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유연성을 갖는 열전 변환재, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전 소자

  • 기술번호 : KST2014049494
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유연성을 갖는 열전 변환재, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유리전이온도(Tg) 50 내지 500 ℃ 및 굴곡 강도(ASTM D 790) 30 내지 10000 MPa인 전기 비전도성 고분자, 및 상기 전기 비전도성 고분자 상에 분산된 무기 열전 재료를 포함하는 열전 소자용 열전 변환재; 상기 열전 변환재를 건식법 또는 습식법으로 제조 하는 방법; 및 상기 열전 변환재를 포함하는 열전 소자에 관한 것이다.본 발명에 따른 열전 변환재는 열 확산도가 낮고 전기 비전도성인 고분자 모재(matrix)에, 무기 열전 재료가 충전제(filler)로 분산된 복합체로서, 유연성이 우수하여 벌크 또는 박막 등 다양한 형태로 성형이 가능하면서도, 내열성 및 기계적 물성이 우수하고, 전기 전도도 및 제벡 계수가 높아, 안정적인 열전 성능을 나타낼 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 35/24 (2006.01) H01L 35/14 (2006.01)
CPC H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01)
출원번호/일자 1020100084276 (2010.08.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1144888-0000 (2012.05.03)
공개번호/일자 10-2012-0020582 (2012.03.08) 문서열기
공고번호/일자 (20120514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.30)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이현정 대한민국 서울특별시 성북구
2 오누리 대한민국 경기도 수원시 팔달구
3 김준경 대한민국 서울특별시 동대문구
4 윤호동 대한민국 서울특별시 노원구
5 임순호 대한민국 서울특별시 송파구
6 박민 대한민국 서울특별시 노원구
7 이상수 대한민국 서울특별시 서초구
8 김희숙 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0561151-71
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0062341-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0557395-35
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0942780-95
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0942781-30
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0247169-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유리전이온도(Tg) 50 내지 500 ℃ 및 굴곡 강도(ASTM D 790) 30 내지 10000 MPa인 전기 비전도성 고분자; 및상기 전기 비전도성 고분자 상에 분산된 무기 열전 재료를 포함하는 열전 소자용 열전 변환재
2 2
제 1 항에 있어서,상기 고분자 100 중량부에 대하여, 상기 무기 열전 재료 0
3 3
제 1 항에 있어서,상기 고분자는 폴리비닐피롤리돈, 폴리스티렌, 폴리비닐아세테이트, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 나일론, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리에틸렌으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 열전 소자용 열전 변환재
4 4
제 1 항에 있어서,상기 무기 열전 재료는 탄소계, 텔루라이드(telluride)계 또는 이들의 혼합물인 열전 소자용 열전 변환재
5 5
제 4 항에 있어서,상기 탄소계 무기 열전 재료는 탄소나노튜브(carbon nanotube), 그라펜(grapheme) 및 그라파이트(graphite)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 열전 소자용 열전 변환재
6 6
제 5 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 길이가 100 nm 내지 100 ㎛인 열전 소자용 열전 변환재
7 7
제 4 항에 있어서,상기 텔루라이드(telluride)계 무기 열전 재료는 Bi 및 Sb를 포함하는 ⅤA족 텔루라이드계; Pb, Ge 및 Sn을 포함하는 ⅣA족 텔루라이드계; 및 In 및 Ga를 포함하는 ⅢA족 텔루라이드계로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 열전 소자용 열전 변환재
8 8
제 4 항에 있어서,상기 텔루라이드(telluride)계 무기 열전 재료는 길이 50 nm 내지 100 ㎛의 튜브 또는 와이어인 열전 소자용 열전 변환재
9 9
제 4 항에 있어서,상기 텔루라이드(telluride)계 무기 열전 재료는 입경 1 nm 내지 500 nm의 입자인 열전 소자용 열전 변환재
10 10
제 1 항에 있어서,상기 열전 변환재는 벌크(bulk) 또는 필름(film)의 형태인 열전 소자용 열전 변환재
11 11
제 1 항에 있어서, 하기 수학식 1로 정의되는 열전 성능 지수(ZT)가 온도 300 K에서 1 X 10-6 내지 2 인 열전 소자용 열전 변환재:[수학식 1] ZT = α2σT/κ상기 수학식 1에서, α는 열전 변환재의 제벡 상수(V/K)를 나타내고, σ는 열전 변환재의 전기 전도도(S/m)를 나타내며, κ는 열전 변환재의 열 전도도(W/m·K)를 나타낸다
12 12
유리전이온도(Tg) 50 내지 500 ℃ 및 굴곡 강도(ASTM D 790) 30 내지 10000 MPa인 전기 비전도성 고분자 입자와, 무기 열전 재료를 혼합하는 단계; 및상기 혼합물을 압축 성형하는 단계를 포함하는 제 1 항의 열전 소자용 열전 변환재의 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 고분자 입자는 입경이 100 nm 내지 200 ㎛인 열전 소자용 열전 변환재의 제조 방법
14 14
제 12 항에 있어서,상기 혼합물은 상기 고분자 입자 100 중량부에 대하여 상기 무기 열전 재료 0
15 15
제 12 항에 있어서,상기 전기 비전도성 고분자 입자와 무기 열전 재료의 혼합은 100 내지 10000 rpm으로 1 분 내지 60 분 동안 수행하는 열전 소자용 열전 변환재의 제조 방법
16 16
유리전이온도(Tg) 50 내지 500 ℃ 및 굴곡 강도(ASTM D 790) 30 내지 10000 MPa인 전기 비전도성 고분자 입자를 포함하는 분산액을 준비하는 단계;무기 열전 재료를 포함하는 분산액을 준비하는 단계;상기 두 분산액을 혼합하는 단계; 및상기 혼합액에 포함된 분산매를 제거하는 단계를 포함하는 제 1항의 열전 소자용 열전 변환재의 제조 방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 고분자 입자는 입경이 100 nm 내지 200 ㎛인 열전 소자용 열전 변환재의 제조 방법
18 18
제 16 항에 있어서,상기 분산매를 제거하는 단계는 상기 두 분산액의 혼합액을 기판 또는 몰드에 도포하여 건조시키는 열전 소자용 열전 변환재의 제조 방법
19 19
제 16 항에 있어서,상기 분산매는 물 또는 유기용매인 열전 소자용 열전 변환재의 제조 방법
20 20
제 16 항에 있어서,상기 무기 열전 재료를 포함하는 분산액은 계면활성제를 더욱 포함하는 열전 소자용 열전 변환재의 제조 방법
21 21
제 16 항에 있어서,상기 두 분산액의 혼합액은 상기 고분자 입자 100 중량부에 대하여 상기 무기 열전 재료 0
22 22
제 1 항의 열전 소자용 열전 변환재를 포함하는 열전 소자
23 23
제 22 항에 있어서,기판; 상기 열전 변환재를 포함하고, 상기 기판 상에 형성된 한 쌍의 열전 반도체; 및 상기 한 쌍의 열전 반도체를 직렬 연결하고 있는 도체를 포함하는 열전 소자
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.