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태양전지용 고순도 다결정 실리콘 제작 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2014049902
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 태양전지용 고순도 다결정 실리콘 제작 장치 및 방법은, 측면 히터가 측면 상부히터와 측면 하부히터로 분할된 상태에서, 도가니는 고정시키고 응고면의 변화에 따라 히터를 포함된 챔버를 이송시키면서 일방향성 응고 공정을 수행할 수 있도록 구성됨으로써, 보다 효율적인 열전달 및 정련이 가능해져 고품질의 결정성 다결정 실리콘 잉곳을 제작할 수 있는 효과를 갖는다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/182(2013.01) H01L 31/182(2013.01)
출원번호/일자 1020110068049 (2011.07.08)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1249808-0000 (2013.03.27)
공개번호/일자 10-2013-0006166 (2013.01.16) 문서열기
공고번호/일자 (20130403) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.08)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문병문 대한민국 서울특별시 구로구
2 장은수 대한민국 전라북도 순창군
3 박동호 대한민국 경기도 안성시
4 류태우 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0525964-74
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0531594-70
3 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document
2011.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0611730-48
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0041040-82
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0516677-45
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0891511-80
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0891510-34
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
12 등록결정서
Decision to grant
2013.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0187537-78
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
중공 구조를 갖고 외부와의 단열을 위해 단열재가 구비된 챔버와;상기 챔버 내에서 실리콘 재료가 담겨진 도가니가 위치되는 받침대와;상기 챔버 내에서 도가니 상부에 위치되어 도가니 쪽에 열을 제공하는 상부 히터와;상기 챔버 내에서 도가니 둘레에 위치되어 도가니 쪽에 열을 제공하되, 상하로 분할된 구조를 갖는 측면 상부히터 및 측면 하부히터와;상기 받침대 쪽에 구비되어 상기 도가니 하부 쪽을 냉각시키는 열교환기와;상기 받침대에 도가니의 위치를 고정한 상태에서, 도가니 내의 응고부와 용융부의 경계면인 응고면과 상기 측면 상부히터의 하단부가 동일 높이에 위치되도록, 상기 측면 상부히터 및 상기 측면 하부히터를 상하 이동시키는 이송 기구를 포함한 것을 특징으로 하는 태양전지용 고순도 다결정 실리콘 제작 장치
2 2
청구항1에 있어서,상기 이송 기구는 이송 제어부와, 이 이송 제어부의 제어 신호에 따라 상기 챔버 및 그 안에 설치된 상부 히터, 측면 상부히터, 측면 하부히터를 상하 이동시키는 이송 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 고순도 다결정 실리콘 제작 장치
3 3
청구항2에 있어서,상기 챔버의 하부에는 플랜지 모양의 확장된 구조를 갖는 이송 지지부가 구비되고,상기 이송 구동부는 상기 이송 지지부와 바닥 사이에 구비되어 상기 챔버를 상하 이동시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 태양전지용 고순도 다결정 실리콘 제작 장치
4 4
청구항1에 있어서,상기 챔버의 하부와 챔버가 위치된 바닥 구조물 사이에는 챔버 내부를 밀폐시킬 수 있도록 밀폐 구조물이 설치된 것을 특징으로 하는 태양전지용 고순도 다결정 실리콘 제작 장치
5 5
도가니가 위치될 수 있도록 공간부를 갖는 챔버와;상기 챔버 내에 구비되어 도가니가 올려지는 받침대와;상기 챔버 내의 도가니 둘레에 위치되고, 도가니 내의 실리콘 재료 응고면을 중심으로 상하로 분리되게 위치됨과 아울러 응고면을 따라 상하 이동 가능하게 이루어진 측면 상부히터 및 측면 하부히터와;상기 측면 상부히터 및 측면 하부히터를 상하 이동시키는 이송 기구와;상기 도가니의 하부쪽을 냉각시키는 열교환기와;상기 측면 상부히터의 온도를 실리콘 재료의 용융온도 이상의 온도로 제어하고, 상기 측면 하부히터의 온도를 실리콘 재료의 용융온도에 비하여 낮은 온도로 제어하는 제어부를 포함한 것을 특징으로 하는 태양전지용 고순도 다결정 실리콘 제작 장치
6 6
청구항5에 있어서,상기 측면 상부히터 및 측면 하부히터는 챔버 내에서 상하 이동 가능하게 이루어지고, 상기 이송 기구는 상기 챔버 내에서 상기 측면 상부히터 및 측면 하부히터를 지지하는 히터 지지체를 상하 이동시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 태양전지용 고순도 다결정 실리콘 제작 장치
7 7
청구항1 또는 청구항 5에 있어서,상기 열교환기는, 응고 속도 조절이 가능하도록 상기 도가니 하부 쪽으로부터 위치 조절이 가능하거나, 열 방출량을 변화시킬 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 태양전지용 고순도 다결정 실리콘 제작 장치
8 8
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 태양전지용 고순도 다결정 실리콘 제작 장치를 이용한 것으로서,챔버 내의 받침대 위에 실리콘 재료가 담겨진 도가니를 투입하는 제1단계와;제1단계 후에, 청구항 1에 기재된 상부 히터 및 측면 상부히터를 작동시켜 도가니 내의 실리콘 재료를 용융시키는 제2단계와;제2단계 후에, 도가니 내의 실리콘 재료의 융융이 완료되면, 도가니 하부 쪽에 열교환기를 이용하여 도가니 내의 용융 실리콘을 하부로부터 응고시키는 제3단계와;제3단계를 진행함에 따라 도가니 바닥으로부터 점차 상측으로 응고가 진행될 때 액상과 고상의 경계면인 응고면을 중심으로 상기 측면 상부히터는 용융부 쪽에 위치되고, 측면 하부히터는 응고부 쪽에 위치되도록 측면 상부히터와 측면 하부히터를 점차 상승시키는 제4단계를 포함한 것을 특징으로 하는 태양전지용 고순도 다결정 실리콘 제작 방법
9 9
삭제
10 10
청구항8에 있어서,상기 제2단계 내지 제4단계는, 챔버 내부에 투입한 불활성 기체 분위기 또는 진공 분위기 하에서 진행하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 고순도 다결정 실리콘 제작 방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
청구항8에 있어서,상기 제3단계 및 제4단계에서, 도가니 내의 용융 실리콘 응고 속도는 상기 열교환기의 열 방출량을 제어하는 방식으로 조절하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 고순도 다결정 실리콘 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.