요약 | 본 발명은 플렉시블 염료감응형 태양전지용 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기존의 높은 증착 온도를 가진 FTO(Fluorine doped tin oxide) 및 ITO(Indium-tin oxide) 투명전극에 비하여, 상온 혹은 저온에서 증착함에도 불구하고, 낮은 면 저항, 높은 전도도 및 투과도, 외부 구부림에 대한 우수한 저항성 및 개선된 계면특성과 향상된 표면 거칠기 성능을 갖는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 Ti-In-Zn-O 투명전극 제조방법과 이의 제조방법 및 이를 이용한 금속 삽입형 3층 구조 고전도 투명전극과 이의 제조방법에 관한 것이다. |
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Int. CL | C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/20 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020110041687 (2011.05.02) |
출원인 | 한국생산기술연구원 |
등록번호/일자 | 10-1232717-0000 (2013.02.06) |
공개번호/일자 | 10-2012-0123990 (2012.11.12) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130213) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.05.02) |
심사청구항수 | 14 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 한국생산기술연구원 | 대한민국 | 충청남도 천안시 서북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 허기석 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
2 | 김태원 | 대한민국 | 광주광역시 광산구 |
3 | 박재철 | 대한민국 | 전라남도 장성군 |
4 | 김광영 | 대한민국 | 서울특별시 강동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인아이엠 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 한국생산기술연구원 | 충청남도 천안시 서북구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.05.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0327001-43 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.02.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.03.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0020532-07 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5068733-13 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090658-47 |
6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.08.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0463092-14 |
7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.10.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0812048-66 |
8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.11.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0920970-93 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.11.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0920963-73 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5017806-08 |
11 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.02.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0076387-45 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.01.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5006834-98 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.07.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5123030-77 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 플렉시블 투명기판을 준비하는 단계; 및상기 기판상에 Ti 및 IZO를 동시에 증착하거나 Ti-In-Zn-O 단일 타겟을 이용하여 Ti-In-Zn-O 박막을 형성하는 단계;를 포함하는데,상기 박막은 실온에서 형성되고, 형성된 박막은 비정질 구조인 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 Ti-In-Zn-O 투명전극의 제조방법 |
2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 투명기판은 폴리에테르술폰(PES:polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR:polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI:polyetherimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN:polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET: polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide:PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리아미드(PI:polyamide), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propinonate:CAP)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 Ti-In-Zn-O 투명전극의 제조방법 |
3 |
3 제 2 항에 있어서,상기 투명기판은 함습률을 낮추기 위해 일정온도로 열처리 되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 Ti-In-Zn-O 투명전극의 제조방법 |
4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 박막을 형성하는 단계는 RF/DC magnetron 방식의 sputter를 이용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 Ti-In-Zn-O 투명전극의 제조방법 |
5 |
5 제 4 항에 있어서,Ti 및 IZO를 동시에 증착하여 상기 박막을 형성하는 단계는 온도 : 실온, gas flow(sccm) : Ar - 24 |
6 |
6 실온에서 플렉시블 투명기판 상에 형성된 Ti-In-Zn-O 박막을 포함하여 이루어지는데, 상기 박막은 비정질구조인 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 Ti-In-Zn-O 투명전극 |
7 |
7 제 6 항에 있어서,상기 Ti-In-Zn-O 박막의 공정조건에 따라 변화하는 산소를 제외한 구성 금속원소의 조성비가 Ti 8at%, In 76at%, Zn 16at%에서 최소의 면저항을 갖는 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 Ti-In-Zn-O 투명전극 |
8 |
8 플렉시블 투명기판을 준비하는 단계;상기 투명기판상에 Ti 및 IZO를 동시에 증착하거나 Ti-In-Zn-O 단일 타겟을 이용하여 제1 Ti-In-Zn-O 박막을 형성하는 단계;상기 제1 제1 Ti-In-Zn-O 박막 상부에 금속 박막을 형성하는 단계; 및상기 금속 박막의 상부에 Ti 및 IZO를 동시에 증착하거나 Ti-In-Zn-O 단일 타겟을 이용하여 제2 Ti-In-Zn-O 박막을 형성하는 단계;를 포함하는데,상기 각 박막들은 실온에서 형성되고 상기 제1 Ti-In-Zn-O 박막 및 제2 Ti-In-Zn-O 박막은 비정질구조를 갖는 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 금속 삽입형 3층 구조 고전도 투명전극의 제조방법 |
9 |
9 제 8 항에 있어서,상기 투명기판은 유리기판, 폴리에테르술폰(PES:polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR:polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI:polyetherimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN:polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET: polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide:PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리아미드(PI:polyamide), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propinonate:CAP)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 금속 삽입형 3층 구조 고전도 투명전극의 제조방법 |
10 |
10 제 8 항에 있어서, 상기 금속 박막은 Ag, Cu, Al, Au 를 포함하는 금속그룹에서 선택된 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 금속 삽입형 3층 구조 고전도 투명전극의 제조방법 |
11 |
11 제 8 항에 있어서,상기 제1 제1 Ti-In-Zn-O 박막, 제2 제1 Ti-In-Zn-O 박막 및 금속 박막은 RF magnetron 방식의 sputter를 이용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 금속 삽입형 3층 구조 고전도 투명전극의 제조방법 |
12 |
12 제 11 항에 있어서,상기 각각의 박막을 형성하는 단계는003c#Ti 및 IZO를 동시에 증착하여 형성하는 제1 Ti-In-Zn-O박막 및 제2 Ti-In-Zn-O박막003e#온도 : 실온, gas flow(sccm) : Ar - 24 |
13 |
13 플렉시블 투명기판 상에 형성된 제1 Ti-In-Zn-O 박막;상기 제1 Ti-In-Zn-O 박막 상에 형성된 금속박막; 및상기 금속박막 상에 형성된 제2 Ti-In-Zn-O 박막;을 포함하고,상기 각 박막들은 실온에서 형성되고 상기 제1 Ti-In-Zn-O 박막 및 제2 Ti-In-Zn-O 박막은 비정질구조를 갖는 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 금속 삽입형 3층 구조 고전도 투명전극 |
14 |
14 제 13 항에 있어서,상기 투명전극의 면저항이 8 Ω/sq이하인 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 금속 삽입형 3층 구조 고전도 투명전극 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | CN103154301 | CN | 중국 | FAMILY |
2 | US09570242 | US | 미국 | FAMILY |
3 | US10395845 | US | 미국 | FAMILY |
4 | US20140109957 | US | 미국 | FAMILY |
5 | US20170110257 | US | 미국 | FAMILY |
6 | WO2012150805 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
7 | WO2012150805 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | CN103154301 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
2 | CN103154301 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
3 | US10395845 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
4 | US2014109957 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
5 | US2017110257 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
6 | US9570242 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
7 | WO2012150805 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
8 | WO2012150805 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1232717-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20110502 출원 번호 : 1020110041687 공고 연월일 : 20130213 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130201 청구범위의 항수 : 14 유별 : C23C 14/06 발명의 명칭 : Ti-In-Zn-O 투명전극 및 이를 이용한 금속 삽입형 3층 구조 고전도도 투명전극과 이의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 295,500 원 | 2013년 02월 07일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 348,000 원 | 2015년 12월 15일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 243,600 원 | 2017년 01월 17일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 243,600 원 | 2018년 01월 02일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 316,000 원 | 2019년 01월 02일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 316,000 원 | 2019년 12월 23일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.05.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0327001-43 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.02.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2012.03.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0020532-07 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5068733-13 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090658-47 |
6 | 의견제출통지서 | 2012.08.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0463092-14 |
7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.10.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0812048-66 |
8 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.11.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0920970-93 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.11.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0920963-73 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5017806-08 |
11 | 등록결정서 | 2013.02.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0076387-45 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.01.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5006834-98 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.07.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5123030-77 |
기술번호 | KST2014049860 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한국생산기술연구원 |
기술명 | Ti-In-Zn-O 투명전극 및 이를 이용한 금속 삽입형 3층 구조 구전도도 투명전극과 이의 제조방법 |
기술개요 |
본 발명은 플렉시블 염료감응형 태양전지용 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기존의 높은 증착 온도를 가진 FTO(Fluorine doped tin oxide) 및 ITO(Indium-tin oxide) 투명전극에 비하여, 상온 혹은 저온에서 증착함에도 불구하고, 낮은 면 저항, 높은 전도도 및 투과도, 외부 구부림에 대한 우수한 저항성 및 개선된 계면특성과 향상된 표면 거칠기 성능을 갖는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 Ti-In-Zn-O 투명전극 제조방법과 이의 제조방법 및 이를 이용한 금속 삽입형 3층 구조 고전도 투명전극과 이의 제조방법에 관한 것이다. |
개발상태 | 기술개발완료 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 전기전자 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이센스 |
사업화적용실적 | - |
도입시고려사항 | - |
과제고유번호 | 1415113060 |
---|---|
세부과제번호 | 10JE10014 |
연구과제명 | Flexible 디바이스용 다성분계 산화물 투명전극 증착기술 개발(1/3) |
성과구분 | 등록 |
부처명 | |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 201001~201012 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
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심판사항 정보가 없습니다 |
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