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성장기판 상에 산화물 박막을 형성하는 단계; 상기 산화물 박막 상에 소자기판을 접합하는 단계; 상기 성장기판에 레이저를 조사하여 성장기판과 산화물 박막을 분리하는 단계; 및 상온의 챔버 내에서 상기 분리된 산화물 박막의 표면에 산소 플라즈마를 가하여, 상기 분리된 산화물 박막의 표면을 산화 및 표면 처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 소자의 제조방법
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성장기판 상에 산화물 박막을 형성하는 단계; 상기 산화물 박막 상에 제1전극층을 형성하는 단계; 상기 제1전극층 상에 소자기판을 접합하는 단계; 상기 성장기판에 레이저를 조사하여 성장기판과 산화물 박막을 분리하는 단계; 상온의 챔버 내에서 상기 분리된 산화물 박막의 표면에 산소 플라즈마를 가하여, 상기 분리된 산화물 박막의 표면을 산화 및 표면 처리하는 단계; 및 상기 산화 및 표면 처리된 산화물 박막 상에 제2전극층을 형성하는 단계를 포함하는 산화물 박막 소자의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산화 및 표면 처리하는 단계는, 산소 가스를 플라즈마 소스의 코일이 감겨있는 주입 라인에 통과시켜 이온화된 산소 플라즈마가 생성되게 하고, 상기 생성된 산소 플라즈마를 상온의 챔버 내부로 흘려주어 산화물 박막의 표면을 산화 및 표면 처리하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 소자의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 성장기판은 레이저의 파장에 해당하는 에너지보다 큰 에너지 밴드 갭을 가지며, 상기 산화물 박막은 레이저의 파장에 해당하는 에너지보다 낮은 에너지 밴드 갭을 가지는 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 소자의 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산화물 박막은, 하기 화학식으로 표시되는 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 소자의 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산화물 박막은 납 지르코니움 티타네이트(PZT), 란타늄이 도핑된 납 지르코네이트 티타네이트(PLZT), 스트론튬 비스무스 탄탈라이트(SBT), 스트론튬 바륨 탄탈레이트 니오베이트(SBTN), 비스무스 티타네이트(BIT), 비스무스 란타늄 티타네이트(BLT), 납 마그네슘 니오베이트-납 티타네이트(PMN-PT), 납 아연 니오베이트-납 티타네이트(PZN-PT), 바륨 스트론튬 티타네이트(BST), ZnO(Zinc oxide), CdO(Cadmium oxide) 및 TiO2(Titanium oxide)로부터 선택될 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 소자의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 소자기판은 플렉시블 기판인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 소자의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산화 및 표면 처리하는 단계는, 상기 분리된 산화물 박막의 표면에 산소와 아르곤(Ar)의 혼합 가스로 구성된 산소 플라즈마를 가하여 산화 및 표면 처리하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 소자의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 제1전극층과 제2전극층은 금속, 질화물 및 산화물 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 소자의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 제1전극층과 제2전극층은 Pt, Au, Al, Cu, Ti 및 이들의 합금으로부터 선택된 금속 전극 물질; 질화티타늄(TiN) 및 질화텡스텐(WN)으로부터 선택된 질화물 전극 물질; In2O3:Sn(ITO), Al2O3:Zn(AZO), SnO2:F(FTO), SrTiO3 및 LaNiO3으로부터 선택된 산화물 전극 물질로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 소자의 제조방법
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