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미리 준비된 실리콘 기판 상에 희생층을 증착하는 단계; 상기 증착된 희생층 상에 제1 폴리머를 도포하여 패터닝한 후, 열 경화시키는 단계; 상기 제1 폴리머 상에 본딩 패드 영역과, 트랜스미션 라인과, 레코딩 패드 영역을 형성하도록 금속박막을 패터닝하는 단계; 상기 트랜스미션 라인 영역을 폐쇄하고, 상기 본딩 패드 영역과 레코딩 패드 영역을 패터닝하도록 제2 폴리머를 도포하는 단계; 상기 제2 폴리머와 금속박막 상에 스퍼터 장비를 통해 시드층을 증착하는 단계; 상기 본딩 패드 영역과 레코딩 패드 영역에 대해 금속을 전기도금하여 전기도금층을 형성하는 단계; 상기 전기도금층의 상부가 개방되도록 포토레지스트를 패터닝하는 단계;상기 포토레지스트와 전기도금층 상에 백금을 증착시키는 단계; 및상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 희생층은 알루미늄(Al) 또는 산화규소(SiO2)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속박막을 패터닝하는 단계는, 전자빔 증발기로 접착층(adhesion layer)을 증착한 후, 상기 접착층 상에 금(Au) 또는 백금(Pt)을 증착하여 금속박막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 접착층은 크롬(Cr), 티탄(Ti), 질화티탄(TiN), 티탄-텅스텐(TiW) 또는 니켈(Ni)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전기도금을 실시하기 전, 상기 본딩 패드 영역과 레코딩 패드 영역을 패터닝하고, 나머지는 폐쇄시키는 몰드(mold)를 형성하도록 포토레지스트를 도포하며, 상기 전기도금층이 형성된 후에 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 포토레지스트의 제거는 습식 식각 또는 건식 식각 방법이 사용되는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전기도금 시, 전류 밀도를 조절하여 상기 전기도금층의 표면 거칠기를 제어하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전기도금층은 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag) 또는 니켈코발트(NiCo)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 백금의 증착은 증발기 또는 스퍼터를 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 백금을 어닐링(annealing) 처리하여, 상기 백금의 표면 거칠기를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트의 제거 후에, 알루미늄 식각액(Al etchant), 희석된 불산(diluted HF(hydrofluoric acid)) 또는 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH(tetramethylammonium hydroxide)) 계열의 PR 현상액(developer)을 사용하여 희생층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
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