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피처리 부재를 전처리하는 단계,상기 피처리 부재를 전해액에 담지하고, 상기 피처리 부재를 플라즈마전해 양극산화장치에 연결하는 단계, 및상기 플라즈마전해 양극산화장치가 양전류 및 음전류를 교대로 제공하여 상기 피처리 부재에 산화막을 형성하는 단계를 포함하며,상기 산화막을 형성하는 단계에서, 상기 양전류의 인가시간 또는 상기 음전류의 인가시간은 0 보다 크고 100,000μs 이하이고, 상기 피처리 부재를 플라즈마전해 양극산화장치에 연결하는 단계에서, 상기 피처리 부재에 각각 1,000V 이하의 양전압 및 400V 이하의 음전압이 인가되고,상기 산화막을 형성하는 단계에서, 상기 플라즈마전해 양극산화장치가 인가하는 주파수의 범위는 10Hz 내지 10,000Hz이며,상기 양전류에 대한 상기 음전류의 비와 상기 양전류의 인가시간에 대한 상기 음전류의 인가시간의 비를 포함하여 상기 양전압과 음전압 및 주파수를 동시에 조절하는 플라즈마전해 양극산화방법
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제1항에 있어서,상기 양전류에 대한 상기 음전류의 비는 1 내지 6이고, 상기 양전류 인가시간에 대한 상기 음전류 인가시간의 비는 1 내지 6이며,상기 산화막을 형성하는 단계에서, 상기 산화막의 생성 속도는 2㎛/분 내지 10㎛/분인 플라즈마전해 양극산화방법
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제4항에 있어서,상기 피처리 부재에 인가되는 양전하량에 대한 음전하량의 비는 1 내지 36인 플라즈마전해 양극산화방법
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제1항에 있어서,상기 피처리 부재에 흐르는 전류가 최대 전류값에 도달하는 시간은 3μs 이하인 플라즈마전해 양극산화방법
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제1항에 있어서,상기 피처리 부재에 산화막을 형성하는 단계에서, 상기 피처리 부재에 양전류를 공급하는 상기 플라즈마전해 양극산화장치의 전류 용량에 대한 상기 피처리 부재에 음전류를 공급하는 상기 플라즈마전해 양극산화장치의 전류 용량의 비는 1 내지 6인 플라즈마전해 양극산화방법
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제1항에 있어서,상기 피처리 부재를 전처리하는 단계에서, 상기 피처리 부재는 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속인 플라즈마전해 양극산화방법
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