성 알루미나 층을 제거하여, 상기 상부 반도체 층 위에 나노미터 크기의 금속 디스크를 형성하는 단계; 및 상기 나노미터 크기의 금속 디스크를 마스크로 이용하여, 상기 상부 반도체 층, 상기 활성층 및 상기 하부 반도체 층의 일부를 식각하여 식각부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 식각부에 절연 물질을 채우는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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삭제
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11 11
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020120031994 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
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