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입자 표면에 단위표면적당(nm2) 2 내지 10 개의 수산기를 갖는 금속 산화물(metal oxide)의 콜로이드 용액(제1콜로이드 용액); 및금속 알콕사이드(metal alkoxide)의 가수분해물인 금속 하이드록사이드(metal hydroxide)의 콜로이드 용액(제2콜로이드 용액)을 포함하는 광전극 형성용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 금속 산화물 및 금속 하이드록사이드는 각각 평균입경이 1 내지 400 nm인 광전극 형성용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 금속 산화물은 평균입경이 10 내지 100 nm이고, 상기 금속 하이드록사이드는 평균입경이 2 내지 9 nm인 광전극 형성용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 제1콜로이드 용액은 금속 산화물의 함량이 10 내지 30 중량%인 광전극 형성용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 제2콜로이드 용액은 금속 하이드록사이드의 함량이 5 내지 25 중량%인 광전극 형성용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 제1콜로이드 용액 100 중량부에 대하여 제2콜로이드 용액 10 내지 30 중량부를 포함하는 광전극 형성용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 금속 산화물은 타이타늄(Ti)산화물, 지르코늄(Zr)산화물, 스트론튬(Sr)산화물, 징크(Zn)산화물, 인듐(In)산화물, 란타넘(La)산화물, 바나듐(V)산화물, 몰리브데넘(Mo)산화물, 텅스텐(W)산화물, 틴(Sn)산화물, 나이오븀(Nb)산화물, 마그네슘(Mg)산화물, 알루미늄(Al)산화물, 이트늄(Y)산화물, 스칸듐(Sc)산화물, 사마륨(Sm)산화물, 갈륨(Ga)산화물, 및 스트론튬타이타늄(SrTi) 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 광전극 형성용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 제2콜로이드 용액은 금속 알콕사이드(metal alkoxide)를 전구체로 하여 졸-겔(sol-gel)법으로 제조한 것인 광전극 형성용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 금속 알콕사이드(metal alkoxide)는 타이타늄 테트라이소프로폭사이드(titanium tetraisopropoxide), 타이타늄 테트라클로라이드(Titanium Tetrachloride), 타이타늄 나이트레이트(titanium nitrate) 및 타이타늄 설페이트(titanium sulfate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 광전극 형성용 조성물
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제 1 항에 따른 광전극 형성용 조성물을 제조하는 단계;상기 조성물을 기판 상에 도포하는 단계;상기 조성물이 도포된 기판을 20 내지 170 ℃에서 건조 및 열처리하는 단계; 및상기 열처리된 기판을 감광성 염료 용액에 침지하는 단계를 포함하는 태양전지용 광전극의 제조방법
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제 11항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판, 전도성 유리 기판, 전도성 플라스틱 기판, 전도성 금속 기판, 반도체 기판, 및 부도체 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 태양전지용 광전극의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 기판을 건조 및 열처리하는 단계는 광전극 형성용 조성물 내의 금속 산화물과 금속 하이드록사이드 사이의 축합 반응(condensation reaction)을 유도하는 것인 태양전지용 광전극의 제조방법
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제 1 항에 따른 광전극 형성용 조성물을 사용한 금속 산화물층을 포함하는 태양전지용 광전극
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제 14항에 따른 광전극, 상대 전극, 및 상기 두 전극 사이에 개재된 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지
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