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블랙 마이크로캐비티를 포함하는 유기발광다이오드

  • 기술번호 : KST2014049625
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광다이오드에 관한 것으로서, 반사전극층, 상기 반사전극층 하부면에 형성된 유기발광층, 상기 유기발광층 하부면에 형성된 투명전극층 및 상기 투명전극층 하부면에 형성된 블랙 마이크로캐비티를 포함하고, 상기 블랙 마이크로캐비티는 상기 투명전극층의 하부면에 제1금속층, 유전층 및 제2금속층이 차례로 적층되어 이루어진다.본 발명의 유기발광다이오드는 유기발광층에서 발광된 광이 반사전극층과 제1금속층 사이에서 공진하여 전면으로 방출되는 광의 세기가 증가하므로 휘도가 증가된다. 또한 전면으로 공급되는 외부광이 블랙 마이크로캐비티에 의하여 상쇄간섭을 일으키며 소멸되므로 명실 명암비가 증가한다. 이와 같이 본 발명에 적용되는 블랙 마이크로 캐비티는 유기발광층에서 발광된 광을 공진시키는 마이크로캐비티 기능과 외부광을 흡수하는 블랙 필름 기능을 동시에 구현하므로, 휘도의 증가와 명실 명암비 향상의 효과를 동시에 달성할 수 있도록 한다.
Int. CL H05B 33/24 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01)
CPC H01L 51/5271(2013.01) H01L 51/5271(2013.01) H01L 51/5271(2013.01)
출원번호/일자 1020090113293 (2009.11.23)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1114253-0000 (2012.02.02)
공개번호/일자 10-2011-0056819 (2011.05.31) 문서열기
공고번호/일자 (20120305) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 도영락 대한민국 서울특별시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0717769-11
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0071950-29
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0503192-94
4 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2011.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2011-0000730-09
5 출원심사처리보류통지서
Notice of Deferment of Processing of Application Examination
2011.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0156160-74
6 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2011.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2011-0002537-39
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0261166-88
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0523762-12
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0605515-42
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0605510-14
11 등록결정서
Decision to grant
2012.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0056529-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
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번호 청구항
1 1
유기발광층; 상기 유기발광층의 상부면에 형성되며 유기발광층에서 조사된 광을 반사하는 반사전극층;상기 유기발광층 하부면에 형성된 투명전극층; 및상기 투명전극층 하부면에 형성되며 유기발광층에서 조사된 광이 외부로 진행되는 블랙 마이크로캐비티를 포함하고,상기 블랙 마이크로캐비티는 상기 투명전극층의 하부면에 제1금속층, 유전층 및 제2금속층이 차례로 적층되며, 상기 투명전극층의 두께는 유기발광층에서 발생된 빛이 반사전극층과 제1금속층 사이에서 공진할 수 있도록 설정된 유기발광다이오드
2 2
제1항에 있어서,상기 제1금속층의 반사도는 제2금속층의 반사도보다 높은 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
3 3
제1항에 있어서,상기 제1금속층의 흡광도는 제2금속층의 흡광도보다 낮은 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
4 4
제1항에 있어서,상기 제1금속층은 알루미늄 또는 은으로 이루어지고, 상기 제2금속층은 크롬, 몰리부덴 또는 티타늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
5 5
제1항에 있어서,상기 블랙 마이크로캐비티의 제1금속층, 유전층 및 제2금속층의 두께는 상기 제1금속층, 유전층 및 제2금속층 각각에서 반사된 광이 상쇄간섭이 일어나도록 설정된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 반사전극층은 알루미늄 또는 은으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
8 8
제1항에 있어서,상기 투명전극층은 인듐 틴 옥사이드로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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1 WO2011062351 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2011062351 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부/한국연구재단 국민대학교 산학협력단 한국연구재단 우수연구센터사업(ERC)사업 자기조립소재공정연구센터