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기판;상기 기판 상에 형성되는 배면전극층;상기 배면전극층 상에 형성되는 광흡수층; 및상기 광흡수층 상에 형성되는 전면전극층을 포함하고,상기 배면전극층은 상기 기판 상에 아크 이온 플레이팅법에 의하여 증착되는 몰리브덴(Mo)으로 형성되고,상기 배면전극층과 광흡수층 사이에는 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘으로 형성되는 보호층이 형성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 화합물계 박막 태양전지
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제1항에 있어서,상기 기판과 상기 배면전극층 사이에 형성되는 응력완화층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 화합물계 박막 태양전지
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제1항에 있어서,상기 기판은 유리 기판, 세라믹 기판, 스테인레스 연성기판, Ni-Fe계 연성기판, 고분자 재질로 이루어진 연성기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 CIGS 화합물계 박막 태양전지
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제2항에 있어서,상기 응력완화층은 티타늄(Ti) 또는 크롬뮴(Cr)을 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 화합물계 박막 태양전지
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 기판, 배면전극층, 보호층, 광흡수층 및 전면전극층이 순차적으로 형성된 CIGS계 화합물 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,상기 배면전극층은 상기 기판 상에 몰리브덴(Mo)이 아크 이온 플레이팅법에 의하여 증착되는 것을 특징으로 하는 CIGS 화합물계 박막 태양전지의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 기판은 유리 기판, 세라믹 기판, 스테인레스 연성기판, Ni-Fe계 연성기판, 고분자 재질로 이루어진 연성기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 CIGS 화합물계 박막 태양전지의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 배면전극층을 형성하기에 앞서 상기 기판 상에 응력완화층을 형성하는 것을 특징으로 하는 CIGS 화합물계 박막 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 응력완화층은 티타늄(Ti) 또는 크롬뮴(Cr)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 화합물계 박막 태양전지의 제조방법
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