맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

폴리(3-헥실티오펜) 기반 블록공중합체의 자기조립 구조 제어방법

  • 기술번호 : KST2014049361
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 π-공액성(π-conjugated) 폴리(3-헥실티오펜)(poly(3-hexylthiophene)) 고분자에 비공액성(non-conjugated) 고분자가 도입된 블록공중합체 및 용매를 포함하는 고분자 조성물을 제조하는 단계; 및 상기 고분자 조성물을 기판(substrate)상에 코팅하는 단계;를 포함하는 폴리(3-헥실티오펜) 기반 블록공중합체의 자기조립 구조 제어방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 소정의 용매를 선정하여 폴리(3-헥실티오펜) 기반 블록공중합체를 기판상에 코팅하는 비교적 간단한 과정만으로도 블록공중합체의 자기조립 구조를 제어하여, 다양한 유기 전자소자에 적합하도록 블록공중합체 중 전도성 도메인의 배향을 제어할 수 있게 될 뿐 아니라, 선택적으로 배향이 다양하게 제어된 자기조립 구조를 가지는 고분자 구조체는 유기 전자소자에 활용하여 고성능 디바이스의 설계 및 개발에 유용하게 사용될 수 있다.폴리(3-헥실티오펜), 자기조립
Int. CL C08J 5/00 (2014.01) C08L 81/02 (2014.01) C08L 33/12 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020090102960 (2009.10.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1114955-0000 (2012.02.03)
공개번호/일자 10-2011-0046111 (2011.05.04) 문서열기
공고번호/일자 (20120306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.28)
심사청구항수 20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 백경열 대한민국 서울특별시 성북구
2 양회창 대한민국 인천광역시 서구
3 황승상 대한민국 서울특별시 노원구
4 최연희 대한민국 강원도 춘천시 영서로 ****
5 이윤재 대한민국 경기도 안산시 단원구
6 오동엽 대한민국 부산광역시 동구
7 이한섭 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0662128-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0043939-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0309814-70
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0604314-04
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0699008-31
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0699009-87
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0059233-45
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
π-공액성 폴리(3-헥실티오펜)(π-conjugated poly(3-hexylthiophene)) 고분자에 비공액성 고분자(non-conjugated polymer)가 도입된 블록공중합체 및 용매를 포함하는 고분자 조성물을 제조하는 단계; 및상기 고분자 조성물을 기판(substrate)상에 코팅하는 단계;를 포함하고,상기 코팅 단계는 코팅층의 두께를 조절함으로써 분자 배향을 제어하는 것인 폴리(3-헥실티오펜) 기반 블록공중합체의 자기조립 구조 제어방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 비공액성 고분자는 비정질 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)인 것을 특징으로 하는 폴리(3-헥실티오펜) 기반 블록공중합체의 자기조립 구조 제어방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 고분자 조성물은 용액 공정을 통해 기판 상에 코팅되는 것을 특징으로 하는 폴리(3-헥실티오펜) 기반 블록공중합체의 자기조립 구조 제어방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 용액 공정은 드랍 캐스팅(drop-casting), 스핀-캐스팅법, 잉크젯법 및 인쇄법으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 폴리(3-헥실티오펜) 기반 블록공중합체의 자기조립 구조 제어방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 용매는 폴리(3-헥실티오펜) 및 비공액성 고분자가 모두 용해 가능한 용매인 것을 특징으로 하는 폴리(3-헥실티오펜) 기반 블록공중합체의 자기조립 구조 제어방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 용매는 클로로포름, 테트라하이드로퓨란, 클로로벤젠군 및 브로모벤젠군으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 폴리(3-헥실티오펜) 기반 블록공중합체의 자기조립 구조 제어방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 고분자 조성물은 10 내지 100nm의 두께로 코팅되는 것을 특징으로 하는 폴리(3-헥실티오펜) 기반 블록공중합체의 자기조립 구조 제어방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 폴리(3-헥실티오펜)은 수평균 분자량이 5 내지 15kDa 인 것을 특징으로 하는 폴리(3-헥실티오펜) 기반 블록공중합체의 자기조립 구조 제어방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 폴리(3-헥실티오펜)은 다분산도(중량평균 분자량/수평균분자량, polydispersity)가 1
10 10
제 1 항에 있어서,상기 고분자 조성물은 자기조립단층 (self-assembly monolayer) 또는 가교성 고분자가 코팅되어 표면에너지가 제어된 기판 상에 코팅되는 것을 특징으로 하는 폴리(3-헥실티오펜) 기반 블록공중합체의 자기조립 구조 제어방법
11 11
π-공액성 폴리(3-헥실티오펜) 기반 블록공중합체(poly(3-hexylthiophene)-based blockcopolymer)를 포함하는 자기조립 고분자 구조체로서, 상기 폴리(3-헥실티오펜) 고분자에 비공액성(non-conjugated) 고분자가 도입된 블록공중합체 및 용매를 포함하는 고분자 조성물을 기판(substrate)상에 코팅하여, 코팅층의 두께에 따라 분자 배향이 제어된 자기조립 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 자기조립 고분자 구조체
12 12
제 11 항에 있어서,상기 고분자 구조체는 기판에 수직 배향된 실린더(cylinder) 구조의 폴리(3-헥실티오펜) 결정 도메인을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기조립 고분자 구조체
13 13
제 12 항에 있어서,상기 기판 상에 코팅된 고분자 조성물의 두께는 20 에서 30nm인 것을 특징으로 하는 자기조립 고분자 구조체
14 14
제 11 항에 있어서,상기 고분자 구조체는 기판에 수직 배향된 하부 실린더 구조 및 상기 실린더 구조를 연결하는 기판과 평행하게 배향된 상부 나노피브릴 라멜라(nanofibrillar lamella) 구조의 폴리(3-헥실티오펜) 결정 도메인을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기조립 고분자 구조체
15 15
제 14 항에 있어서,상기 기판 상에 코팅된 고분자 조성물의 두께는 30 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 자기조립 고분자 구조체
16 16
제 11 항에 있어서,상기 고분자 구조체는 기판과 평행하게 배향된 나노피브릴 라멜라(smectic lamellar) 적층 구조의 폴리(3-헥실티오펜) 결정 도메인을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기조립 고분자 구조체
17 17
제 16 항에 있어서,상기 기판 상에 코팅된 고분자 조성물의 두께는 50 내지 150 nm인 것을 특징으로 하는 자기조립 고분자 구조체
18 18
제 11 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 따른 자기조립 고분자 구조체를 포함하는 유기 전자소자
19 19
제 18 항에 있어서,상기 유기 전자소자는 유기박막트랜지스터(Organic field-effect transistor, OFET)인 것을 특징으로 하는 유기 전자소자
20 20
제 18 항에 있어서,상기 유기 전자소자는 태양전지인 것을 특징으로 하는 유기 전자소자
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20110094587 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011094587 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.