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구리확산 방지막의 제조방법에 있어서,방지막 전구체를 공급하여 증착하는 제1단계;상기 전구체의 공급 및 증착과 동시에 플라즈마 상태의 일정기체를 주입하여 상기 전구체를 둘러싸고 있는 유기 리간드를 일정시간 동안 제거하는 제2단계; 및상기 제2단계 이후, 비활성 가스로 일정시간 동안 퍼지하는 제3단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리확산 방지막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 전구체는 이리듐(Ir)인 것을 특징으로 하는 구리확산 방지막의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제1단계의 전구체는 원자층 증착법을 이용하는 것을 특징으로 하는 구리확산 방지막의 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 제2단계는 수소 플라즈마를 이용하여 10초간 수행되는 것을 특징으로 하는 구리확산 방지막의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 제3단계는 아르곤 가스를 이용하여 15초간 수행되는 것을 특징으로 하는 구리확산 방지막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 방지막의 두께는 5nm이하인 것을 특징으로 하는 구리확산 방지막의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 제2단계 및 제3단계는 50회 수행되는 것을 특징으로 하는 구리확산 방지막의 제조방법
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