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(A) 절연체 매트릭스, (B) 상기 절연체 매트릭스 내에 분산되어 있는 저항 변화형 전도성 필러를 포함하는 저항 변화 물질로서,상기 저항 변화형 전도성 필러는 (a) 전도성 필러, (b) 상기 전도성 필러 표면 중 적어도 일부에 형성된 전이금속 산화물층을 포함하고;상기 저항 변화형 전도성 필러는 상기 절연체 매트릭스 내부에서 서로 네트워크를 형성하여 전도성 경로를 형성하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 물질
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제1항에 있어서, 상기 전도성 필러는 단일벽 탄소나노튜브, Ag 나노선, Au 나노선, Pt 나노선, Cu 나노선, 그라핀 중에서 선택되고; 상기 전이금속 산화물은 TiO2, ZrO2, NiO, HfO2, Ta2O5, La2O3, Nb2O5, Cu2O, Al2O3, SiO, SrTiO3, Cr doped SrZrO3, Pr0
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제2항에 있어서, 상기 저항 변화 물질은 전압 스윕 방향과 무관하게 저저항 상태에서 고저항 상태 사이에서 스위칭이 일어나고, 상기 저저항 상태와 고저항 상태의 저항비가 101-1010인 것을 특징으로 저항 변화 물질
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제3항에 있어서, 상기 저항비가 104 이상이고; 저항 변화 반복 테스트 결과 100 사이클까지 저항비가 최소한 104 이상을 유지하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 물질
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제4항에 있어서, 상기 저항 변화 물질은 UV-Vis 투과도가 상기 절연체 매트릭스만의 투과도의 90-100%이고; 상기 저항 변화 물질을 50 회 벤딩한 후에도 스위칭 특성을 유지하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 물질
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(1) 기판, (2) 상기 기판 위에 위치하는 하부 전극, (3) 상기 하부 전극 위에 위치한 저항 변화 물질, (4) 상기 저항 변화 물질 위에 위치한 상부 전극을 포함하는 저항 변화형 비휘발성 기억소자로서,상기 저항 변화 물질은 (A) 절연체 매트릭스, (B) 상기 절연체 매트릭스 내에 분산되어 있는 저항 변화형 전도성 필러를 포함하고,상기 저항 변화형 전도성 필러는 (a) 전도성 필러, (b) 상기 전도성 필러 표면에 형성된 전이금속 산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화형 비휘발성 기억소자
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(a) 전도성 필러 표면 중 적어도 일부에 전이금속 산화물층을 코팅하는 단계, (b) 상기 전이금속 산화물층을 어닐링하여 저항 변화형 전도성 필러를 제조하는 단계, (c) 상기 저항 변화형 전도성 필러를 절연체 매트릭스에 분산시키는 단계를 포한하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 물질의 제조방법
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(a) 전도성 필러 표면 중 적어도 일부에 전이금속 산화물층을 코팅하는 단계, (b) 상기 전이금속 산화물층을 어닐링하여 저항 변화형 전도성 필러를 제조하는 단계, (c) 상기 저항 변화형 전도성 필러를 절연체 매트릭스에 분산시키는 단계를 포함하고,상기 저항 변화 물질의 종류를 변화시켜 저항 변화 물질의 특성을 유니폴라 또는 바이폴라로 저항 변화 특성을 조절하는 방법
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